武庆
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用于全光时钟恢复的REC双波长激光器
- 本发明涉及一种用于全光时钟恢复的基于重构等效啁啾(reconstruction equivalent chirp，REC)技术的双波长激光器，属于光通信领域的光电子器件技术领域。该光电子器件将两个采用REC技术的分布反馈...
- 孙长征武庆黄缙熊兵罗毅
- 文献传递
- 面向微波光子学的高性能光探测器的封装设计与实现
- 武庆
- 关键词：光探测器模块封装共面波导倒装焊
- 通过调节负载提高RoF系统中大电流光探测器的饱和特性被引量：1
- 2011年
- 为提高射频光纤通信系统(ROF)中大电流光探测器(PD)的饱和特性,基于等效电路模型,对大电流工作下负载电阻大小对PD饱和特性的影响进行了理论分析,并利用微波负载牵引自动测量系统对PD负载电阻加以调节。通过实验测试了不同负载电阻下PD电压摆幅的变化及其对于探测器饱和特性、响应带宽的影响。理论和测试结果均表明,降低负载电阻可有效提高PD饱和电流和响应带宽。因此,根据应用条件适当降低负载电阻可改善PD的性能。
- 武庆熊兵石拓孙长征罗毅
- 关键词：饱和电流
- 用于全光时钟恢复的REC双波长激光器
- 本发明涉及一种用于全光时钟恢复的基于重构等效啁啾(reconstruction equivalent chirp，REC)技术的双波长激光器，属于光通信领域的光电子器件技术领域。该光电子器件将两个采用REC技术的分布反馈...
- 孙长征武庆黄缙熊兵罗毅
- 基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作被引量：2
- 2010年
- 针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO2/SiNx抗反膜结构,能够在70nm的波长范围内实现低于10-4的反射率,并且当单层膜厚度变化在±5nm以内时,中心波长1550nm处的反射率低于5×10-4.根据计算结果,在F-P激光器端面进行了SiO2/SiNx多层抗反镀膜的制作.对输出光功率谱的测试分析表明,在1535—1565nm范围内的残余反射率达到了10-4量级。
- 袁贺孙长征徐建明武庆熊兵罗毅
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积
