徐建明
- 作品数：6 被引量：18H指数：2
- 供职机构：清华大学电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 40 Gb/s集成光源模块的调制特性优化研究
- 近年来,随着移动通信和视频点播等新网络业务的不断增长,刺激光纤通信网络的数据传输速率从10 Gb/s向40 Gb/s演进,并已逐渐走向市场应用。分布反馈(DFB)激光器与电吸收(EA)调制器集成光源是40 Gb/s光纤网...
- 徐建明
- 关键词：分布反馈激光器电吸收调制器
- BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线被引量：3
- 2008年
- 面向高速行波电吸收（EA）调制器的需要，设计并制作了基于苯并环丁烯（BCB）聚合物／InP衬底的宽带（0～40GHz）、低损耗微波共面波导传输线。对共面波导结构开展仿真设计，分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化。结果表明，当设计的BCB膜厚为4μm、InP衬底导电率小于0．002（Ω·cm）^-1和信号线宽度为84μm时，微波传输性能可达最优。在此基础上，采用电阻率为10^8μΩ·cm的半绝缘（SI）InP衬底、涂覆4μmBCB薄膜，制作出0～40GHz范围内微波损耗小于0．5dB／mm的共面波导传输线。
- 侯海燕熊兵徐建明周奇伟孙长征罗毅
- 关键词：共面波导苯并环丁烯
- 应用于数字和模拟光通信的高速电吸收光调制器
- 2009年
- 半导体电吸收光调制器因其速度高、体积小、驱动电压低、可单片集成等优点,已成为光纤通信系统核心器件之一。面向数字通信系统,研制了InGaAsP/InP多量子阱基电吸收调制器/光放大器集成器件,其调制器实现了极低电容从而达到40GHz以上调制带宽,而集成半导体光放大器可使插入损耗从18dB降低到3dB。针对模拟光通信应用,我们研制了InGaAlAs/InP多量子阱基电吸收调制器/激光器集成器件,并对其模拟调制特性进行测试,获得2.7V的低等效半波电压和107dB·Hz2/3的无失真动态范围特性。
- 熊兵徐建明孙长征王健罗毅
- 关键词：光子集成
- 基于直接调制和外调制的高速半导体激光光源被引量：12
- 2008年
- 直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温度特性,其特征温度达到了88 K。同时,该直接调制激光器的3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz。随后介绍面向40 Gb/s干线传输系统的高速DFB激光器/EA调制器集成光源。该集成光源采用同一外延层集成方案,并采用Al2O3高速微波热沉进行了管芯级封装,在3 V反向偏压下获得大于13 dB的静态消光比,3 dB小信号调制带宽超过40 GHz。
- 罗毅徐建明黄缙孙长征熊兵蔡鹏飞
- 关键词：直接调制外调制DFB激光器EA调制器单片集成
- 基于反射光谱的单层抗反射膜的非在位膜厚精确控制被引量：1
- 2010年
- 提出一种基于反射光谱分析的非在位膜厚控制技术,首先利用椭圆偏振光谱仪确定波长300～1 700 nm范围内的薄膜折射率,由此确定对应于特定波长(如1 550 nm)的最佳抗反射(AR)镀膜沉积条件。然后计算最佳AR镀膜厚度所对应的反射谱,得到相应的CIE标准色谱坐标。通过对比实测镀膜颜色和计算得到的最佳颜色,可以实现小尺寸器件端面上AR镀膜厚度的优化控制。利用这一方法,由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备的SiNx单层AR镀膜,获得了4.4×10-4的反射率。
- 徐建明熊兵袁贺孙长征罗毅
- 关键词：反射光谱
- 基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作被引量：2
- 2010年
- 针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO2/SiNx抗反膜结构,能够在70nm的波长范围内实现低于10-4的反射率,并且当单层膜厚度变化在±5nm以内时,中心波长1550nm处的反射率低于5×10-4.根据计算结果,在F-P激光器端面进行了SiO2/SiNx多层抗反镀膜的制作.对输出光功率谱的测试分析表明,在1535—1565nm范围内的残余反射率达到了10-4量级。
- 袁贺孙长征徐建明武庆熊兵罗毅
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积
