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樊敏

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：武器装备预研基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇SOI

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇樊敏
  • 1篇朱国良
  • 1篇舒斌
  • 1篇宣荣喜
  • 1篇张鹤鸣

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于智能剥离技术的SOI材料制备被引量：1
2007年
优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5nm,缺陷密度为90cm-2,键合强度达到153.7kg/cm2,形成的SOI结构除了可以形成三维集成电路中有源层间良好的绝缘层,避免了高温过程对有源层器件结构、材料及性能的影响,还能为三维集成电路后续有源层的制造提供高质量的单晶硅材料.
舒斌张鹤鸣朱国良樊敏宣荣喜
关键词：绝缘体上硅SOI
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