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梁昌

作品数:5 被引量:8H指数:2
供职机构:吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
发文基金:吉林省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇场效应
  • 4篇晶体管
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇有机薄膜场效...
  • 3篇晶体
  • 2篇并五苯
  • 1篇低电压
  • 1篇电压
  • 1篇电子学
  • 1篇电阻
  • 1篇双极
  • 1篇迁移率
  • 1篇接触电阻
  • 1篇聚甲基丙烯酸
  • 1篇聚甲基丙烯酸...
  • 1篇甲基
  • 1篇甲基丙烯
  • 1篇甲基丙烯酸
  • 1篇甲基丙烯酸甲...
  • 1篇光电

机构

  • 5篇吉林大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 5篇梁昌
  • 4篇郭树旭
  • 4篇全宝富
  • 4篇石家纬
  • 4篇刘明大
  • 4篇张宏梅
  • 3篇马东阁
  • 3篇王伟
  • 1篇张素梅
  • 1篇王伟
  • 1篇游汉
  • 1篇方俊峰

传媒

  • 1篇中国激光
  • 1篇发光学报
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 2篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
并五苯薄膜场效应晶体管的研制
本论文首先介绍了并五苯有机薄膜场效应晶体管的研究进展及主要采用的结构和制作工艺,然后分别阐述了有机半导体材料的基本性质、结构特征以及载流子注入和输运的理论模型。在理论分析的基础上,我们开展了以并五苯为有源层的薄膜场效应晶...
梁昌
关键词:并五苯场效应晶体管双极
文献传递
有机薄膜场效应晶体管的研制
在这个研究中, 我们采用并五苯作有源层、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)做栅绝缘层,利用全蒸镀法制备了有机薄膜场效应晶体管。源极和漏极采用氧化铟锡,半导体层和绝缘层分别由并五苯和PMMA充当,栅极采用铝电极。利用光刻制备沟道...
张宏梅石家纬王伟梁昌全宝富刘明大郭树旭
关键词:有机薄膜场效应晶体管
文献传递
易于集成的有机薄膜场效应晶体管的制备被引量:3
2005年
用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像素(有机发光二极管(OLED))集成在同一个透明的刚性或者柔性衬底上。研究了有机薄膜场效应晶体管的源漏接触电阻和沟道电阻对器件性能的影响,结果表明接触电阻是影响器件性能的主要因素。在透明的玻璃衬底上实现了有机薄膜场效应晶体管对同一衬底上100μm×200μm红色有机发光二极管的驱动。
王伟石家纬郭树旭全宝富刘明大张宏梅梁昌张素梅游汉马东阁
关键词:光电子学并五苯有机薄膜场效应晶体管
蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管被引量:4
2007年
以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。
王伟石家纬郭树旭刘明大张宏梅梁昌全宝富马东阁
低电压并五苯薄膜场效应晶体管被引量:1
2004年
利用全蒸镀法,以并五苯作为有源层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为绝缘层,制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT).测试结果表明,器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率.对工作机理进行了探讨.
王伟石家纬张宏梅梁昌全宝富郭树旭刘明大方俊峰马东阁
关键词:聚甲基丙烯酸甲酯场效应迁移率
共1页<1>
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