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石家纬: 作品数：91 被引量：162H指数：9; 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金吉林省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术建筑科学更多>>

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大功率量子阱远结半导体激光器被引量：1: 2000年; 通过将下波导层掺杂为p型 ,使半导体激光器的有源区与pn结分离 ,制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势。理论分析表明 ,远结半导体激光器特殊的外延结构 ,决定了器件的阈值比正常器件的高 ,但是阈值受温度的影响较小 ,并且器件的退化机制转变为pn结的退化 ,这对于制作高可靠性、长寿命、低温度敏感性的半导体激光器具有重要意义。; 齐丽云石家纬李献杰李红岩刘雨微张素梅刘明大高鼎三; 关键词：半导体激光器阈值电流

一个检测半导体激光器质量的有效方法被引量：9: 1996年; 对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选．; 石家纬金恩顺李红岩李正庭郭树旭高鼎三余金中郭良; 关键词：半导体激光器 INGAASP INP 激光器

微腔反射率对有机电致发光器件性能的影响: 2006年; 有机电致发光器件的法布里-珀罗(Fabry-Perot)谐振腔的光学微腔效应,导致在一定波长处的发射峰强度增强、宽度压窄、发光性能得到改善,因而在有机彩色显示中受到人们的重视。设计了具有不同反射率的两种分布布拉格反射镜(DBR:D istributed B ragg Reflectors),用8羟-基喹啉铝(A lq3)作为电子传输/发光层,N,N′-双(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺(NPB)作为空穴传输层,通过DBR与金属电极反射镜构成法布里-珀罗谐振腔制成了微腔有机发光二极管(MOLED:M icrocavity O rgan ic L ight-Em ittingD iode),详细研究了介质镜(DBR)的反射率、金属镜和有机层的厚度对电致发光效率、发光波长以及光谱半高宽的影响。研究发现,高反射率的DBR虽然可以实现窄的光谱发射,但器件的电致发光效率大大降低,而低反射率的DBR有利于实现单模发射,并且具有较高的电致发光效率,经金属镜和有机层厚度优化后的最大电致发光效率达到了8.3 cd/A,是高反射率DBR微腔器件的6.4倍。; 张宏梅游汉石家纬王伟马东阁谢静; 关键词：有机电致发光微腔分布布拉格反射

控制界面态减少表面可动电荷降低晶体管的电噪声被引量：1: 2005年; 通过对比2688B,2688S,26883种工艺技术生产的彩色电视机高频视放晶体管的CB和电噪声谱密度S(f),论述了界面态和表面可动电荷能够引起晶体管表结反向漏电流Ivcbcbo面漏电流,从而使器件产生电噪声,并间接影响到反向击穿电压、小电流放大系数等参数.实验表明,采用合适的表面钝化技术,可有效控制晶体管的表面漏电流,降低晶体管的电噪声,使器件的可靠性、稳定性及其使用寿命得到提高.; 石英学李靖郭树旭张素梅王雪丹石家纬; 关键词：噪声可靠性晶体管

窗口吸收区结构超辐射发光二极管的优化设计与特性研究: 1996年; 本文从理论上对1.3μm InGaAsP/InP 窗口吸收区结构超辐射发光二极管进行了优化设计.并在考虑增益饱和和热效应的条件下,用耦合速率方程模拟计算了该结构超辐射发光二极管的功率输出特性.分析研究了窗口区长、泵浦区长、有源层厚度和输出腔面反射率对其输出特性的影响.研究结果表明,由于窗口吸收区的有效散射和吸收,很好地抑制了F-P 受激振荡,可用于实现高性能超辐射发光二极管.; 马东阁石家纬刘明大高鼎三; 关键词：超辐射发光二极管半导体

半导体激光器的电导数测试和可靠性分析被引量：1: 1993年; 采用电导数测量技术,测量了质子轰击型GaAs/GaAlAs激光器的器件参数,探讨了这些参数与半导体激光器可靠性的关系.; 金恩顺石家纬马靖李正庭高鼎三; 关键词：半导体激光器可靠性

微腔有机发光二极管被引量：12: 2000年; 设计了由分布布拉格反射镜 (DBR)和金属反射镜面形成的微腔结构。利用 8-羟基喹啉铝 (Alq3)作为电子传输层兼作发光层 ,TPD作为空穴传导层 ,制成了有机发光二极管(OLED)和微腔有机发光二极管 (MOLED)。发现MOLED的光谱半宽比OLED的窄得多 ,而光密度则得到了增强。对腔长进行调节 ,MOLED光谱峰出现移动。实验结果与理论计算基本符合。; 刘明大石家纬李永军陆羽杨洪军缪同群金恩顺; 关键词：有机发光二极管微腔电致发光

小波变换用于半导体激光器可靠性分析被引量：13: 2004年; 应用小波变换奇异性检测原理 ,对近百只半导体激光器 (L D)输出 I- V特性进行小波变换 ,通过不同尺度下的变换系数 ,能够真实、准确地测量和计算半导体激光器的阈值电流以及与可靠性相关的一些参数 ,模极大值 WM2 j,结特征参量 m等。利用这些计算和测量参数 ,可以直观地比较和判别出半导体激光器的性能优劣及可靠性 ,与电导数法相结合 ,可方便、准确、快捷地对器件性能和可靠性进行评估筛选。理论与实验表明 ,利用小波变换进行半导体激光器的可靠性分析与传统方法相比具有独到之处。; 林虎郭树旭赵蔚张素梅石家纬; 关键词：激光技术可靠性半导体激光器小波变换奇异性检测

808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性: 介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性，测试了器件的低频电噪声，讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明，808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低，其...; 胡贵军石家纬张素梅齐丽云李红岩; 关键词：半导体激光器高功率噪声; 文献传递