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栾兰

作品数：3 被引量：8H指数：2
供职机构：东北微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇版图
  • 2篇版图设计
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇选择比
  • 1篇选择性
  • 1篇栅极
  • 1篇频率合成器
  • 1篇专用集成电路
  • 1篇小数分频
  • 1篇小数分频频率...
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇抗干扰
  • 1篇刻蚀
  • 1篇高选择性
  • 1篇合成器
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀

机构

  • 3篇东北微电子研...

作者

  • 3篇栾兰
  • 2篇王雪峰
  • 2篇高东岳
  • 1篇李莹
  • 1篇郭常厚
  • 1篇张斌

传媒

  • 3篇微处理机

年份

  • 3篇2003
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
小数分频频率合成器专用集成电路的研制被引量：2
2003年
本文介绍了小数分频频率合成器的工作原理及设计方法。小数分频技术是频率合成中的新技术。这种技术的特点是使单环锁相频率合成器的平均分频比变为小数。
栾兰王雪峰高东岳
关键词：小数分频频率合成器专用集成电路抗干扰版图设计
高选择性的SiO_2/Si干法腐蚀工艺被引量：6
2003年
高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位。本文通过大量实验研究出了一种以 CHF3和 SF6 作为主要进给气体 ,通过调节 CHF3和 SF6 的流量来相应地控制等离子体中有效的 F∶ C比率从而实现较高的腐蚀选择比或较高的腐蚀速率。
高东岳李莹郭常厚栾兰
关键词：高选择性大规模集成电路反应离子刻蚀选择比单晶硅半导体加工
SOI电路的研制
2003年
本文介绍了 SOI晶体管的结构和特点 ,并对体硅 CMOS电路和 SOI CMOS电路在工艺及版图设计上进行了比较。
栾兰王雪峰张斌
关键词：版图设计栅极CMOS电路
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