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李莹

作品数：2 被引量：6H指数：1
供职机构：东北微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇大规模集成电...
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇选择比
  • 1篇选择性
  • 1篇芯片
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇高选择性
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基薄膜
  • 1篇硅芯片
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体加工
  • 1篇超大规模集成
  • 1篇超大规模集成...

机构

  • 2篇东北微电子研...

作者

  • 2篇李莹
  • 2篇高东岳
  • 1篇栾兰
  • 1篇郭常厚
  • 1篇李建宏

传媒

  • 2篇微处理机

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高选择性的SiO_2/Si干法腐蚀工艺被引量：6
2003年
高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位。本文通过大量实验研究出了一种以 CHF3和 SF6 作为主要进给气体 ,通过调节 CHF3和 SF6 的流量来相应地控制等离子体中有效的 F∶ C比率从而实现较高的腐蚀选择比或较高的腐蚀速率。
高东岳李莹郭常厚栾兰
关键词：高选择性大规模集成电路反应离子刻蚀选择比单晶硅半导体加工
硅基薄膜MCM工艺
2002年
薄膜 MCM工艺是一种新兴的芯片安装工艺 ,它具有提高系统速度、降低系统体积及成本等优点。本文着重叙述了硅基薄膜 MCM工艺的工艺流程、工艺要点及工艺中通常应该注意的一些问题。
李莹高东岳李建宏
关键词：超大规模集成电路硅芯片
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共1页<1>
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