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柴淑敏: 作品数：17 被引量：5H指数：1; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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0.25μm SOI RF nMOSFETs Depleted Partially: 2004年; Device structure and fabrication process of SOI nMOSFET depleted partially are p roposed for multi-gigahertz RF applications.Many advanced techniques for deep submiron MOSFETs are incorporated into the proposed device.Main steps and condit ions in process are given in details,with simulation and optimization by using t he process simulator,Tsuprem4.Experiment results of 0.25μm SOI RF nMOSFET are i n consistence with simulated ones,and excellent or acceptable parameters of devi ce performance are obtained for multi-gigahertz RF applications.; 李俊峰杨荣赵玉印柴淑敏刘明徐秋霞钱鹤; 关键词：STRUCTURE PROCESS EXPERIMENT

WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性被引量：1: 1990年; 本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,经800℃快速热退火后,WN_x/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.79ev,理想因子为1.19。在自对准GaAs MESFET工艺中,WN_x是一种好的栅材料。; 张利春高玉芝宁宝俊方克微汪锁发柴淑敏; 关键词：砷化镓肖特基势垒溅射

厚铝的高精度干法刻蚀方法: 一种用于厚铝的高精度干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在表面覆盖有绝缘介质的硅片上，依次溅射一层金属铝层、淀积一层二氧化硅层和旋涂一层光刻胶层；步骤2：光刻铝版，显影露出待刻蚀区域的二氧化硅层；步骤3：反应...; 杨荣李俊峰柴淑敏赵玉印蒋浩杰钱鹤; 文献传递

一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法: 一种HfLaON栅介质/TaN金属栅集成结构的制备方法，步骤为：(1)在常规清洗后，在氢氟酸/异丙醇/水溶液中浸泡，以抑制颗粒和自然氧化物的生长；(2)紧接着用RTA生长超薄界面氧化层SiOx或氮氧化层SiON；(3)采...; 徐秋霞许高博柴淑敏

采用电子束/I线混合光刻技术制备0.25微米射频SOI NMOS器件的研究: 该项研究基于中科院微电子中心深亚微米硅工艺平台,采用了电子束和I线混合光刻加工技术,成功的试制了0.25um SOI NMOS射频器件,阈值电压0.4-0.45伏,沟道导通跨导Gm为195-200ms/mm,特征频率为1...; 李俊峰赵玉印柴淑敏刘明徐秋霞钱鹤; 关键词：射频 SOI 电子束光刻技术; 文献传递

一种钴－自对准硅化物的方法: 一种钴—自对准硅化物的方法,本方法具有五个步骤:步骤1:采用钴/钛/硅固相反应结构;步骤2:采用氢氟酸/异内醇溶液的清洗;步骤3:采用溅射钴/钛膜前的真空腔内退火处理;步骤4:低应力双层钴/钛复合膜的溅射;步骤5:钴—自...; 徐秋霞钱鹤季红浩柴淑敏; 文献传递

亚微米CMOS/SIMOX器件与电路研究: 海潮和韩郑生刘新宇陈焕章户焕章周小茵刘忠立李俊峰于雄飞孙海峰柴淑敏郝秋华邢孝平侯瑞兵高文方孙宝刚周锁京赵立新于萍; 主要研究了部分耗尽型亚微米CMOS/SOI器件特性；浮体SOI器件和体源短接时两种结构性能对比，（包括直流特性和高频特性）以及薄膜全耗尽器件的栅电极工程等。研制成功性能优良的部分耗尽及薄膜全耗尽CMOS器件。并形成了一整...; 关键词：; 关键词：CMOS SOI SRAM

采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法: 一种采用锗或锑预无定形注入及清洗硅化物的方法,包括如下步骤;步骤1:在源/漏结形成后、溅钛前,对整个硅片采用锗或锑的预无定形注入的方法来促进相转移;步骤2:溅钛前,对硅片进行清洗处理;步骤3:溅钛前进行真空腔内预退火处理...; 徐秋霞钱鹤柴淑敏邢小平; 文献传递

一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺: 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺，其主要步骤是清洗、真空退火处理、溅射Ni薄膜、溅射TiN薄膜、快速热退火、选择腐蚀、玻璃淀积、接触孔形成和金属化。本发明在Ni膜上加一盖帽层氮化钛，形成TiN/Ni/Si结构，同时改进...; 徐秋霞王大海柴淑敏; 文献传递

采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法: 一种采用锗或锑预无定形注入及清洗硅化物的方法，包括如下步骤：步骤1：在源/漏结形成后、溅钛前，对整个硅片采用锗或锑的预无定形注入的方法来促进相转移；步骤2：溅钛前，对硅片进行清洗处理；步骤3：溅钛前进行真空腔内预退火处理...; 徐秋霞钱鹤柴淑敏邢小平; 文献传递