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杨勇

作品数:15 被引量:12H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家部委资助项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇脉冲
  • 5篇等离子体
  • 3篇等离子体波
  • 3篇圆筒形
  • 3篇外环
  • 3篇无氧铜
  • 3篇脉冲源
  • 3篇功率
  • 3篇管壳
  • 3篇管芯
  • 3篇半导体
  • 3篇超薄
  • 3篇超薄型
  • 3篇高功率
  • 2篇亚纳秒
  • 2篇粘合
  • 2篇粘合胶
  • 2篇粘贴工具
  • 2篇限位
  • 2篇脉冲开关

机构

  • 15篇中国电子科技...
  • 2篇中国工程物理...

作者

  • 15篇杨勇
  • 13篇崔占东
  • 12篇刘忠山
  • 9篇刘英坤
  • 5篇马红梅
  • 2篇陈洪斌
  • 2篇许洋
  • 1篇谭科民
  • 1篇梁勃

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇国防制造技术
  • 1篇2010年全...
  • 1篇第九届中国国...

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2013
  • 5篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
脱硫脱硝和工业除尘的高压电源
现代社会离不开电,燃煤火力发电是电力主要来源之一,燃煤产生的硫化物、氮氧化物和烟尘对人类生存环境,为此研究了各种脱硫脱销和除尘的技术,脉冲电晕法结合氨法脱硫脱销技术是一种新型高效的环保技术,脉冲电晕法的技术核心之一是快速...
崔占东许洋杨勇
关键词:脱硫脱硝高压电源脉冲开关
漂移阶跃恢复二极管及其制备方法
本发明提供了一种纳秒脉冲源器件中的作为开关使用的漂移阶跃恢复二极管及其制备方法。基底为N型衬底(1),在N型衬底(1)内部通过掺杂形成有掺磷的N<Sup>+</Sup>区(1-1)、掺铝的P区(1-3)、掺硼的P<Sup...
刘忠山杨勇崔占东
文献传递
超快速高压雪崩三极管器件研制被引量:6
2009年
采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压400V,脉冲电流达80A的雪崩三极管器件并已投入批量生产。给出了雪崩三极管MARX使用电路及测试结果,重复频率可达400kHz。器件采用金属管壳片式封装,具有可靠性高、易于级联使用等优点。
刘忠山杨勇马红梅刘英坤崔占东
关键词:雪崩三极管二次击穿负阻MARX电路超宽带
新型亚纳秒高功率半导体开关器件被引量:2
2009年
介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件——快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理。采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件。FID器件采用无感裸芯片封装技术,寄生参数小。单个FID器件工作电压>2kV,导通时间<1ns,工作电流高达10kA,抖动<20ps,di/dt超过100kA/μs,重复频率400kHz。具有极易串并联、导通触发脉冲可同步产生、工作特性高度稳定、体积小、重量轻等优点,FID可与DSRD组合应用,当采用MARX电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。FID器件脉冲发生器具有广阔的应用前景。
刘忠山杨勇马红梅刘英坤崔占东
关键词:等离子体波亚纳秒
新型快速高功率半导体开关器件及其应用技术
简要介绍了常用脉冲开关在现代脉冲功率技术中的局限性,重点介绍了几种新型Si等离子体波半导体开关器件(RSD,DBD,FID,DSRD,SOS)的工作原理和应用技术。给出了目前达到的器件水平,并介绍了国内外基于这些器件的脉...
刘忠山杨勇崔占东刘英坤
关键词:等离子体波脉冲源
文献传递
特种快速大功率半导体切断开关的研制被引量:2
2009年
介绍了大功率半导体切断开关(SOS)的工作原理和研制结果。面积为0.28cm2的开关(59只串联)在300Hz连续工作模式中,切断电流为1.9kA,电流切断时间为9.56ns;在1000Hz猝发工作模式中,切断电流为1.73kA,电流切断时间为10.86ns;在负载为470Ω的耐压试验中,开关输出的高压窄脉冲的幅值为270kV,宽度约为10ns。
杨勇刘英坤崔占东刘忠山马红梅陈洪斌
关键词:连续工作模式
磁膜粘贴工具
本实用新型提供了一种磁膜粘贴工具,包括支架、第一滚筒、第二滚筒及第三滚筒;第一滚筒与支架连接,第一滚筒的长度大于磁膜的宽度;第二滚筒与支架连接,且位于第一滚筒的行走方向的一侧,直径小于第一滚筒的直径;第三滚筒与支架连接,...
杨勇
文献传递
新型亚纳秒切断半导体开关器件研制被引量:3
2010年
介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,脉冲峰值功率可达80 kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性高、使用寿命长、脉冲重复频率高、输出波形稳定等特点。当采用器件串联电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。采用该器件制作的脉冲发生器在国防、医疗等领域具有广阔的应用前景。
马红梅刘忠山杨勇刘英坤崔占东
关键词:等离子体脉冲开关脉冲发生器
新型快速高功率半导体开关器件及其应用技术
简要介绍了常用脉冲开关在现代脉冲功率技术中的局限性,重点介绍了几种新型Si等离子体波半导体开关器件(RSD,DBD,FID,DSRD,SOS)的工作原理和应用技术。给出了目前达到的器件水平,并介绍了国内外基于这些器件的脉...
刘忠山杨勇崔占东刘英坤
关键词:半导体开关脉冲等离子体波
文献传递
超薄型管壳
本实用新型公开了一种超薄型管壳,包括上盖、定位件、底座和圆形的厚银片,上盖包括外环片和圆盘形的无氧铜盘,外环片与无氧铜盘的边缘连接,底座包括环形金属片、圆筒形的外壳、圆环形的边沿和底块,边沿固定于外壳的顶端,环形金属片的...
杨勇刘忠山崔占东刘英坤尹启堂史姝岚
文献传递
共2页<12>
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