李成基
- 作品数：48 被引量：43H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 激光原子力显微镜及其对光学材料表面的观察
- ＜正＞ 自1985年Binnig等人发明第一台原子力显微镜以来（简称AFM）,AFM得到了迅速发展。它利用力敏感元件微悬臂的尖端作为探针,当针尖与样品非常接近时,它们之间的原子斥力使微悬臂发生偏转,用电学或光学的方法将这...
- 钱建强高崧于劲李成基商广义贺节姚骏恩
- 文献传递
- 磁场中生长砷化镓的阴极荧光形貌与低温阴极荧光光谱的研究
- 从熔体中生长砷化镓时，由于重国引起的热对流，往往在晶体中会产生杂质条纹影响材料的质量，在消除杂质条纹的措施中，除在空间微重力这一理想条件外，在磁场中生长砷化镓晶体已被证明是一个行之有效的方法，在观察杂质条纹的技术中，除传...
- 李成基李韫言王万年
- 关键词：砷化镓磁场荧光光谱
- 文献传递
- 高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量
- 2008年
- 对水热法生长的高阻ZnO单晶在进行热激电流(TSC)和热电效应谱(TEES)测量的同时,也进行了的热激发光(TL)的测量。在80～400K的温度范围内,测出多达13个深能级,热激电流所测的深能级大部分为空穴陷阱。热激电流与热激发光的温度谱有很大差别,呈互补行为,可能是非平衡载流子在不同的温度下其寿命不同所致。
- 李成基李弋洋曾一平
- 关键词：热激电流深能级
- 高阻GaN薄膜电阻率测量
- 建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起...
- 方测宝李晋闽王晓亮肖红领王翠梅冉军学李成基罗卫军杨翠柏曾一平
- 关键词：电阻率测量环境温度漏电流
- 文献传递
- 中子辐照高阻硅中深能级缺陷的检测与分析
- 李成基李韫言王万年
- 关键词：中子辐照高阻硅深能级缺陷
- 文献传递网络资源链接
- 掺In半绝缘GaAs衬底上外延GaAs的晶格失配研究
- 1989年
- 本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结果表明,当衬底中In组分x<0.004时,外延层失配应力主要由弹性形变调节,不出现失配位错,并可得到很好的表面形貌;当x≥0.006时,外延层产生失配位错,失配应力主要由失配位错调节,液相外延层表面出现沿[110]和[110]方向的十字网络.当外延层产生范性形变时衬底中的临界In组分x_c在0.004和0.006之间.
- 杨保华王玉田李成基何宏家王占国林兰英
- 关键词：GAASLPE晶格失配
- 一种简易的4.2K低温样品架及其应用
- 1989年
- 利用聚四氟乙烯管与不锈钢波纹管组成的具有同轴结构的低温样品架,在扫描电镜中,能作三维自由移动。在流动液氦的冷却下,一分多钟的时间内即可由室温降到4.2K。在6K时,液氦的消耗量为1升/小时。已成功地用于半导体的低温阴极荧光与束感生电流的测量。
- 李成基
- 关键词：半导体器件SEM
- 纳米级分辨的光子扫描隧道显微镜的应用研究被引量：4
- 1994年
- 本文对光子扫描隧道显微镜（ＰＳＴＭ）显微成像机理、成像规律做了较为系统的论述，针对具体的物理模型进行数值模拟计算，得到了与实际探测相一致的场分布规律。采用自行研制的ＰＳＴＭ的显微实验系统对多种样品进行了表面显微成像研究，获得了关于样品表面三维立体图像信息。通过多种图像处理手段对原始图像进行后期处理，得到了更具视觉效果、更为逼真的样品表面图像，为其广泛的应用奠定了技术基础。
- 郭宁吴世法夏德宽初世超徐绍华高崧姚骏恩商广义李成基贺节
- 关键词：纳米级
- 中子辐照高阻硅中深能级缺陷的检测与分析
- 李成基李韫言王万年
- 关键词：中子辐照高阻硅深能级缺陷
- 半绝绝砷化镓电阻率均匀性的三电极技术测量
- 李韫言李成基
- 关键词：半绝缘体电阻率砷化镓第三电极半导体材料
