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李德尧

作品数：43 被引量：21H指数：2
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 6篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 15篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 28篇激光
  • 28篇激光器
  • 13篇半导体
  • 12篇发光
  • 12篇半导体激光
  • 12篇半导体激光器
  • 12篇波导
  • 7篇氮化镓
  • 7篇多量子阱
  • 7篇二极管
  • 7篇发光二极管
  • 6篇输出功率
  • 6篇阻挡层
  • 6篇铟镓氮
  • 5篇电子阻挡层
  • 4篇电阻
  • 4篇叠层
  • 4篇制法
  • 4篇热沉
  • 4篇量子

机构

  • 43篇中国科学院
  • 3篇中国科学技术...

作者

  • 43篇李德尧
  • 40篇杨辉
  • 40篇刘建平
  • 39篇张立群
  • 39篇张书明
  • 13篇池田昌夫
  • 10篇周坤
  • 8篇张峰
  • 7篇冯美鑫
  • 6篇孙钱
  • 4篇程洋
  • 3篇张涛
  • 3篇杨辉
  • 3篇刘建平
  • 3篇刘建平
  • 3篇杨辉
  • 2篇李增成
  • 2篇周宇
  • 2篇朱建军
  • 2篇张峰

传媒

  • 2篇第13届全国...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光子学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 6篇2020
  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 11篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化镓基激光器的光学损耗研究
光学损耗是表征激光器性能的重要参数，对激光器的阈值电流、斜率效率有直接的影响。测量激光器的光学损耗对于激光器的研究具有巨大的推动作用。
程洋刘建平李德尧周坤张峰范晓望池田昌夫张书明张立群杨辉
关键词：氮化镓激光器
GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层...
孙钱冯美鑫周宇杨辉池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群
文献传递
具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法
本发明公开了一种具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法。该器件包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替生长的复数铟镓氮层，并且在所述多量子阱结构中不同量子垒层中的平均铟含量由P型侧向N型侧逐渐降低，而至少一...
张峰池田昌夫周坤刘建平张书明李德尧张立群杨辉
文献传递
绿光激光器InGaN量子阱有源区trench缺陷研究
田爱琴刘建平张立群黄思溢周伟池田昌夫张书明李德尧张峰温鹏雁杨辉
半导体激光器的缺陷识别方法
本发明提供了一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图；根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息和/或缺陷分布信息。本发明还提供了另一种半导体激光器的...
李德尧温鹏雁黄思溢张立群刘建平张书明杨辉
InAlGaN系列合金材料的制备方法
本发明提供了一种InAlGaN系列合金材料的制备方法，包括如下步骤：在H<Sub>2</Sub>载气下控制温度为1000～1100℃，在衬底上生长第一非掺杂层；在载气下控制温度为1000～1100℃，在所述第一非掺杂层上...
张峰池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群孙钱杨辉
文献传递
InGaN单层的生长与光学性质研究
本文从质量输运角度出发研究了MOCVD生长的应变InGaN单层(30nm)的光学质量与其生长速率和温度的关系.在680-740℃温度范围内,随着温度的升高,InGaN的生长从质量输运控制区转向解吸附控制区,如图1插图所示...
周坤池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群杨辉
具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法
本发明公开了一种具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法。该发光二极管包括依次层叠的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，所述多量子阱结构层包含交替层叠的复数铟镓氮阱层和复数铟镓氮垒层，并且各铟镓氮垒层中...
周坤池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群杨辉
文献传递
FP腔GaN基激光器及其制作方法
本发明公开了一种FP腔GaN基激光器及其制作方法。所述激光器的p型表面是不具有脊型结构的平整表面，所述激光器的外延结构包括依次叠层设置的第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层以及接触层，所述...
张琪张书明李德尧刘建平张立群杨辉
文献传递
氮化物超辐射发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种氮化物超辐射发光二极管（SLD），包括衬底以及外延结构层，所述外延结构层包括依次形成于衬底上端面的缓冲层、下光学限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和电极接触层，其中所述衬底下端面...
孙逸孙钱刘建平张书明张立群李德尧杨辉
文献传递
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