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张立群

作品数：47 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 10篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 19篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 30篇激光
  • 30篇激光器
  • 14篇半导体
  • 13篇半导体激光
  • 13篇半导体激光器
  • 13篇波导
  • 12篇发光
  • 9篇多量子阱
  • 7篇氮化镓
  • 7篇二极管
  • 7篇发光二极管
  • 6篇阻挡层
  • 6篇阈值电流
  • 6篇铟镓氮
  • 6篇GAN
  • 5篇电子阻挡层
  • 5篇电阻
  • 5篇GAN基激光...
  • 4篇叠层
  • 4篇制法

机构

  • 47篇中国科学院
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇上海大学

作者

  • 47篇张立群
  • 40篇张书明
  • 38篇李德尧
  • 37篇杨辉
  • 37篇刘建平
  • 12篇池田昌夫
  • 10篇周坤
  • 7篇冯美鑫
  • 7篇张峰
  • 6篇孙钱
  • 5篇杨辉
  • 4篇程洋
  • 3篇刘建平
  • 2篇杨辉
  • 2篇刘建平
  • 2篇江德生
  • 2篇李增成
  • 2篇赵德刚
  • 2篇周宇
  • 2篇朱建军

传媒

  • 2篇第十五届全国...
  • 2篇第13届全国...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇中国激光
  • 1篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇第十届全国M...
  • 1篇二〇〇八年激...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 7篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 11篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体激光器的缺陷识别方法
本发明提供了一种半导体激光器的缺陷识别方法，其包括：获取半导体激光器在老化过程中的电容和频率的第一关系曲线图；根据所述第一关系曲线图获取所述半导体激光器的缺陷能级信息和/或缺陷分布信息。本发明还提供了另一种半导体激光器的...
李德尧温鹏雁黄思溢张立群刘建平张书明杨辉
InAlGaN系列合金材料的制备方法
本发明提供了一种InAlGaN系列合金材料的制备方法，包括如下步骤：在H<Sub>2</Sub>载气下控制温度为1000～1100℃，在衬底上生长第一非掺杂层；在载气下控制温度为1000～1100℃，在所述第一非掺杂层上...
张峰池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群孙钱杨辉
文献传递
InGaN单层的生长与光学性质研究
本文从质量输运角度出发研究了MOCVD生长的应变InGaN单层(30nm)的光学质量与其生长速率和温度的关系.在680-740℃温度范围内,随着温度的升高,InGaN的生长从质量输运控制区转向解吸附控制区,如图1插图所示...
周坤池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群杨辉
具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法
本发明公开了一种具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法。该发光二极管包括依次层叠的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，所述多量子阱结构层包含交替层叠的复数铟镓氮阱层和复数铟镓氮垒层，并且各铟镓氮垒层中...
周坤池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群杨辉
文献传递
FP腔GaN基激光器及其制作方法
本发明公开了一种FP腔GaN基激光器及其制作方法。所述激光器的p型表面是不具有脊型结构的平整表面，所述激光器的外延结构包括依次叠层设置的第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层以及接触层，所述...
张琪张书明李德尧刘建平张立群杨辉
文献传递
氮化物超辐射发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种氮化物超辐射发光二极管（SLD），包括衬底以及外延结构层，所述外延结构层包括依次形成于衬底上端面的缓冲层、下光学限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和电极接触层，其中所述衬底下端面...
孙逸孙钱刘建平张书明张立群李德尧杨辉
文献传递
用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法
本发明公开了一种用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层，其包括：衬底；在所述衬底上的缓冲层；在所述缓冲层上的不掺杂的u型GaN层；在所述u型GaN层上的p型AlGaN厚层；在所述p型AlGaN厚层上的Al组分渐变的p型A...
田爱琴刘建平池田昌夫张书明李德尧张立群杨辉
文献传递
多脊型半导体激光器及其制作方法
本发明公开了一种多脊型半导体激光器及其制作方法，所述多脊型半导体激光器包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊型半导体层，所述脊型半导体层包括多个脊型部，所述多脊型半导体激光器还包括多个顶电极，所述...
温鹏雁张书明刘建平黄思溢李德尧张立群杨辉
文献传递
InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法
本发明公开了一种InGaN/GaN量子阱激光器，其包括：衬底；依序在衬底上的低温GaN缓冲层、高温n型GaN层和n型AlGaN光限制层；在n型AlGaN光限制层上的n型InGaN下波导层；在n型InGaN下波导层上的In...
田爱琴刘建平张书明李德尧张立群杨辉
文献传递
低补偿p型GaN的变温霍尔研究
本文利用变温霍尔测试研究了MOCVD生长GaN∶Mg样品的电学特性,并对空穴浓度随温度的变化进行了理论拟合,研究结果表明生长的GaN∶Mg样品的施主受主补偿比很低,接近0％,认为低补偿比是由于样品中的C杂质浓度较低.
田爱琴张书明李德尧张立群杨辉刘建平池田昌夫李增成冯美鑫周坤温鹏雁张峰胡威威
关键词：电学特性补偿比
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