张运炎
- 作品数：11 被引量：15H指数：3
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省战略性新兴产业专项国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- Ⅲ族氮化物半导体材料双波长发光二极管的研究
- Ⅲ族氮化物半导体近年来被大量研究,因其优异的材料特性成为目前主流材料之一,被广泛地应用于发光二极管(LED)、半导体激光器、太阳能电池等方面。Ⅲ族氮化物半导体LED是21世纪最具发展前景的高技术照明光源。作为新型高效固体...
- 张运炎
- 关键词：半导体材料氮化镓多量子阱
- 量子阱垒层掺杂变化对双波长LED调控作用研究
- 2012年
- 采用APSYS软件研究了InGaN/GaN量子阱垒层掺杂变化对双波长发光二极管发光光谱的调控问题.在不同掺杂类型和浓度下对器件电子空穴浓度分布、载流子复合速率、能带结构、发光光谱进行分析,结果表明,调节最了阱垒层n型和p型的掺杂浓度可以精确而有效地根据需要调控发光光谱,解决发光光谱调控难的问题.这些现象归因于掺杂的量子阱垒层对电子空穴分布的调控作用.
- 刘小平范广涵张运炎郑树文龚长春王永力张涛
- 关键词：数值模拟
- 渐变型量子阱垒层厚度对GaN基双波长发光二极管发光特性调控的研究被引量：1
- 2012年
- 采用软件理论分析的方法对渐变型量子阱垒层厚度的InGaN双波长发光二极(LED)的载流子浓度分布、能带结构、自发发射谱、内量子效率、发光功率及溢出电子流等进行研究.分析结果表明,增大量子阱垒层厚度会影响空穴在各量子阱的注入情况,对双波长LED各量子阱中空穴浓度分布的均衡性及双波长发光光谱的调控起到一定作用,但会导致内量子效率严重下降;而当以特定的方式从n电极到p电极方向递减渐变量子阱垒层厚度时,活性层量子阱的溢出电子流得到有效的控制,双发光峰强度达到基本一致,同时芯片的内量子效率下降得到了有效控制,且具备大驱动电流下较好的发光特性.
- 陈峻范广涵张运炎
- 关键词：GAN内量子效率
- 量子阱数量变化对双波长LED作用的研究被引量：3
- 2011年
- 采用软件理论分析的方法分析了InGaN/GaN量子阱数量变化对双波长发光二极管发光光谱、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等产生的影响.分析结果表明,量子阱数量的增加会引起载流子分配不均的现象,所以量子阱数量的增加并不能有效地提升载流子复合率、内量子效率和发光强度,还会引起开启电压升高的现象,影响能量转化效率.此外,不同发光波长的量子阱数量的增加会引起发光光谱强度的变化.
- 张运炎范广涵
- 关键词：数值模拟
- 量子阱数量变化对InGaN/AlGaN LED的影响被引量：5
- 2012年
- 采用软件理论分析的方法分析了InGaN/AlGaN量子阱数量变化对发光二极管内量子效率、电子空穴浓度分布、载流子溢出产生的影响。分析结果表明:量子阱的个数不是越多越好,LED的光学性质和量子阱的个数并不成线性关系。量子阱个数太少时,电流溢出现象较明显;而当量子阱个数太多时,极化现象明显,且会造成材料浪费。因此应根据工作电流选择合适的量子阱个数。
- 宋晶晶张运炎赵芳郑树文范广涵
- 关键词：数值模拟INGAN大功率
- 掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究被引量：1
- 2011年
- 采用软件理论分析的方法对p型及n型掺杂的GaN间隔层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,掺杂的GaN间隔层的引入,可以有效地控制各阱中的电子或空穴浓度,很好地解决了双波长发光二极管中两种阱发光强度不均的问题,并且通过控制阻挡层的厚度,可以调控两种阱中的载流子浓度,从而调控发光峰的相对强度.这些可以归因于掺杂GaN间隔层对电子或空穴的阻挡作用.
- 张运炎范广涵章勇郑树文
- 关键词：GAN间隔层数值模拟
- 具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED(英文)被引量：5
- 2013年
- 对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对研究。研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效率。
- 赵芳张运炎宋晶晶丁彬彬范广涵
- 关键词：发光二极管数值模拟
- 不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究被引量：1
- 2011年
- 采用软件理论分析的方法对不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对发光光强、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等作用进行模拟分析.分析结果表明,p型掺杂的GaN间隔层与量子阱垒层的引入同不掺杂和n型掺杂两种类型比较,可以大大减少溢出电子流,极大地提高各量子阱内空穴浓度,提高双波长发光二极管的发光强度,极大的改善内量子效率随电流增大而下降问题.
- 张运炎范广涵
- 关键词：GAN数值模拟
- 一种LED照明灯
- 本实用新型提供了一种LED照明灯，包括电路电源、LED、线路板和反光碗，线路板通过支架固定在反光碗中所述反光碗由凸面和凹面组成，反光碗的顶部中央部分为凸面，其余部分为凹面，凸面与凹面之间平滑过渡；反光碗的侧面为圆台形侧面...
- 王文丽范广涵董海平张运炎熊伟平李锐陈肇飞郑树文陈坤
- 文献传递
- 选择性p型量子阱垒层掺杂在双波长发光二极管光谱调控中的作用
- 2012年
- 采用软件理论分析的方法对选择性p型掺杂量子阱垒层在InGaN双波长发光二极管(LED)中的光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,选择性P型掺杂对量子阱中电子和空穴浓度分布的均衡性起到一定的调控作用,在适当选择p型掺杂量子阱垒层层数的条件下,能够改善量子阱中载流子的辐射复合速率,降低溢出电子浓度,从而有效提高芯片内量子效率,并减缓内量子效率随驱动电流增大而快速下降的趋势.随着活性层量子阱增加到特定数量,选择性P型掺杂的调控效果更加明显,LED芯片的双波长发光峰强度达到基本均衡.
- 陈峻范广涵张运炎
- 关键词：INGANP型掺杂数值模拟
