张成彬
- 作品数：13 被引量：39H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生更多>>
- 14位电阻网络型数模转换器设计
- 数模转换器(DACs)是数字世界和模拟世界沟通的桥梁。线性的数模转换器在很多应用范围内都是关键的模块。它们广泛应用于音频、数字通信，和其他数字模拟信号交互的应用领域。本项目主要是用于调节振荡器的拉偏范围，根据设计要求，在...
- 张成彬
- 关键词：D/A转换器电阻网络模块电路
- 文献传递
- 带隙基准电路
- 本发明提供了一种带隙基准电路，包括第一MOS管、第二MOS管、第一三极管、第二三极管、第一开关电容网络、第二开关电容网络和运算放大器，其中：第一MOS管和第二MOS管的源极均与输入电源相连，第一MOS管和第二MOS管的栅...
- 陈鸣冉雄飞周莉徐文静高岑张成彬陈杰
- 五行生克新模式探讨被引量：17
- 2012年
- 文章揭示了五行常生、常克模式的局限性:未阐明五行与阴阳的关系、五行的本质、它何以"行",不能解释五脏正常生理功能间的10对互生关系,不能解释病理情况下出现的常生两脏间互生、互克现象,不能解释病理情况下出现的常克两脏间反克关系。依七曜阴阳,天人合一,首次建立起五行(脏)生克的新模式:两行(脏)间存在互生、互克关系,其中与阴阳周期性消长演化方向一致的邻位相生,称为常生,与阴阳周期性消长演化方向一致的隔位相克,称为常克;五行(脏)间存在10对互生、10对互克关系。
- 靳九成郑陶黄建平高志远靳浩孙文栋张成彬李任
- 一种电流调制列级单斜模数转换器
- 本发明公开了一种电流调制列级单斜模数转换器，涉及模数转换器技术领域，包括反相器、电压调制器、上拉电路、下拉电路、电流电压转换电路、差分放大电路及偏置电路。本发明由于上拉电路及下拉电路与反相器完全相同，当列电路中反相器的静...
- 徐文静周莉陈杰陈鸣王琨玉张成彬
- 一种具有工艺补偿的低功耗CMOS参考电流源
- 2021年
- 为了减小工艺对电流源温度系数的影响,本文提出了一种CTAT电压产生电路,能够产生温度系数对工艺不敏感的CTAT电压;结合温度系数对工艺不敏感的片上电阻,设计了一种具有工艺补偿的参考电流源.参考电流源电路基于0.18μm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V,版图面积为100μm*130μm.后仿真结果表明,tt工艺角下输出参考电流为32.5 nA,整个参考电流源电路消耗电流162 nA;在-40-125°C温度范围内,tt、ff和ss工艺角下的温度系数分别为39 ppm/℃、45 ppm/℃和35 ppm/℃.
- 李阳军杨艳军陈鸣张成彬
- 关键词：CMOS低功耗
- 一种电压调制列级单斜模数转换器
- 本发明公开了一种电压调制列级单斜模数转换器，涉及模数转换器技术领域，包括偏置电源、斜坡发生器、第一电容电路、第二电容电路、第一反相器、复位开关、N位计数器及N位寄存器，N为正整数。本发明通过反相器结构实现列级单斜模数转换...
- 徐文静周莉陈杰陈鸣王琨玉张成彬
- 一种低压高PSRR电流模带隙基准电压源的设计
- 2024年
- 阐述一种改进型电流模带隙基准,通过改变传统结构中电流镜的比例,显著地提高了基准电压的PSRR。采用55nm CMOS工艺同时设计了这两种带隙基准电路,电源电压均为1.2V,输出基准电压为0.6V。Cadence仿真结果表明,传统电流模带隙基准和改进型电流模带隙基准在10Hz的PSRR分别为-63.7dB和-129.4dB,在-40~125℃的温度范围内,其温度系数分别为10.4ppm/℃和19.5ppm/℃。
- 杨艳军张成彬陈鸣贺娟
- 关键词：带隙基准电源抑制比电流模式
- 量化器、Σ-Δ调制器及噪声整形方法
- 本公开提出了一种用于∑‑Δ调制器的量化器、∑‑Δ调制器及噪声整形方法。该量化器包括：积分器，用于在第K个采样周期依据内部信号、第K‑1个周期的量化信号、第K‑1个周期经过过滤的量化信号、第K‑2个周期经过过滤的量化信号而...
- 王琨玉周莉陈杰陈明辉陈鸣徐文静张成彬
- 低功耗自适应偏置无片外电容低压差稳压器被引量：4
- 2018年
- 设计了一款低功耗自适应偏置无片外电容低压差线性稳压器.为了解决由于设计和工艺中存在不匹配造成每级误差放大器不同类型输入管的反型系数在自适应偏置下变化不同步问题,提出了由循环折叠共源共栅放大器和跨导提高放大器构成的误差放大器结构,同时采用推挽输出结构提高了对功率管的驱动能力.该无片外电容低压差稳压器采用嵌套密勒补偿和自适应偏置,解决了轻负载时的稳定性问题,同时提高了轻负载下的电流效率.芯片采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计,版图面积为0.019 9mm^2.蒙特卡罗后仿真的结果表明,其负载电流范围为10μA～100mA,最大负载寄生电容为100pF,最小负载下静态电流为1μA,负载调整率和电源调整率分别为3.5μV/mA和0.372mV/V.设计的低压差稳压器具有低功耗、无片外电容、面积小的优点,是片上系统中电源管理知识产权核的良好选择.
- 刘云超陈敏陈敏刘云涛张成彬张成彬
- 关键词：线性稳压器低功耗无片外电容自适应偏置
- 低功耗双带隙结构的CMOS带隙基准源被引量：4
- 2017年
- 随着片上系统的发展,带隙基准源精度和功耗的要求也越来越高.目前的高阶温度补偿方法在工艺兼容、设计复杂度和功耗上还存在一定的局限性.本文推导了一个新颖的电流模带隙基准电路在饱和区工作时的温度特性,并结合双带隙结构在输出支路上采用电流比例相减的方式实现有效的曲率补偿,从而实现了一个新颖的双带隙结构CMOS带隙基准源.在GSMC 0.18μm工艺下,设计的CMOS带隙基准源版图面积为0.066mm^2.蒙特卡罗后仿真的结果表明,在-40~125℃温度范围内平均温度系数为14.27ppm/℃;在27℃时基准电压平均值为1.201V,标准偏差变化仅为33.813mV(2.82%);在3.3V工作电压下,静态电流平均为9.865μA,电源抑制为-37.21dB.本文设计的带隙基准源具有高精度、低功耗、结构简单的特点,是片上系统的良好选择.
- 肖璟博陈敏张成彬刘云超陈杰
- 关键词：带隙基准电压源曲率补偿温度系数低功耗
