张娟
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- Fe/Si多层膜经快速热退火合成β-FeSi_2薄膜的研究被引量：1
- 2010年
- 采用磁控溅射仪在高阻Si(100)衬底上沉积了[Fe(0.5nm)/Si(1.6nm)]120和[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多层膜,并在Ar气气氛下进行了1000℃,10s的快速热退火。为了比较,也进行了880℃,30min的常规退火。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、光谱仪和霍尔效应仪分析了样品的晶体结构、表面形貌、光吸收特性和电学性能。结果表明:Fe/Si多层膜法合成的样品均为β-FeSi2相且在(220)/(202)方向择优生长;经快速热退火合成的β-FeSi2薄膜光学带隙约为0.9 eV。[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多层膜经快速热退火合成的β-FeSi2薄膜表面粗糙度最小,该薄膜样品为p型导电,载流子浓度为4.1×1017cm-3,迁移率为48cm2/V.s。
- 郭艳沈鸿烈张娟唐正霞鲁林峰
- 关键词：Β-FESI2快速热退火磁控溅射
- 溅射法制备β-FeSi/_2薄膜及其性能的研究
- 利用磁控溅射法在硅和石英上沉积了不同厚度比的Fe//Si多层膜,通过退火制备了β-FeSi/_2薄膜。退火后发现硅衬底上结构为Fe/(20nm/)//Si/(64nm/),Fe/(2nm/)//Si/(6.4nm/)和F...
- 张娟
- 关键词：磁控溅射离子束溅射B掺杂
- 文献传递
- 离子束溅射沉积Fe/Si多层膜法合成β-FeSi_2薄膜的研究被引量：3
- 2010年
- 采用离子束溅射沉积Fe/Si多层膜的方法在石英衬底上制备了β-FeSi2薄膜,研究了不同厚度比的Fe/Si多层膜对β-FeSi2薄膜的结构性能、形貌及光学性能的影响。结果表明,厚度比为Fe(2nm)/Si(7.4nm)的多层膜在退火后完全生成了β-FeSi2相,表面致密均匀,其光学带隙为0.84eV,能量为1.0eV光子的吸收系数>105cm-1。
- 张娟沈鸿烈鲁林峰唐正霞江丰李斌斌刘恋慈沈洲
- 关键词：Β-FESI2离子束溅射沉积
- Fe/Si多层膜亚层厚度比对β-FeSi_2薄膜结构和表面形貌的影响
- 2010年
- 采用射频磁控溅射方法,在Si(111)和石英衬底上制备了Fe/Si亚层厚度比不同的多层膜。多层膜的总厚度为252nm,Fe/Si亚层厚度比分别为1nm/3.2nm、2nm/6.4nm和20nm/64nm。在850℃,Ar气气氛中退火2h后,Si衬底上的多层膜完全生成了β-FeSi2相。但石英衬底上同样Fe/Si亚层厚度比的多层膜除了生成β-FeSi2相,还生成了少量的ε-FeSi相。通过增加Si亚层的厚度至Fe/Si亚层厚度比为2nm/7.0nm,在石英衬底上也获得了单相的β-FeSi2薄膜,其光学带隙为0.87eV,表面均方根粗糙度为2.34nm。
- 鲁林峰沈鸿烈张娟江丰李斌斌沈洲刘恋慈
- 关键词：多层膜
