周晓娟
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：内蒙古大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- AlGaN/GaN MOS(MIS)HEMT中电子迁移率及I-V输出特性
- 由于存在较强的自发和压电极化效应，即使在未掺杂时，AlGaN/GaN异质结构也可获得高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG)，使其适合于制作高电子迁移率晶体管(HEMT).因材料本身具有高熔点、高电子迁移率、高饱和电子速...
- 周晓娟
- 关键词：电子-声子相互作用电子迁移率
- 压力下光学声子对应变纤锌矿AlN//GaN异质结中电子迁移率的影响
- 本文采用将变分法与求解力平衡方程相结合的方法,在光学声子散射起主要作用温区,从理论上讨论在其散射下,应变纤锌矿AlN//GaN单异质结中电子的迁移率及其应变和压力效应.考虑导带弯曲和有限高势垒的真实异质结势及电子的隧穿效...
- 周晓娟
- 关键词：流体静压力电子迁移率
- 文献传递
- Al2O3/AlGaN/AlN/GaN异质结中光学声子散射对二维电子气迁移率的影响
- 周晓娟屈媛班士良王志平
- AlGaN/GaN MOS(MIS)HEMT中电子迁移率及Ⅰ-Ⅴ输出特性
- 由于存在较强的自发和压电极化效应,即使在未掺杂时,AlGaN/GaN异质结构也可获得高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG),使其适合于制作高电子迁移率晶体管(HEMT).因材料本身具有高熔点、高电子迁移率、高饱和电子速...
- 周晓娟
- 关键词：电子迁移率Ⅰ-Ⅴ特性
- 文献传递
- 光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响
- 2008年
- 考虑导带弯曲和有限高势垒,利用变分法和力平衡方程研究了界面光学声子和半空间光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,数值计算了各支光学声子作用下迁移率随电子面密度及温度的变化.结果表明:总迁移率随电子面密度先上升后下降,随温度升高则一直呈下降趋势.在较低电子面密度时,沟道区的体纵光学声子散射为影响迁移率的主要因素;当电子面密度大于4×1013/cm2时,界面声子散射成为主要因素.
- 周晓娟班士良
- 关键词：电子迁移率
