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刘溪

作品数：111 被引量：0H指数：0
供职机构：沈阳工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 111篇中文专利

领域

  • 30篇电子电信

主题

  • 83篇晶体管
  • 60篇隧穿
  • 42篇开关特性
  • 28篇隧穿电流
  • 27篇隧穿效应
  • 25篇绝缘
  • 22篇栅控
  • 20篇电路
  • 20篇集成电路
  • 17篇电极
  • 17篇沟道
  • 16篇双向开关
  • 15篇纳米级集成电...
  • 15篇功耗
  • 15篇高集成
  • 13篇栅电极
  • 13篇静态功耗
  • 12篇场效应
  • 12篇场效应晶体管
  • 11篇集成度

机构

  • 111篇沈阳工业大学

作者

  • 111篇刘溪
  • 105篇靳晓诗
  • 33篇揣荣岩
  • 12篇吴美乐
  • 2篇王妍
  • 2篇李萌萌
  • 2篇刘畅

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 6篇2020
  • 15篇2019
  • 23篇2018
  • 22篇2017
  • 1篇2016
  • 23篇2015
  • 7篇2014
共 111 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法
本发明涉及一种双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有括号栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电...
靳晓诗高云翔刘溪
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具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管
本发明涉及一种具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的绝缘层，SOI晶圆的绝缘层上方为单晶硅，单晶硅的表面上附有栅介质绝缘层，栅介质绝缘层表面附有折叠I形栅...
刘溪杨光锐靳晓诗
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凹槽内嵌栅绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法
本发明涉及一种凹槽内嵌栅绝缘隧穿增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，所采用的设计方案在不增加芯片面积的前提下实现了低寄生电容和低反向泄漏电流的优点。利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现...
靳晓诗刘溪
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深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法
一种深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法，N型深浅组合肖特基势垒隧道晶体管，利用中央金属区与单晶硅薄膜的价带之间形成了叫深肖特基势垒，使得临近源电极的单晶硅薄膜内的空穴无法大量通过中央金属区而形成连续电流，有效抑制了...
刘溪李萌萌
分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法
本发明涉及分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法，可实现源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极...
刘溪夏正亮靳晓诗
具有U形隧穿层基极的栅绝缘隧穿凹槽双极晶体管
本发明涉及一种具有U形隧穿层基极的栅绝缘隧穿凹槽双极晶体管，对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管，利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；利用栅绝缘隧穿电流作为引发发射集电流的驱动电流...
刘溪靳晓诗
高集成度高迁移率源漏栅辅控型无结晶体管
本发明涉及一种高集成度高迁移率源漏栅辅控型无结晶体管，采用源漏控栅电极和栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，使得器件既能够保证在低掺杂浓度的沟道内实现高迁移率，避免高掺杂浓度下随机散射效应增强所导致的器件迁移率及稳定性下降...
刘溪靳晓诗揣荣岩
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方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法
本发明涉及高集成度方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法。在U形单晶硅所形成的凹槽内部，仅需填充绝缘介质以实现两侧垂直沟道的彼此隔离，在凹槽内部无需引入用于生成栅电极的金属材料或者多晶硅材料，凹槽内部结构相对简单，...
刘溪夏正亮靳晓诗
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半栅极控制源极肖特基势垒型隧穿场效应晶体管
本实用新型涉及一种半栅极控制源极肖特基势垒型隧穿场效应晶体管，在无需引入化合物半导体、锗化硅或锗等禁带宽度更窄的材料来生成器件的隧穿部分的前提下，通过在金属源极和本征硅之间形成源极肖特基势垒，并利用半栅极控制源极肖特基势...
靳晓诗刘溪揣荣岩
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具有击穿保护功能的栅绝缘隧穿凹槽基区双极晶体管
本发明涉及一种具有击穿保护功能的栅绝缘隧穿凹槽基区双极晶体管，对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管，通过在集电结和发射结中引入低杂质浓度的击穿保护区以显著提升器件在深纳米尺度下的正向耐压及反向耐压能力；利用隧穿绝缘...
靳晓诗刘溪
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