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刘波

作品数:27 被引量:49H指数:4
供职机构:中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术发展基金更多>>
相关领域:理学化学工程机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 14篇理学
  • 12篇化学工程
  • 6篇机械工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 9篇光学
  • 5篇相变光盘
  • 5篇光学常数
  • 4篇全息
  • 4篇热固定
  • 4篇光存储
  • 4篇C_(60)
  • 3篇性能研究
  • 3篇折变
  • 3篇金刚石薄膜
  • 3篇溅射
  • 3篇光折变
  • 3篇光致
  • 3篇成核
  • 2篇射线衍射
  • 2篇金刚石
  • 2篇晶态
  • 2篇激光
  • 2篇光盘存储技术
  • 2篇光学性

机构

  • 27篇中国科学院上...
  • 4篇中国科学院

作者

  • 27篇刘波
  • 14篇干福熹
  • 12篇阮昊
  • 5篇刘立人
  • 4篇王豪
  • 3篇徐良瑛
  • 2篇顾四朋
  • 2篇阎晓娜
  • 2篇周常河
  • 2篇陈静
  • 2篇侯立松
  • 2篇刘友文
  • 1篇魏斌
  • 1篇王阳
  • 1篇吴谊群
  • 1篇景红梅
  • 1篇于晓霞
  • 1篇李健郎
  • 1篇耿永友
  • 1篇郭迎春

传媒

  • 6篇光学学报
  • 3篇无机材料学报
  • 2篇中国激光
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇激光与红外
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理
  • 1篇光子学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇2005
  • 6篇2003
  • 11篇2002
  • 5篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1998
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氧杂质及热处理过程对Ge-Sb-Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响
2003年
研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0~ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 ,经过退火处理后薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。
顾四朋侯立松刘波陈静
关键词:薄膜物理学光学常数X射线衍射
超高密度光盘(HD-DVD)存储介质和深压微米记录探测技术研究
干福熹吴谊群顾冬红候立松王阳耿永友于晓霞赵虹霞黄福新黄伍桥魏斌刘波
超高密度光盘(HD-DVD)存储介质以及相关深亚微米记录探测技术的应用基础研究对于丰富光信息功能材料科学理论、推动信息材料科学技术的发展起到重要作用。本研究内容具有很强的应用前景。目前,上海广电集团等已将HD-DVD项目...
关键词:
关键词:超高密度
高密度双层光盘研究进展
2003年
综述了高密度双层光盘的研究进展,介绍了其记录原理、记录材料和记录性能,重点讨论了高密度双层光盘所面临的问题及其解决方法,最后提出了我国超高密度光盘存储技术发展的研究思路。
刘波干福熹
关键词:光盘存储技术
光盘反射层纳米Al膜性能研究被引量:7
2002年
利用原子力显微镜 (AFM)和椭圆偏振仪研究了溅射条件对纳米 Al薄膜性能的影响。研究表明 ,随溅射 Ar气压的增大 ,纳米 Al膜的表面粗糙度增加 ,折射率降低 ,反射率减小 ,这与薄膜的结构变化密切相关 ;随溅射功率的增大 ,纳米 Al膜的表面粗糙度增加 ,而其光学常数的变化则不明显。
刘波阮昊干福熹
关键词:光学常数铝膜
可擦重写相变光盘的研究进展被引量:2
2002年
文章综述了可擦重写相变光盘的研究进展 ,简单介绍了其记录原理、记录性能和记录材料 。
刘波阮昊干福熹
关键词:可擦重写相变光盘高密度光存储
掺杂氧的Ge-Sb-Te相变薄膜的光学性质被引量:4
2002年
研究了氧掺入Ge Sb Te射频溅射相变薄膜在 40 0nm~ 80 0nm区域的光学常数 (n ,κ)和反射、透射光谱 ,发现适当的氧掺入能大大增加退火前后反射率对比度 ,因此可通过氧掺入改良Ge Sb
顾四朋侯立松刘波陈静
关键词:光学性质光存储
相变光盘介电薄膜ZnS-SiO_2 的微结构和光学特性(英文)被引量:3
2003年
采用射频磁控溅射法制备了ZnS SiO2 介电薄膜 ,利用透射电镜和椭偏仪研究了溅射条件对ZnS SiO2薄膜微结构和折射率n的影响 研究表明 ,ZnS SiO2 薄膜中存在微小晶粒 ,大小为 2~ 10nm的ZnS颗粒分布在SiO2 基体中 ,当溅射功率和溅射气压变化时 ,ZnS SiO2 薄膜的微结构和折射率n发生显著变化 ,微结构的变化是导致折射率n变化的主要原因 ,通过优化溅射条件可以制备适用于相变光盘的高质量ZnS SiO2
刘波阮昊干福熹
关键词:射频磁控溅射法椭偏仪
微结构光学先进技术研究-微结构光折变光学系统研究
刘立人徐良瑛阎晓娜李建郎刘友文周常河刘波王锋李国强
原子光刻技术原理是在光刻中使用原子束代替激光使刻印基板“感光”,由于原子波(德布罗伊波)波长远短于可见光或紫外光波的波长,使衍射极限决定的刻印误差大大下降,刻印精细度大大提高。高真空系统,Cr原子束源,特定频率的单频稳频...
关键词:
关键词:光折变效应全息图
非晶Ag_(11)In_(12)Te_(26)Sb_(51)薄膜的结晶行为被引量:4
2002年
采用初始化仪使非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜结晶,利用差分扫描量热仪、X射线衍射和光学透过率的测量研究了非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶行为.结果表明,非晶Ag11In12Te26Sb51膜的结晶温度约为210℃,熔化温度为481.7℃,结晶活化能 Ea=2.07eV/atom;Ag11In12Te26Sb51膜的结晶动力学遵循成核和生长机理;在激光致相变过程中可能出现的晶相有AgSbTe2、AgInTe2、Sb和Ag2Te等相;Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响.
刘波阮昊干福熹
关键词:透过率非晶薄膜
初始化条件对Ge_2Sb_2Te_5相变光盘反射率和载噪比的影响被引量:4
2002年
Ge2 Sb2 Te5相变光盘的反射率对比度和载噪比受初始化条件影响很大。研究表明 ,反射率对比度在转速比较低时随功率增加而增大 ,而转速较高时随功率增加而减小 ;反射率对比度基本随转速增加而减小 ,不同波长处的反射率对比度相差比较大 ;载噪比随初始化功率和转速的增加都是先增大后减小 ;最佳初始化条件为 :功率为 110 0~ 130 0mW ,转速为 3 0~ 4 2m s。
刘波阮昊干福熹
关键词:相变光盘反射率
共3页<123>
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