王豪
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程自动化与计算机技术更多>>
- PMMA光盘基片光致聚合反应复制法工艺研究
- 1998年
- 本文通过测量ＰＭＭＡ基片在光致聚合反应法复制过程中的形变和收缩应力，由此对其产生的机理作了一定的理论分析。通过在凝胶化后施加一定的压力能够减小形变和收缩应力。本文不仅描述了采用二阶段加压法工艺复制的ＣＤ唱片，还描述了用ＳＥＭ观察复制信息的微观形貌。
- 耿永友郑锐韬王豪
- 关键词：基片PMMA
- In-Sb为基础的非晶态薄膜的相变和光电性质的研究
- 王豪
- 关键词：非晶态半导体相变
- C_(60)膜上金刚石的成核与生长形貌研究被引量：1
- 2002年
- 本文研究了HFCVD系统中覆盖有C60 膜的Si(10 0 )衬底上金刚石的成核与形貌特征。结果表明 ,C60 能大幅度提高金刚石成核密度 ;C60 氢化预处理能大幅度促进金刚石成核 ,但要合理控制CH4 的浓度和预处理时间 ;随衬底温度的升高 。
- 刘波王豪阮昊干福熹
- 关键词：成核金刚石薄膜
- C_(60)薄膜的热处理性能研究被引量：1
- 2000年
- 通过对Ｓｉ（１００）衬底上Ｃ６０薄膜在不同温度处理后的ＡＥＳ谱线研究发现，Ｃ６０分子于９７３Ｋ时开始分解，生成石墨类碳碎片，１０７３Ｋ时Ｃ原子已与Ｓｉ原子键合形成ＳｉＣ，１１２３Ｋ时Ｃ６０分子全部分解，这一研究结果对解释Ｃ６０分子促进金刚石成核将起到重要作用．
- 刘波王豪
- 非晶态Te-In-Sb薄膜相变中的光学与电学性质变化被引量：1
- 1989年
- 研究了高频溅射制备的非晶态Te-In-Sb系统薄膜的电学性质和透射、反射谱及其在结晶过程中的变化。用TEM和DSC研究了该系统薄膜的晶化过程。分析了组分对薄膜的吸收系数、介电常数和光学能隙等光学性质的影响。发现Te-In-Sb系统非晶态薄膜在热处理过程中,存在二个结构(?)像阶段。当非晶态Te-In-Sb薄膜向晶态转变时,其反射率可发生30％—45％的变化。
- 王豪干福熹
- 关键词：非晶态相变
- C_(60)与金刚石薄膜成核关系的研究
- 2000年
- 采用热丝化学气相沉积法在覆盖C_(60)膜的硅基片上沉积金刚石膜，研究了金刚石膜的成核与生长。实验结果表明，金刚石的成核密度可达1×10~6cm^（-2），利用这种方法可实现衬底无损淀积金刚石膜。C_(60)之所以能够促进金刚石成核，我们认为主要与C_(60)分子本身独特的结构及H原子的激活作用有关。同时，高温下C_(60)分解后残留的石墨等碳碎片以及C原子与衬底Si反应生成的SiC都可作为金刚石的成核位。
- 刘波王豪
- 关键词：C60金刚石薄膜成核
- In-Sb薄膜的相变和电学性质研究
- 1989年
- 本文研究了In_xSb_(1-x)(x=0.27～0.45)的溅射薄膜从非晶态到晶态的相变动态过程,及该系统薄膜在相变过程中电性质的变化,还讨论了非晶态In-Sb薄膜的结构变化与电性质的关系.
- 王豪干福熹
- 关键词：相变过程电学性质
- 硅基片上C_(60)薄膜的生长特性和结构特性研究被引量：2
- 2000年
- 本文采用物理气相沉积 (PVD)法在不同预处理的Si(10 0 )衬底上沉积了C6 0 膜 ,并利用AFM和XRD研究了其生长特征和结构特性。结果表明 ,C6 0 膜的生长特性不仅与C6 0 分子的移动性和衬底的表面性质等多种因素有关 ,而且还受衬底表面先前淀积的C6 0 膜的有序性影响 ;H Si(10 0 )面上生长的C6 0 膜与普通抛光Si(10 0 )面上的相比更具有 111 取向。
- 刘波王豪
- 关键词：碳60结构特性
- 实用化光盘基片研究开发
- 干福喜李锡善胡企铨张国轩何红徐文东王豪陈刚
- 针对CD-R可录光盘基片制作的关键技术，进行了基片抛光、离子交换增强、预刻槽和格式化刻录工艺和复制工艺研究。研制出符合国际标准的实用化的CD-R母盘和玻璃基片，复制出CD-R盘基二千多片。研制出ATIP误码率测量仪及光盘...
- 关键词：
- 记录薄膜Te-In-Sb光学性质的研究
- 1989年
- 采用高频溅射方法制成Te-In-Sb系统的非晶态薄膜.系统的研究了不同组分薄膜的透射、反射谱,及其在结晶过程中的变化.用透射电镜研究了Te-In-Sb薄膜的结构和晶化过程.分析了组分对薄膜的吸收系数、介电常数、光学能隙等光学性质的影响.并由此综合评价了Te-In—Sb系统中比较适合作为光盘介质的组成.
- 王豪干福熹
- 关键词：光学性质碲铟
