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冯建

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：四川固体电路研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇动部件
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇硅衬底
  • 2篇MEMS
  • 2篇衬底

机构

  • 2篇四川固体电路...

作者

  • 2篇徐世六
  • 2篇冯建
  • 2篇胡明雨
  • 1篇张正元
  • 1篇张正元

传媒

  • 1篇传感技术学报
  • 1篇第八届中国微...

年份

  • 2篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术被引量：4
2006年
对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法,该方法制备出了的薄膜厚度为10μm,均匀性为±0.5μm,达到了厚膜SOI材料制备的指标要求,硅薄膜完好率达到70%以上,为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础.
张正元徐世六冯建胡明雨
关键词：硅薄膜MEMS
基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术
本文对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备...
张正元徐世六冯建胡明雨
关键词：硅薄膜MEMS
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