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侯智昊

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇电容间隙
  • 2篇电容式
  • 2篇电容式压力
  • 2篇电容式压力传...
  • 2篇压力传感器
  • 2篇三明治
  • 2篇力传感器
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇硅电容
  • 2篇感器
  • 2篇侧墙
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇易加工
  • 1篇牺牲层
  • 1篇硅基
  • 1篇高深宽比
  • 1篇SIC

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇侯智昊
  • 3篇朱健
  • 2篇黄镇
  • 2篇贾世星
  • 2篇吴璟
  • 1篇郁元卫
  • 1篇石归雄

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
用于三明治结构MEMS硅电容压力传感器侧墙保护方法
本发明提供一种用于玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器侧墙保护方法，防止传感器在制作工艺过程中灰尘、水对电容间隙污染的工艺方法。其特征是在MEMS电容式压力传感器制作过程中，在导气孔前引入辅助...
朱健贾世星侯智昊吴璟黄镇
文献传递
针对SiC材质实现大尺度、高深宽比三维结构加工方法
本发明是一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，包括如下工艺步骤：一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工；二、在硅基上异质生长SiC材料；三、将硅腐蚀掉，最后形成SiC大尺度、高...
朱健侯智昊石归雄郁元卫
文献传递
用于三明治结构MEMS硅电容压力传感器侧墙保护方法
本发明提供一种用于玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器侧墙保护方法，防止传感器在制作工艺过程中灰尘、水对电容间隙污染的工艺方法。其特征是在MEMS电容式压力传感器制作过程中，在导气孔前引入辅助...
朱健贾世星侯智昊吴璟黄镇
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