高云
- 作品数：5 被引量：28H指数：2
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- BJMOSFET温度特性分析及计算机模拟被引量：1
- 2004年
- 对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极 MOS场效应晶体管 ( BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析 ,推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立 BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路 ,采用通用电路仿真软件 PSpice9,对 BJMOSFET的输出特性、瞬态特性和幅频特性随温度的变化进行了计算机模拟 ,得到了随温度变化的特性曲线 ,并且理论分析与计算机模拟取得了一致的结果。相对传统 MOS-FET,证明了 BJMOSFET具有较好的温度特性。
- 曾云高云晏敏盛霞滕涛尚玉全
- 关键词：温度特性计算机模拟
- BJMOSFET频率特性的模拟分析被引量：2
- 2005年
- 提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性.
- 曾云尚玉全晏敏盛霞滕涛高云
- 关键词：频率特性
- 基于SOI的双极场效应晶体管被引量：1
- 2004年
- 在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件———基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理。与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。
- 曾云滕涛晏敏高云尚玉全
- 关键词：体硅
- 移动用恒温石英晶体振荡器设计被引量：3
- 2003年
- 根据实际需要 ,利用AT切型石英晶体良好的温频特性 ,设计一种恒温石英谐振器 ,并对它的主振电路、幅度放大电路、波形变换电路、自动增益电路和压控电路等诸多因素的特性进行了综合分析 ,使其具有良好的老化特性和频率的稳定性。
- 晏敏曾云曾健平高云
- 关键词：恒温石英晶体振荡器稳定性
- CMOS图像传感器及其研究被引量：22
- 2004年
- 介绍了CMOS图像传感器的工作原理,比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径,综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势。
- 尚玉全曾云滕涛高云
- 关键词：CMOS图像传感器电荷耦合器件
