盛霞
- 作品数：11 被引量：20H指数：3
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：湖南省科委基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- BJMOSFET静态特性的解析模型及模拟分析被引量：2
- 2001年
- 建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统 MOSFET相比， 电流密度提高 30％～40％。
- 金湘亮曾云颜永红成世明龚磊盛霞樊卫
- 关键词：BJMOSFET静态特性PSPICE解析模型
- 化学沉积铁基软磁性薄膜
- 王玲玲胡望宇张邦维舒小林袁晓俭盛霞
- 关键词：化学沉积法软磁材料
- 文献传递
- 非晶态Fe-Sn-B合金化学镀层的制备及耐蚀性研究被引量：2
- 1999年
- 利用化学镀方法制备了非晶态Ｆｅ－Ｓｎ－Ｂ合金镀层。研究了镀液浓度对镀层沉积速率、成分、表面形貌、非晶态结构形成区域和耐蚀性的影响，得出了最佳镀液浓度及施镀条件。
- 王玲玲赵立华张邦维胡望宇舒小林盛霞温雪梅
- 关键词：化学镀表面形貌非晶态合金耐蚀性
- SOI上双极压控MOS场效应管的研究
- 概述了现代微电子器件发展的现状，电路集成度的不断提高，加工工艺特征尺寸的不断减小，器件尺寸进入了亚微米、深亚微米阶段，出现了许多不良效应。详细分析了一种新型半导体器件——双极压控场效应晶体管/(BJMOSFET/)的结构...
- 盛霞
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- BJFET阻断能力分析及计算机模拟被引量：2
- 2002年
- 对新型双注入结型场效应晶体管(BJFET)的器件结构和工作原理进行了描述,对器件的阻断能力进行了理论分析和计算机模拟,并取得了一致的结论。同时也提出了改善器件阻断能力的方法。
- 樊卫曾云盛霞晏敏
- 关键词：双注入结型场效应晶体管计算机模拟
- BJMOSFET温度特性分析及计算机模拟被引量：1
- 2004年
- 对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极 MOS场效应晶体管 ( BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析 ,推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立 BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路 ,采用通用电路仿真软件 PSpice9,对 BJMOSFET的输出特性、瞬态特性和幅频特性随温度的变化进行了计算机模拟 ,得到了随温度变化的特性曲线 ,并且理论分析与计算机模拟取得了一致的结果。相对传统 MOS-FET,证明了 BJMOSFET具有较好的温度特性。
- 曾云高云晏敏盛霞滕涛尚玉全
- 关键词：温度特性计算机模拟
- 化学镀Fe-TM-B(TM=Sn,W,Mo-W)合金的磁性研究被引量：5
- 1999年
- 利用化学镀方法首次成功地制备了Ｆｅ－ＴＭ－Ｂ（ＴＭ＝Ｓｎ，Ｗ，Ｍｏ－Ｗ）合金，采用ＶＳＭ研究了合金施镀态和热处理后的磁性。结果表明：随镀层中Ｆｅ含量的增加和热处理温度的降低，镀层饱和磁化强度出现增加趋势，在Ｂ含量分别为１４．９ａｔ％和９．３ａｔ％时，Ｆｅ－Ｓｎ－Ｂ和Ｆｅ－Ｗ－Ｂ镀层的矫顽力出现极小值；Ｆｅ－Ｍｏ－Ｗ－Ｂ镀层矫顽力随退火温度的提高而连续增加。Ｆｅ－Ｓｎ－Ｂ和Ｆｅ－Ｗ－Ｂ镀层的剩磁比不大于０．３７，Ｆｅ－Ｍｏ－Ｗ－Ｂ合金不大于０．５３。
- 王玲玲赵立华张邦维胡望宇舒小林盛霞
- 关键词：化学镀矫顽力磁性
- 化学镀Fe-Al-P合金初探被引量：4
- 1999年
- 利用化学镀方法在铜基片上施镀了Ｆｅ－Ａｌ－Ｐ合金镀层．通过改变金属盐比率ＡｌＣｌ３／（ＡｌＣｌ３＋ＦｅＳＯ４）、金属盐ＡｌＣｌ３和还原剂ＮａＨ２ＰＯ２的浓度等参数，研究了合金镀层的沉积速率、成分、表面形貌及结构的变化规律，得到了最佳镀液配方．发现络合剂和还原剂的选择是提高镀层含Ａｌ量的关键．
- 王玲玲赵立华胡望宇张邦维舒小林袁晓俭盛霞廖蔚
- 关键词：化学镀非晶态合金铁合金化学沉积
- BJMOSFET频率特性的模拟分析被引量：2
- 2005年
- 提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性.
- 曾云尚玉全晏敏盛霞滕涛高云
- 关键词：频率特性
- BJFET直流特性的PSpice模拟分析被引量：7
- 2002年
- 新型双极结型场效应晶体管 (BJFET)兼有双极型和单极场效应两种器件的功能特点。文中分析推导出该新型器件的直流特性 ,然后使用 PSpice软件进行直流特性及其参数扫描模拟分析 。
- 曾云盛霞樊卫马群刚
- 关键词：双注入结型场效应管直流特性双极型晶体管
