顾聪
- 作品数：10 被引量：13H指数：3
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- C波段8W功率GaAs MESFET的设计和制作技术被引量：1
- 2001年
- 采用自行研制的两只 C波段 5 .2～ 5 .8GHz 4W以上的 Ga As MESFET功率管芯 ,通过设计适当的匹配网络、优化网络元件参数 ,结合工艺制作技术 ,实现了 C波段 5 .2～ 5 .8GHz8WGa As MESFET功率管。该功率管在 5 .2～ 5 .8GHz频带内的功率增益约为 7.0 d B,1 d B的压缩功率约为 3 9d Bm,功率附加效率约为 3 0 %。功率管的测量值与计算值基本吻合。
- 顾聪刘佑宝
- 关键词：MESFET场效应晶体管C波段砷化镓
- 微波功率GaAs MESFET本征元件与偏置关系分析
- 2002年
- 提出了一种分析和了解微波功率 Ga As MESFET非线性效应的方法。主要是采用解析优化方法 ,提取 MESFET器件在不同偏置点下的本征元件 ,并结合器件的应用类型 ,对本征元件与偏置的关系进行了系统化的分析。分析的结论有助于提高微波功率 Ga As
- 顾聪刘佑宝高一凡
- 关键词：微波功率器件非线性模型砷化镓MESFET
- 微波功率GaAsMESFET小信号等效电路的研究被引量：3
- 2000年
- 提出了计算功率 Ga As MESFET小信号模型参数的一些改进方法 ,包括计算 Hesse矩阵本征值和本征向量 ,确定各元件对总误差的敏感度、目标函数的优化顺序和优化方向 ,以及稳定的计算方法 ,计算结果与器件的测量值吻合。
- 顾聪刘佑宝
- 关键词：微波功率器件目标函数小信号模型
- 一种间接获取大功率MESFET管芯S参数的新方法
- 1999年
- 文章测量了单胞、双胞、六胞大功率MESFET的S参数，通过精确的误差控制，进行数据处理，得到了单胞拟合成双胞、单胞拟合成六胞的S参数，通过比较得出了一种间接获取大功率管芯S参数的方法，实验证明，此办法简单可行。
- 钱刚杨晓平吴龙胜顾聪刘佑宝
- 关键词：MESFET微波器件S参数
- 提取Statz MESFET非线性电容模型参数的简单方法
- 本文提出一种提取StatzGaAsMESFET非线性电容模型参数的简单方法.该方法基于逐点拟合和综合拟合法,并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据,判定提取的电容模型参数的正确性.计算结果表明,对偏置点少...
- 顾聪刘佑宝
- 关键词：非线性模型微波集成电路模型参数
- 5～10-GHz15-W GaAs MESFET器件的设计被引量：1
- 2001年
- 采用多节平调阻抗变换器技术制作 5～ 1 0 GHz1 5W Ga As MESFET功率放大器。阻抗变换器的长度设计为最高频率的 1 /4波长 ,实现宽频带内稳定的增益和输出功率。采用这种阻抗变换器 ,放大器在 5～ 1 0 GHz范围内具有 9± 1 d B的线性增益 ,其 1 d B压缩功率为 41 .8± 1 d Bm,功率附加效率为 37.5± 7.5%
- 顾聪高一凡
- 关键词：MESFET功率放大器阻抗变换器
- 计算GaAs MESFET器件源电阻的新方法
- 2001年
- 采用一种直接估算微波 Ga As MESFET源电阻 Rs的方法。理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的 ,由此推导出 Rs相关的解析表达式。可在任何测量频率下采用解析方法计算出高精度的 Rs。把 Rg、Rd 与 Rs的比率以及 Ld、Lg 与 Ls 的比率作为优化参数 ,计算等效电路中的元件值相当快 ,且不依赖于初始值。等效电路与测量的 S参数拟合得相当好 。
- 顾聪
- 关键词：砷化镓信号模型
- 微波功率FET小信号等效电路参数提取方法被引量：7
- 2000年
- 文章针对S参数提取微波功率FET小信号等效电路参数方法 ,着重论述二种改进的算法 ,并应用于我所研制的微波功率2100μm栅宽的GaAsMESFET管芯的小信号等效电路13只元件参数计算,计算得出的S参数值与实验数据相吻合 ,提高了计算速度和精度。文章还对非本征元件参数初值的选取、本征元件的优化顺序。
- 顾聪刘佑宝
- 关键词：微波功率器件FET小信号等效电路
- C波段4W功率GaAs MESFET制作技术被引量：1
- 2001年
- 文章主要介绍了已研制的 C波段 5.2～ 5.8GHz 4W GaAs MESFET功率管制作技术，包括将匹配网络等效电路元件参数换算成集总和分布式元件的方法，及匹配网络工艺制作技术，最后，获得的成品功率管的测量值与模拟计算结果吻合。
- 顾聪刘佑宝
- 关键词：匹配网络微波功率管砷化镓MESFET场效应器件
- 一种提取 Statz MESFET非线性电容模型参数的方法被引量：3
- 2000年
- 文章提出一种提取 Statz GaAs MESFET非线性电容模型参数的简单方法。它基于逐点拟合和综合拟合法，并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据，判定提取的电容模型参数的正确性。计算表明，对偏置点少的电容 Cgs和 Cgd数据情况，提取 Statz非线性电容模型参数较适用。
- 顾聪刘佑宝
- 关键词：MESFET砷化镓
