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韩买兴

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

主题

  • 5篇有机半导体
  • 5篇晶体管
  • 5篇半导体
  • 4篇载流子
  • 4篇金属
  • 4篇存储器
  • 3篇电极
  • 3篇载流子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体
  • 3篇沟道
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇氧化硅
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇有机薄膜晶体...
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇介质层
  • 2篇金属电极

机构

  • 12篇中国科学院微...

作者

  • 12篇韩买兴
  • 12篇刘明
  • 11篇商立伟
  • 11篇王宏
  • 11篇姬濯宇
  • 11篇刘欣
  • 9篇陈映平
  • 5篇王艳花
  • 2篇李冬梅
  • 2篇谢常青
  • 2篇陆丛研

年份

  • 1篇2014
  • 10篇2012
  • 1篇2010
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
电容器件及其制造方法
本发明实施例公开了一种电容器件，包括：下电极；下电极上的介质层，其中，所述介质层包括有机介质层；介质层上的上电极。通过形成包括有机介质层的介质层，有机介质层具有更好的电子俘获能力，可以减少电容器件的漏电，从而提高电容器件...
刘明刘欣姬濯宇商立伟谢常青李冬梅韩买兴陈映平王宏
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有机存储器件、阵列及其制造方法
本发明实施例公开了一种有机存储器件，包括：衬底；衬底上的下电极；下电极上的第一有机薄膜、第一有机薄膜上的不连续的金属薄膜以及不连续的金属薄膜上的第二有机薄膜，其中，不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成；第二有机薄膜上的上电...
刘明刘欣姬濯宇商立伟谢常青李冬梅韩买兴陈映平王宏
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有机场效应晶体管存储器的编程方法
本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器的编程方法。该编程方法中，在对有机场效应晶体管存储器进行编程时施加光照，这有助于增加有机场效应晶体管存储器中存储的载流子数目和增大沟道的开态电流，从而可以提高有机场效应晶体管存储器的...
刘明王宏姬濯宇商立伟陈映平王艳花韩买兴刘欣
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数模混合多路独立控制开关电路
本发明公开了一种数模混合多路独立控制开关电路，由用电器回路模块、电平转换模块、开关控制模块和正负5V的低压稳压直流产生模块构成。开关控制模块与电平转换模块相连，其输出经过电平转换模块将高电平转化为+5V，将低电平转换为-...
刘明韩买兴
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光存储单元、光存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的光存储单元、光存储器及其制备方法。本发明中，通过对有机场效应晶体管的有机半导体层中掺杂金属或金属氧化物纳米点存储层，光照时有机场效应晶体管中产生的载流子会存储到该纳米点存储层中，当光...
刘明王宏姬濯宇商立伟陈映平王艳花韩买兴刘欣
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一种有机薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括：在硅片上氧化制备二氧化硅绝缘层；对二氧化硅绝缘层进行OTS修饰；在修饰后的二氧化硅绝缘层表面上沉积生长有机半导体层；在有机半导体层表面上沉积生长一层金属氧化物半导体...
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有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法
本发明公开了一种有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法。本发明的有机阻变型存储单元，采用高功函数的金属或导电聚合物为阳极，低功函数的金属为阴极。阳极和有机半导体层之间形成欧姆接触，而阴极和有机半导体层之间形成肖特基接触，...
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铁电型存储单元、存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的铁电型存储单元、存储器及其制备方法。本发明在铁电绝缘介质层和有机半导体层之间引入了一层用于改善铁电绝缘介质层界面性质的有机绝缘修饰层。该有机绝缘修饰层与有机半导体层之间的界面兼容性好...
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场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括：衬底，包括背栅材料和绝缘介质层；石墨烯沟道区，形成于绝缘介质的上方；源/漏接触电极，形成于绝缘介质层的上方，石墨烯沟道区的两侧，源接触电极和漏接触电极分别与石...
刘明韩买兴姬濯宇商立伟刘欣王宏
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基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法。该存储单元利用富勒烯材料独特的分子结构，以单层富勒烯薄膜同时作为存储浮栅层和隧穿介质层，避免了在存储单元制备中采用金属或者金属氧化物，降低了器件的制备成...
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