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陈廷杰

作品数:5 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学

主题

  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇GAAS
  • 1篇电晕极化
  • 1篇电子扫描
  • 1篇仪器
  • 1篇智能仪器
  • 1篇汽相外延
  • 1篇自动控制
  • 1篇微镜观察
  • 1篇显微镜
  • 1篇显微镜观察
  • 1篇光谱
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇光致发光研究
  • 1篇发光研究
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇STM

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇国家地质实验...
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇国土资源部
  • 1篇技术公司

作者

  • 5篇陈廷杰
  • 2篇吴灵犀
  • 2篇石志文
  • 2篇吴荣汉
  • 1篇林兰英
  • 1篇何宏家
  • 1篇应志春
  • 1篇李成基
  • 1篇徐寿定
  • 1篇王占国
  • 1篇姚骏恩
  • 1篇何良
  • 1篇应冉沂
  • 1篇李永康
  • 1篇商广义
  • 1篇孟庆惠
  • 1篇魏骏
  • 1篇应志春

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇现代科学仪器
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 1篇1990
  • 1篇1989
  • 1篇1981
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
计算机程序控制电晕极化系统被引量:1
2000年
研制了计算机程序控制的电晕极化系统 ,系统由 5 86计算机、加热设备、高压电源、计算机程序控制硬件设备和软件等组成 ,实现了电晕极化实验自动化。此实验系统使用方便、灵活、稳定 ,是极化聚合物材料、光波导和调制器件研究中关键工艺设备 ,可大大提高工作效率、可靠性、重复性和实验的精度。
石志文应志春陈廷杰应冉沂吴荣汉
LEC GaAs中缺陷的光致发光研究
1989年
本文用4.2K光致发光研究了LEC GaAs的热感生缺陷.热退火时样品分别为无包封,包封或用一个未掺杂的SI-GaAs片覆盖.退火温度为650-850℃,退火在不同气氛下进行(真空,H_2,N_2,H_2+N_2或H_2+As_2). 与缺陷有关的发光带有1.443eV,1.409ev和0.67eV发光带.1.443eV发光带不仅在富Ga的GaAs中出现,而且在富As的热稳定性好的SI-GaAs晶体并经过850℃(在H_2中)热退火的样品中也观测到此发光带.这可能是在退火过程中促进反位缺陷GaAs的形成.1.443eV发光带与GaAs有关.GaAs晶体在H_2中退火后1.409eV峰很强,但在真空中退火末探测到此发光带.文中提出它可能是热退火时氢原子扩散到GaAs晶体中并与某些缺陷结合成络合物的新观点.
陈廷杰吴灵犀王占国何宏家林兰英
关键词:GAAS光致发光
电晕极化智能程控系统
2003年
为非线性聚合物电光材料及调制器项目 ,研究开发了电晕极化智能系统。系统对使用的商品化电源、温度控制器作了相应的改造 ,研制了接口电路 ,用四次多项式校正输入 /输出信号的非线性 ,用VB的时间控件设计极化时间控制程序 ,用基于面向事件的VB开发软件 ,设计了可视化界面 ,以电子表格方式设置、增删实验参数 ,以表格、图形方式显示、存档、再现、打印实验数据。实现了电晕极化时间、温度和高电场的全自动实时控制。
应冉沂应志春陈廷杰石志文吴荣汉
关键词:智能仪器自动控制电晕极化
对BiTeSe的隧道扫描显微镜观察
1990年
扫描隧道显微镜(术)STM,使得以原子尺度的分辨率对物质表面进行实空间,实时的观察成为可能。碲化铋为层状晶体,属三角晶系,空间群为D_(3d)~5(R_(3m)^-)。它的每一层内包含五个原子亚层,其顺序是T_e—Bi—T_e—Bi—T_e。Bi原子与其周围的Te原子是八面体配位。两层的T_e原子之间主要是范德瓦尔斯力。解理就在此发生。可望解理面在大气中比较稳定,有可能在非真空条件下看到原子象。我们的样品是n型Bi_2Te_(2.79)Se_(0.21),由半导体所致冷组制备。Bi_2Se_3和Bi_2Te_3结构相同,晶格常数相近。
何良褚一鸣李成基陈廷杰贺节商广义姚骏恩魏骏
关键词:电子扫描STM
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光
1981年
砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一.本文将介绍低温光致发光的实验技术和部份实验结果.
于鲲孟庆惠李永康吴灵犀陈廷杰徐寿定
关键词:光致发光谱汽相外延GAAS
共1页<1>
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