陈壮梁
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
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- 源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管
- 本发明提出了一种应用在高频、大功率领域的金属半导体场效应晶体管(MESFET)结构，即源漏双凹结构MESFET。栅漏和栅源之间的有源层通过刻蚀形成了两个相互独立的凹槽，并在两凹槽之间形成一个凸起的平台。栅电极可以全部淀积...
- 张金平张波邓小川陈壮梁叶毅罗小蓉李肇基
- 文献传递
- 源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管
- 本发明提出了一种应用在高频、大功率领域的金属半导体场效应晶体管(MESFET)结构，即源漏双凹结构MESFET。栅漏和栅源之间的有源层通过刻蚀形成了两个相互独立的凹槽，并在两凹槽之间形成一个凸起的平台。栅电极可以全部淀积...
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- 三维槽栅金属半导体场效应晶体管
- 本发明提出一种三维槽栅金属半导体场效应晶体管结构，即在源漏区之间有源层中开出一个或多个沟槽，栅电极连续地覆盖于沟槽中。沟槽形状可根据实际需要改变，可以是方形、V形、梯形以及阶梯形等结构。与传统MESFET结构相比，三维槽...
- 张波张金平邓小川陈壮梁叶毅罗小蓉李肇基
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- 4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究被引量：1
- 2007年
- 借助ISE TCAD,对4H-SiC MESFET进行二维数值模拟,研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明,在直流特性上,由于表面陷阱电荷引入附加耗尽层,器件饱和电流下降,输出电阻增加,夹断电压向右偏移,跨导降低;在瞬态特性上,表面陷阱电荷的缓慢变化引起了栅延迟的出现。能级靠近价带、密度较高时,表面陷阱效应越明显。
- 陈壮梁罗小蓉邓小川周春华黄何张波李肇基
- 关键词：MESFET直流特性
- 三维槽栅金属半导体场效应晶体管
- 本发明提出一种三维槽栅金属半导体场效应晶体管结构，即在源漏区之间有源层中开出一个或多个沟槽，栅电极连续地覆盖于沟槽中。沟槽形状可根据实际需要改变，可以是方形、V形、梯形以及阶梯形等结构。与传统MESFET结构相比，三维槽...
- 张波张金平邓小川陈壮梁叶毅罗小蓉李肇基
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- 具有高精度频率与占空比的新型振荡器
- 本文提出了一种易于精确控制频率与占空比的新型振荡器。该振荡器的频率由温度系数补偿后的RC精确控制，只需要一个基准电压并通过两个环路来控制RS触发器产生方波信号。方波信号的高低电平时间由两个环路中两个独立电容的充电时间决定...
- 陈壮梁张波
- 关键词：振荡器占空比温度系数基准电压方波信号电路结构
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- 宽带隙半导体器件仿真中收敛性问题的分析
- 2007年
- 针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题,通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道,其原因是少子浓度过低,从而提出3种引入平衡或非平衡少子的解决方案。ISE仿真结果表明,采用文中提出的方案在解决收敛性同时能保证求解结果正确性,并且对刚开始进行宽带隙半导体器件仿真设计的本科生有很大帮助。
- 罗小蓉周春华陈壮梁詹瞻张波李肇基雷磊
- 关键词：宽带隙半导体少数载流子
- 4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究
- 2006年
- 分析了表面陷阱对4H-SiCMESFET直流和瞬态特性的各种影响。在直流特性上,由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移;在瞬态特性上,引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散。表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应。该文还对栅延迟现象进行了分析,并给出了电子浓度分布随时间的变化。
- 陈壮梁罗小蓉邓小川周春华黄何
- 关键词：MESFET直流特性瞬态特性
