陈军
- 作品数：3 被引量：13H指数：2
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- ECR-CVD制备的SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜的结构与介电性质被引量：2
- 2004年
- 使用80％Ar稀释的SiH_4,O_2,CHF_3和CH_4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜。傅里叶变换红外测试结果表明了多层膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O键,同时由于器壁的吸附效应,膜中还存在少量的Si-C和Si-F键,这些键的存在从x射线光电子能谱的深层剖析结果得到了证实。热退火的结果表明了薄膜的红外结构没有发生太大的变化,薄膜的介电常数经过400℃的退火后仅上升了8％。实验结果表明了ECR-CVD制备的SiO_x/a-C:F/SiO_x多层膜可以成为超大规模集成电路中层间绝缘层的候选材料。
- 陈军辛煜许圣华宁兆元陆新华
- 关键词：多层膜ECR-CVD
- ECR-CVD制备的非晶SiO_xN_y薄膜的光致蓝光发射被引量：8
- 2003年
- 使用 90 %N2 稀释的SiH4与O2 作为前驱气体 ,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜 (a -SiOxNy) .红外吸收光谱的结果表明 ,a SiOxNy 薄膜主要由Si O Si和Si N键的两相结构组成 ,在存在氧流量的情形下 ,薄膜主要成分是SiOx 相 ,而在无氧流量的情形下 ,薄膜则主要是SiNx 相 .使用5 65eV的紫外光激发 ,发现SiOxNy 薄膜出现了位于 460nm的光致蓝光主峰 ,且其发光强度随着氧流量的降低而显著增强 .根据缺陷态发光中心和SiNx 蓝光发射能隙态模型 ,讨论了其发光机理 ,认为在低N含量时 ,蓝光发射是由于SiOx 中的氧空位缺陷引起的 ;在高N含量时 ,蓝光发射强度的大幅度增强是由于SiNx
- 许圣华辛煜宁兆元程珊华黄松陆新华项苏留陈军
- 关键词：ECR-CVD光致发光
- HfO_2在CHF_3,Ar和H_2的感应耦合等离子体中的刻蚀行为被引量：3
- 2004年
- 通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件 ,利用CHF3 ,Ar和H2 的感应耦合等离子体 (ICP)对HfO2 和RZJ 30 6光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究。结果表明 ,HfO2 与等离子体化学相互作用的刻蚀产物属于非挥发性的 ,容易造成边墙的堆积而形成“驼峰”形 ,因而需要借助于Ar+ 的辅助轰击来消除边墙堆积 ,典型的HfO2 /光刻胶的刻蚀选择比在 0 2～ 0 .5之间。在射频源功率 4 0 0W、气压 0 5Pa、射频偏压 - 4 0 0V、流量比为Ar∶CHF3 ∶H2 =4 0sccm∶18sccm∶2sccm的优化条件下 ,利用感应耦合等离子体刻蚀特性 ,对光刻胶作为掩膜的HfO2 /BK7玻璃进行刻蚀 ,扫描电镜的测试结果表明 ,光栅的图形转移效果较好。红外激光波长为 10 6 4nm时 ,所测得的光栅二级衍射效率在 71%以上。
- 辛煜宁兆元叶超许圣华甘肇强黄松陈军狄小莲
- 关键词：HFO2刻蚀感应耦合等离子体非挥发性
