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邵淑芳

作品数:21 被引量:143H指数:7
供职机构:中国科学院安徽光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省优秀青年科技基金更多>>
相关领域:理学化学工程一般工业技术冶金工程更多>>

文献类型

  • 21篇中文期刊文章

领域

  • 15篇理学
  • 3篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇冶金工程

主题

  • 10篇晶体
  • 8篇纳米
  • 7篇共沉淀
  • 7篇共沉淀法
  • 7篇光谱
  • 6篇纳米粉
  • 6篇纳米粉体
  • 6篇粉体
  • 6篇沉淀法
  • 5篇荧光
  • 5篇激光
  • 5篇激光晶体
  • 4篇晶体生长
  • 4篇发光
  • 4篇ND
  • 4篇YAG
  • 3篇荧光光谱
  • 3篇荧光寿命
  • 3篇提拉法
  • 3篇ND:YAG

机构

  • 21篇中国科学院
  • 2篇南京信息工程...
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇曲阜师范大学

作者

  • 21篇邵淑芳
  • 21篇殷绍唐
  • 21篇张庆礼
  • 18篇孙敦陆
  • 14篇张霞
  • 13篇苏静
  • 11篇谷长江
  • 9篇王召兵
  • 7篇刘文鹏
  • 5篇江海河
  • 5篇丁丽华
  • 4篇王爱华
  • 3篇肖进
  • 1篇黄明芳
  • 1篇李为民
  • 1篇宁凯杰
  • 1篇罗建乔
  • 1篇王晓梅
  • 1篇李冬青

传媒

  • 8篇人工晶体学报
  • 5篇量子电子学报
  • 2篇光电子.激光
  • 2篇功能材料
  • 2篇中国稀土学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
  • 10篇2005
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
共沉淀法YAG、Nd∶YAG纳米粉体的制备、结构与光谱性能研究被引量:24
2005年
采用共沉淀方法,以氨水为沉淀剂,与硝酸盐的混合溶液反应得到YAG、Nd∶YAG前驱体,并在不同的温度下对前驱体进行锻烧。利用红外光谱(FT IR)、热重/差热分析(TG/DTA)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等技术对YAG前驱物及煅烧粉体进行表征,对Nd∶YAG粉体的发光性能进行了测试。结果表明,在800℃下煅烧YAG前驱体,得到纯YAG晶相,无YAP、YAM中间相的出现;XRD、TEM和比表面分析表明在800~1000℃煅烧所得粉体晶粒直径为40~100nm,具有较好的分散性。同时荧光测试表明Nd∶YAG粉体具有良好的发光性能。
苏静张庆礼谷长江孙敦陆邵淑芳殷绍唐
关键词:YAG共沉淀法纳米粉体发光
Eu:GGG纳米荧光粉体制备及其光学特性被引量:5
2007年
采用液相共沉淀方法并在不同烧结温度下制得了Eu:GGG荧光粉体。用X射线衍射分析了样品的结构,计算了其晶格常数,为1.2371nm。室温下,测量了Eu:GGG的光致发射光谱、激发光谱和荧光衰减曲线。激发光谱在波长240~287nm的谱带内和393nm处有强的激发,分别来自于Eu3+-O2-间的电荷迁移态吸收和Eu3+的7F0→5L6的跃迁吸收,同时在274nm处也出现了Gd3+的8S7/2→6IJ的特征吸收。393nm激发下,591nm处的发射峰最强,对应Eu3+的5D0→7F1的磁偶极跃迁,可能由于部分Eu3+处于反演中心对称格位所致。随着烧结温度升高,Eu:GGG的发光强度增强,这可能由于随着烧结温度升高,样品晶粒尺寸变大,单位体积内被激发的Eu3+离子数增加引起,而591nm发光的荧光寿命变短,可能是由Eu3+离子的能量共振传递过程中发光被陷阱捕获所致。
刘文鹏张庆礼邵淑芳孙敦陆张霞谷长江殷绍唐
关键词:纳米荧光稀土
Nd∶Y_3Al_5O_(12)单晶及纳米粉体的Raman光谱分析被引量:3
2009年
测量了YAG(Y3Al5O12)/Nd∶YAG单晶、Nd∶YAG前驱物及其在不同温度下煅烧获得粉体的拉曼光谱,对谱峰的振动模式进行了指认,对结果进行了分析。Nd∶YAG前驱物在煅烧时,有一个由非晶态向晶态的转化过程;700℃下烧结前驱物获得非晶态产物的结构中含有AlO4四面体结构;随着煅烧温度的升高,拉曼光谱的变化主要表现在两个方面:一是谱峰半高宽(FWHM)减小,谱峰强度增大;二是一些拉曼光谱谱峰发生了频移,这是纳米多晶粉体的界面组元的有序度提高所致。另外,800℃下煅烧获得的Nd∶YAG纳米粉体的晶格振动模式与Nd∶YAG晶体的晶格振动模式存在差异,这是纳米多晶粉体的界面组元的贡献所致。
苏静张庆礼殷绍唐孙敦陆邵淑芳
关键词:纳米粉体RAMAN光谱
Ce^(3+):YAG晶体位错的研究被引量:3
2005年
本文报导了用中频感应加热提拉法生长Ce3+:YAG晶体,直径达45mm。对样品采用不同的化学试剂进行了时间不等的腐蚀,用偏光显微镜观察到不同形貌的位错蚀坑,分析了位错与晶体结构及生长工艺参数等因素之间的关系。
王召兵张庆礼殷绍唐孙敦陆苏静张霞邵淑芳
关键词:提拉法位错
纳米发光材料Re(Nd,Yb):GdAlO3的合成、结构及发光性能
2008年
采用共沉淀方法,以Gd2O3、Al(NO3)3.9H2O、Nd2O3(Yb2O3)为原料、氨水为沉淀剂,合成了Nd∶GdAlO3(5%(原子分数))和Yb∶GdAlO3(5%(原子分数))纳米多晶粉末,采用X射线衍射(XRD)和Rietveld精修方法对晶体结构进行了研究,采用场发射扫描电镜(FESEM)对晶体的形貌进行了研究,同时对晶体的发射光谱进行了测量。XRD结果表明,在较低的煅烧温度和较短的煅烧时间下(1000℃,保温3h)可获得纯Nd∶GdAlO3和Yb∶GdAlO3晶相,同时晶粒尺寸随着煅烧温度的升高而增大。Rietveld精修结果表明半径较大的Nd3+离子的掺杂,使GdAlO3晶体结构有从正交相向四方相转变的趋势。FESEM结果表明,颗粒大小均在纳米尺寸范围之内,且具有较好的分散性。在Nd∶GdAlO3晶体的发射光谱中,在927、1077和1335nm附近出现的3个发射峰分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/24、F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2跃迁;在Yb∶GdAlO3晶体中,主要发射峰波长位于979、997和1028nm处,其中1028nm处为最强发射峰,对应于Yb3+的2F5/2→2F7/2跃迁。
邵淑芳张庆礼肖进罗建乔孙敦陆刘文鹏丁丽华殷绍唐
关键词:共沉淀法发光
Nd:YAG纳米粉体的制备和光谱性质被引量:5
2007年
采用共沉淀方法,以碳酸氢铵(NH4HCO3)为沉淀剂制备得到Nd:YAG前驱物,将其在不同的温度下煅烧并采用红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、荧光光谱分析等技术对样品进行了表征。在900~1000℃下煅烧前驱物,出现YAP和YAM中间相并对共沉淀法中间相出现的原因进行了分析;获得纯YAG晶相的煅烧温度为1100℃,晶粒粒度分布约为40~80nm,具有良好的分散性。光谱研究表明Nd:YAG纳米粉体的发光性能良好,其红外光谱及荧光光谱与单晶无明显的差异。
苏静张庆礼王召兵孙敦陆谷长江邵淑芳张霞殷绍唐
关键词:无机非金属材料ND:YAG共沉淀法透明陶瓷纳米粉体
Nd:Gd_3Ga_5O_(12)晶体的生长与拉曼光谱研究被引量:2
2007年
用提拉法成功生长出了Nd:Gd3Ga5O12晶体,并通过激光显微拉曼光谱对其结构进行了研究。使用Ar+激光的325.0和514.5 nm波长激发,区分开了荧光峰与拉曼峰,对出现的荧光峰进行了分析与讨论,将其中的拉曼振动峰与Gd3Ga2(GaO4)3(GGG)晶体四面体、八面体和十二面体的结构相联系,并对其振动模式进行了分类和指认,为将来进一步研究Nd:GGG晶体生长时固液边界层的结构及生长基元在边界层内的变化规律奠定了一定的基础。
孙敦陆张庆礼张霞邵淑芳谷长江王爱华江海河殷绍唐
关键词:拉曼光谱荧光
Nd^(3+):Gd_3Ga_5O_(12)激光晶体的吸收与发光被引量:3
2005年
测量了用提拉(CZ)法生长的Nd3+:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)激光晶体室温时的吸收光谱,其中在806 nm处的吸收系数最大(α=5.12 cm-1),吸收截面为4.03×10-20cm2。用806 nm激发分别得到室温和10 K时的荧光光谱和荧光寿命,其中在1.06μm附近晶体的荧光发射强度最强,2种温度时的峰值发射截面分别为1.7×10-19cm2和1.9×10-19cm2。0.6 at%和1.0 at%2种Nd3+掺杂浓度的晶体,室温时的荧光寿命分别为251μs和240μs,10 K温度时分别为253μs和241μs。与Nd:YAG晶体的荧光寿命、浓度猝灭效应和发射截面进行了比较,对结果进行了分析与讨论。
孙敦陆张庆礼王召兵苏静张霞邵淑芳谷长江王爱华江海河殷绍唐
关键词:吸收光谱荧光光谱荧光寿命
X射线衍射双峰的Voigt峰形函数拟合被引量:3
2009年
给出了Voigt函数的一种计算方法,同时给出了一种用Voigt峰形函数拟合由Kα1、Kα2引起的晶体X射线双峰衍射谱的一种算法,此算法可同时对多个衍射双峰进行拟合和分峰,从而给出较准确的衍射峰宽度,用于计算晶体颗粒尺寸和应力等。用此算法计算了纳米GSGG的颗粒度,结果表明:在低角度,双峰叠加对衍射峰的半高全宽的影响可忽略,而在高角度双峰的衍射间隔加宽,使计算获得的粒度明显偏小。
张庆礼丁丽华邵淑芳刘文鹏王晓梅孙敦陆殷绍唐
关键词:X射线衍射
提拉法晶体生长数值模拟研究进展被引量:11
2005年
数值模拟方法是了解晶体生长过程中各种物理现象和问题的重要手段,可以为晶体生长工艺参数的设定、温场设计等提供参考。本文介绍了最近几十年来数值模拟技术对提拉法生长晶体过程中物理问题的研究进展,同时对晶体生长过程中界面形状、液流、速度场、温度场、各种输运过程以及工艺条件和参数对晶体生长的影响等的数值模拟进行了介绍。
邵淑芳张庆礼苏静孙敦陆王召兵张霞殷绍唐
关键词:提拉法数值模拟晶体生长
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