殷绍唐
- 作品数：174 被引量：546H指数：12
- 供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金安徽省优秀青年科技基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程机械工程更多>>
- GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的方法和微型晶体生长炉
- 本发明公开了GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构方法和微型晶体生长炉，属于物质微观结构实时检测的实验方法领域。该方法针对GIXRD技术的特点和原位实时测量晶体表面微熔膜结构的要求，设计了一种结构独特的微...
- 殷绍唐张德明张庆礼孙敦陆张季王迪刘文鹏孙贵花
- 文献传递
- NaBi(WO4)2晶体的熔融法生长机理研究
- 在熔融法生长晶体过程中,原位测量晶体生长边界层内微观结构的演变是研究晶体生长微观机理的一个重要方法。在本工作中,采用高温显微Raman光谱技术和同步辐射X射线吸收精细结构谱技术对NaBi(WO)晶体的相关熔体、生长边界层...
- 张德明殷绍唐张庆礼孙敦陆
- 文献传递
- GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉
- 本实用新型公开了GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉，属于物质微观结构实时检测的实验设备领域。该微型晶体生长炉采用顶部加热方式，使实验晶体上表面均匀熔化形成一层薄膜，该薄膜从表面到晶体可...
- 殷绍唐张德明张庆礼孙敦陆张季王迪刘文鹏孙贵花
- 文献传递
- 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉
- 本发明公开了同步辐射微束X射线衍射(μ-XRD)技术原位实时测量熔融法晶体生长微观结构的方法，本方法基于同步辐射μ-XRD技术，分别原位实时测量熔融法晶体生长时不同区域(晶体、边界层、熔体)的微观结构，从而获得熔融法晶体...
- 殷绍唐张德明孙彧张庆礼孙敦陆
- 文献传递
- BGO晶体生长固液边界层结构的微区研究
- 2007年
- 研究了BGO晶体固/液边界层及其两侧晶体和熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体生长固/液边界层以及边界层两侧晶体和熔体的结构特征。结果显示,桥氧键Bi-O-Ge和O-Bi-O在晶体和边界层中都存在,而在熔体中消失。说明[GeO4]和[BiO6]结构基团在晶体及边界层中都存在,边界层中的结构已接近晶体结构;但在熔体中[GeO4]结构基团和Bi3+却是两种独立的存在,长程有序的晶体结构消失。并首次报道了BGO晶体固/液边界层的厚度约为50μm。
- 张霞万松明殷绍唐尤静林陈辉赵思杰张庆礼
- 关键词：高温拉曼光谱
- Nd∶GGG激光晶体的同步辐射X射线白光形貌研究
- 2006年
- 应用同步辐射X射线白光形貌术,对Nd∶GGG晶体中的缺陷进行了研究,观察到晶体中的主要缺陷是生长条纹和位错,对生长条纹产生的机理和位错的类型进行了分析讨论,生长条纹是由于温度波动引起生长率的起伏产生的,确定晶体中的位错有刃型位错、螺旋位错和混合位错。根据生长条纹和位错的生成机制,提出了一些改进生长工艺的措施和方法,为生长质量更高的晶体提供了参考。
- 孙敦陆张庆礼肖敬忠朱佩平黄万霞袁清习王爱华殷绍唐
- 关键词：生长条纹位错
- NaBi(WO4)2晶体的熔融法生长机理研究
- 在熔融法生长晶体过程中，原位测量晶体生长边界层内微观结构的演变是研究晶体生长微观机理的一个重要方法。在本工作中，采用高温显微Raman光谱技术和同步辐射X射线吸收精细结构谱技术对NaBi(WO4)2晶体的相关熔体、生长边...
- 张德明殷绍唐张庆礼孙敦陆
- 大尺寸Nd^(3+):GGG激光晶体的单胞参数计算和组分分析
- 2011年
- 采用提拉法生长了直径为136 mm的Nd3+:GGG单晶,通过X射线衍射和X射线荧光对晶体的结构、成分沿生长方向和径向的变化进行了测试分析。结果表明单胞晶格参数沿晶体的生长方向和径向均逐步变大,平均变化率分别为3.1×10-6/mm、1.3×10-5/mm;沿着晶体的生长方向,Nd和Gd组分按指数函数规律逐步增加,而Ga组分则按高斯函数逐渐减小。沿晶体径向从内到外,Nd、Gd组分按线性规律逐渐增大,其变化率分别为0.0014 at%/mm、0.00924 at%/mm,Ga组分则按线性规律减小,变化率为-0.0117 at%/mm。这些变化主要是由于Nd3+的分凝效应、Ga挥发所导致。
- 高进云张庆礼殷绍唐刘文鹏罗建乔王迪江海河
- 关键词：晶体生长X射线衍射结构精修
- 一种中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤及其制备方法和应用
- 本发明涉及激光材料技术领域，具体涉及一种中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤及其制备方法和应用。本发明提供的中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤中，通过Ho<Sup>3+</Sup>的两个激发态能级(<Sup>5</Su...
- 张会丽孙敦陆罗建乔方忠庆赵绪尧权聪胡伦珍韩志远程毛杰殷绍唐
- 文献传递
- Nd^(3+)∶Y_(0.5)Gd_(0.5)VO_4晶体光谱特性被引量：14
- 2004年
- 测量了 0 8at. %Nd3 + ∶Y0 .5Gd0 .5VO4的吸收光谱和荧光发射谱 ,光谱显示该晶体在 80 8 5nm有很强的偏振光吸收峰 ,且π偏振光 (E∥C)吸收远强于σ偏振光 (E ⊥C) 吸收 ,半高宽度分别为 4 5nm和 12nm ,吸收截面分别为 19 6 9× 10 -2 0 cm2 和 6 4 1× 10 -2 0 cm2 ;其荧光发射 (4F3 /2 → 4I11/2 跃迁 )峰值波长在 10 6 4nm ,半高宽度为 3 7nm ;4F3 /2 → 4I11/2 跃迁的荧光寿命为 110 μs;光谱特性表明Nd3 + ∶Y0 .5Gd0 .
- 张连翰杭寅孙敦陆钱小波李世锋殷绍唐
- 关键词：光谱特性吸收光谱荧光寿命
