邓伟
- 作品数：10 被引量：41H指数：4
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- 辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响
- 2016年
- 为研究辐照温度对线性稳压器的电离辐射效应的影响,选取三个公司生产的同一型号线性稳压器7805在不同温度条件下进行60Co?电离辐射效应试验。结果表明:辐照温度的增加使三款线性稳压器输出电压的辐射损伤增大;使国家半导体公司和安森美半导体公司稳压器的线性调整率及国家半导体公司的输入电流敏感参数的辐射损伤减小。结合双极晶体管的空间辐照效应模型,对双极线性稳压器不同温度条件下的辐射损伤效应进行了分析和讨论,表明辐照温度对线性稳压器的辐射敏感参数的影响主要取决于陷阱电荷。
- 孙静陆妩邓伟郭旗余学峰何承发
- ^(60)Coγ射线对高铝组分Al_(0.5)Ga_(0.5)N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响被引量：1
- 2013年
- 采用60Coγ射线源对高铝组分Al0.5Ga0.5N盲紫外p-i-n结构光探测器和Si基可见光p-i-n结构探测器进行了累计剂量分别为0.1,1,10Mrad(Si)总剂量辐照实验.实验发现,随着辐照剂量的增加,AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器的理想因子显著增大,辐照后理想因子n>2;而Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子随辐照剂量的变化并不明显.AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器理想因子的退化可能主要是因为欧姆接触性能的退化,Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子的变化则可能是由于敏感层的退化.
- 张孝富李豫东郭旗罗木昌何承发于新申志辉张兴尧邓伟吴正新
- 关键词：欧姆接触
- 双极电压比较器低剂量率辐照损伤增强效应的变温辐照加速评估方法被引量：7
- 2014年
- 对3款同种型号不同公司生产的双极电压比较器进行了高、低剂量率及变温辐照的60 Coγ辐照实验。结果表明:偏置电流和电源电流为双极电压比较器辐射敏感参数,失调电压仅在工作偏置条件下为辐射敏感参数;由于工艺不同,不同公司的双极电压比较器存在辐射响应差异,而同一公司的双极电压比较器在不同偏置条件下的辐照损伤趋势亦不同;变温辐照加速评估方法不仅可鉴别上述不同公司的双极电压比较器在不同偏置条件下的剂量率效应,而且能很好地模拟和保守地评估其低剂量率下的辐照损伤。
- 马武英陆妩郭旗吴雪孙静邓伟王信吴正新
- 关键词：低剂量率
- 双极线性稳压器(LM317)的电离总剂量效应及剂量率的影响被引量：2
- 2013年
- 对一款双极集成、三端线性稳压器LM317进行了不同偏置、不同剂量率条件下的电离辐射效应及室温退火特性研究。研究结果表明:器件输出电压、输入输出压差等敏感参数在电离辐射环境下发生了不同程度的变化,且在零偏偏置辐照下的变化比工作偏置辐照下的变化大;在零偏偏置条件,总剂量相同时低剂量率辐照下的损伤明显大于高剂量率辐照,表现出低剂量率损伤增强效应;在工作偏置条件,高剂量率辐照下的损伤大于低剂量率辐照下的损伤,但随后的退火实验中恢复到低剂量率辐照损伤水平,表现出时间相关效应。对稳压器辐射敏感参数的影响因素和不同偏置下的剂量率影响进行了分析和讨论。
- 邓伟陆妩吴雪郭旗何承发王信张晋新张孝富吴正新马武英
- 重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟被引量：10
- 2013年
- 针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBTs),采用半导体器件模拟工具,建立SiGeHBT单粒子效应三维损伤模型,研究影响SiGeHBT单粒子效应电荷收集的关键因素.分析比较重离子在不同位置入射器件时,各电极的电流变化和感生电荷收集情况,确定SiGeHBT电荷收集的敏感区域.结果表明,集电极/衬底结内及附近区域为集电极和衬底收集电荷的敏感区域,浅槽隔离内的区域为基极收集电荷的敏感区域,发射极收集的电荷可以忽略.此项工作的开展为下一步采用设计加固的方法提高器件的抗辐射性能打下了良好的基础.
- 张晋新郭红霞郭旗文林崔江维席善斌王信邓伟
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集
- 锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟被引量：5
- 2013年
- 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。
- 张晋新郭红霞文林郭旗崔江维范雪肖尧席善斌王信邓伟
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应激光微束电荷收集
- 12位LC^2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应被引量：1
- 2013年
- 为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性,选取12位LC2 MOS工艺的数模转换器作为研究对象,使用60 Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究。试验结果表明,LC2 MOS工艺的数模转换器对辐射剂量率非常敏感,高剂量率条件下的辐射损伤较低剂量率条件下的更为显著;不同偏置条件下,其辐射损伤程度也有很大不同,正常工作偏置下的数模转换器辐射损伤较非工作偏置的辐射损伤更为明显。
- 王信陆妩郭旗吴雪席善斌邓伟崔江维张晋新
- 关键词：电离辐射数模转换器剂量率效应
- 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法
- 本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校...
- 郭红霞郭旗张晋新文林陆妩余学峰何承发崔江维孙静席善斌邓伟王信
- 文献传递
- 变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器LM317上的应用被引量：3
- 2014年
- 对3个公司生产的同一型号双极线性稳压器LM317进行了工作和零偏偏置下高、低剂量率辐照,变温恒剂量率辐照及美军标恒高温恒剂量率辐照的对比实验。结果表明,与恒高温恒剂量率辐照相比,变温恒剂量率辐照不仅能非常准确、快速地评估出在不同偏置条件下3款双极线性稳压器的剂量率效应,还可较好地模拟双极线性稳压器在低剂量率辐照下的损伤。实验结果验证了变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器上应用的可行性。
- 邓伟陆妩郭旗何承发吴雪王信张晋新张孝富郑齐文马武英
- X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究被引量：15
- 2013年
- 本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子。计算结果表明:当X射线为30–300 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。金的厚度影响界面附近的剂量增强效果,当金的厚度为0–10 m时,剂量增强因子随金的厚度增大;当金的厚度超过10 m后,剂量增强因子随金厚度的增加而减少。
- 吴正新何承发陆妩郭旗艾尔肯阿不列木于新张磊邓伟郑齐文
- 关键词：蒙特卡罗方法体元
