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赵清太: 作品数：12 被引量：15H指数：2; 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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利用SIMS分析研究离子注入损伤吸附杂质的作用被引量：1: 1998年; 用（BF2）+替代B+注入，是一种重要的注入掺杂形成浅结的工艺手段．（BF2）+注入也有不利的一面．剩余F原子的积聚以及大量二次缺陷的存在，都将影响PN结的性能．利用离子束损伤技术（IBDE）可以有效地消除上述（BF2）+注入的不足之处．该文利用SIMS技术，测试分析经预注入低能（BF2）+后，直接进行高温热退火的样品，以及预注入低能（BF2）+后，又经1MeVSi+辐照，再退火的样品．对比分析这两组样品中F+和B+的不同分布，研究IBDE对改善PN结性能的作用．; 曹永明张敬海蔡磊李越生宗祥福赵清太; 关键词：离子注入 VLSI SIMS

La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜的外延生长及其机理研究被引量：6: 1999年; 利用脉冲激光制膜法，在多种衬底和温度条件下，系统研究了Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３（ＬＳＣＯ）薄膜的结构和外延生长特性，在ＬａＡｌＯ３，ＳｒＴｉＯ３和ＭｇＯ衬底上实现了ＬＳＣＯ薄膜的外延生长．外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征．研究表明，外延生长的最佳温度范围为７００—８００℃，最佳衬底为ＬａＡｌＯ３．并着重探讨了衬底材料和淀积温度等多种因素对ＬＳＣＯ薄膜的生长与性能的影响及其机理．; 李美亚王忠烈熊光成范守善赵清太范守善; 关键词：LSCO 超导体

La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜的外延生长及其电性能的研究被引量：2: 1999年; 系统研究了在LaAlO3 ,SrTiO3 和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La0 .5 Sr0 .5 CoO3 薄膜的外延生长和电输运特性 ,测定了薄膜的电阻温度关系 .研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性 ,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征 ;在LaAlO3 衬底上在 70 0℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能 ;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理 .; 李美亚熊光成王忠烈范守善赵清太林揆训; 关键词：高TC 电性能 LSCO 氧化物超导体

1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究: 1994年; 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。; 李岱青宫宝安万亚朱沛然周俊思徐天冰穆善明赵清太王忠烈; 关键词：超晶格离子注入 MEV能区

MeV　Si离子注入对BF_2注入Si样品特性的影响: 1996年; 本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍有大量的二次缺陷．退火前附加一次ＭｅＶＳｉ离子轰击可以有效地消除ＢＦ２注入区内的二次缺陷，抑制Ｂ原子的扩散，并提高Ｂ原子的电激活率．; 赵清太王忠烈; 关键词：硅

金属有机物分解法制备钛酸铅薄膜被引量：2: 1991年; 用金属有机物分解法制备了钛酸铅薄膜。研究了成膜的技术条件。一次甩胶可以获得厚约0.1μm均匀、无开裂、无针孔的薄膜,较厚的膜可通过多次甩胶得到。X射线衍射证实,经700℃热处理后,膜呈现四方钙钛矿的单相结构。Rutherford背散射表明,即使在多次甩胶制得的膜中,组份的厚度分布也是均匀的。; 王玉国赵清太王克明张沛霖钟维烈; 关键词：金属有机物

CMOS/SIMOX-SOI电路: 王阳元李映雪张兴奚雪梅魏丽琼程玉华赵清太; 一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、成果简介：优化了制备SIMOX材料的工艺条件，研制出符合器件要求的SIMOX材料，电子和空穴迁移率均超过了原合同的指标，开发一个快速的SIMOX顶层硅膜和预埋氧化层厚度计算程...; 关键词：; 关键词：SOI器件半导体器件场效应晶体管

脉冲激光法外延生长锰氧化物薄膜被引量：1: 1999年; 利用脉冲激光法在LaAlO3衬底上外延生长了La－Ca－Mn—O、La－Sr－Mn－O等巨磁电阻薄膜.测定了这些薄膜的电阻—温度特性，观测到了其铁磁转变及巨磁电阻效应实验发现，较高的淀积温度使薄膜的峰值转变温度Tp降低、峰值电阻率增大。; 李美亚熊光成王忠烈范守善赵清太林揆训; 关键词：巨磁电阻

全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展被引量：3: 1996年; ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低、抗干扰能力强、集成度高、速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件。分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。; 张兴李映雪奚雪梅赵清太程玉华魏丽琼王阳元; 关键词：半导体材料 SOI CMOS 半导体器件