赵中琴
- 作品数：8 被引量：33H指数：3
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术化学工程更多>>
- CVD金刚石涂层硬质合金工具表面预处理新技术被引量：8
- 2003年
- 研究了利用(KOH+K3(Fe(CN)6)+H2O和H2SO4+H2O2)两种溶液浸蚀硬质合金基体,分别选择性刻蚀WC和Co的表面预处理过程.在浸蚀过的硬质合金基体上,用强电流直流伸展电弧等离子体CVD法沉积金刚石薄膜涂层.结果表明,两步混合处理法不仅可以有效地去除硬质合金基体表面的钻,而且还显著粗化硬质合金基体表面,提高了金刚石薄膜的质量和涂层的附着力.
- 苗晋琦宋建华赵中琴佟玉梅唐伟忠吕反修
- 关键词：硬质合金金刚石薄膜附着力
- 金刚石复相薄膜的制备及它作为金刚石涂层过渡层的应用
- 赵中琴
- 关键词：过渡层
- 两种预处理对硬质合金金刚石涂层附着力的影响对比研究被引量：10
- 2003年
- 制约金刚石薄膜涂层工具走向市场化的关键问题是金刚石薄膜与硬质合金衬底的附着力低。困难来自于硬质合金的粘结相钴。消除钴对涂层附着力不利影响的措施很多。其中 ,真空渗硼和施加铜过渡层处理是两种较为有效的方法。本实验的目的就是要比较两种预处理对金刚石涂层附着力的影响。我们利用强电流直流伸展电弧等离子体CVD设备对真空渗硼和施加铜过渡层处理的刀片同时进行了金刚石薄膜沉积。通过激光喇曼、压痕和切削实验对其涂层的附着力进行分析、对比。结果表明 ,真空渗硼和施加铜过渡层处理均可有效地提高硬质合金金刚石涂层的附着力(未处理试样涂层的附着力 <60 0N。施加铜过渡层处理试样附着力 <15 0 0N ,真空渗硼预处理试样附着力≥ 15 0 0N)。但两者相比较而言 。
- 苗晋琦宋建华赵中琴杨志威佟玉梅唐伟忠吕反修
- 关键词：预处理金刚石涂层附着力硬质合金金刚石薄膜
- 硬质合金工具强电流直流伸展弧等离子体CVD金刚石涂层的均匀性研究被引量：1
- 2003年
- 采用自行研制的强电流直流伸展电弧等离子体CVD设备对真空渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石涂层沉积 ,并对放于有效沉积区域不同位置沉积出的金刚石涂层刀片以及刀片自身不同位置之表面涂层的形貌、厚度、质量进行了分析、研究。结果表明 :( 1)、硬质合金工具强电流直流伸展弧等离子体CVD金刚石涂层的组织、形貌、厚度、质量都是均匀一致的。 ( 2 )、利用强电流直流伸展电弧等离子体CVD设备可进行硬质合金金刚石涂层的批量沉积。
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- 关键词：CVD金刚石涂层均匀性硬质合金工具等离子体
- 线形同轴耦合式微波等离子体CVD法制备金刚石薄膜被引量：13
- 2004年
- 线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置是一种利用微波天线产生轴向分布的等离子体柱的新型微波等离子体CVD装置。由于它产生的等离子体是沿微波天线分布的 ,因而可避免石英管式、石英钟罩式以及不锈钢谐振腔式微波等离子体CVD装置中等离子体的分布容易受到金属工件位置干扰的缺点。本文将首先讨论线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置的工作原理 ,其后介绍利用此装置进行的金刚石薄膜沉积实验的初步结果。实验结果表明 ,利用线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置 。
- 杨志威陈立民耿春雷唐伟忠吕反修苗晋琦赵中琴
- 关键词：金刚石薄膜微波等离子体CVD法
- 含金刚石的复相过渡层及Al_2O_3衬底上金刚石薄膜的附着力被引量：3
- 2004年
- 采用微波等离子体化学气相沉积的方法,以H_2和八甲基环四硅氧烷(D_4)为原料,在H_2(Ⅱ):H_2(Ⅰ,为带动D_4的载气)的流量比23:1,P=5332.88Pa,Ts=850℃左右的工艺条件下,制备了含有金刚石及一定量SiO_2和SiC的复相薄膜。初步的实验结果表明,金刚石相可在该复相薄膜上继续生长,进而形成高质量的金刚石薄膜。同时,与在Al_2O_3衬底上直接沉积的金刚石涂层相比,采用上述复相薄膜作为过渡层可明显地提高金刚石涂层对于Al_2O_3陶瓷衬底的附着力。
- 赵中琴唐伟忠苗晋琦吕反修李成明陈广超杨志威
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜过渡层MPCVD
- 一种金刚石涂层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>电子陶瓷基片制备方法
- 本发明提供了一种金刚石涂层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体...
- 唐伟忠赵中琴吕反修李成明陈广超佟玉梅
- 文献传递
- 一种金刚石涂层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>电子陶瓷基片制备技术
- 本发明提供了一种金刚石涂层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体...
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