佟玉梅
- 作品数：67 被引量：184H指数：8
- 供职机构：北京科技大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 大面积无衬底自支撑金刚石厚膜沉积被引量：12
- 2000年
- 讨论了在采用直流电弧等离子体喷射CVD工艺沉积大面积无衬底自支撑金刚石厚膜时遇到的若干技术问题．在制备过程中经常出现的膜炸裂现象，主要是由于膜和衬底材料线膨胀系数差异引起的巨大热应力，而衬底表面状态的控制、沉积过程中工艺参数的优化和控制也是一个重要的因素．因此，必须对整个金刚石厚膜沉积过程进行严格而系统的控制，才能有效地保证获得无裂纹大面积金刚石自支撑厚膜．
- 黄天斌刘敬明钟国仿唐伟忠佟玉梅吕反修
- 大功率DC Arc Plasma Jet CVD制备微／纳米复合金刚石自支撑膜的研究
- 在30kW级DC Arc Plasma Jet CVD装置下,采用Ar-H2-CH4混合气体, 在钼衬底上制备出了复合金刚石自支撑膜,并对其表面和侧面分别进行了扫描电镜 （SEM）、X射线衍射（XRD）、激光拉曼光谱（R...
- 兰昊陈广超戴风伟李彬唐伟忠李成明宋建华J．Askari黑立富佟玉梅吕反修
- 文献传递
- 用有限元模拟的方法研究大面积自支撑金刚石膜沉积过程中的热应力被引量：2
- 2008年
- 建立了没有过渡层和有过渡层的有限元模型,对大面积自支撑金刚石膜沉积过程中的热应力进行了研究。分别计算了在常用金属材料钼、钨、镍作衬底和用镀有钛过渡层的钼作衬底的情况下,膜/衬底间的热应力分布情况。模拟与实验的结果表明,在大面积自支撑金刚石膜沉积过程中,采用镀有钛过渡层的钼作衬底有利于热应力的释放,从而可能制备出高质量的大面积无裂纹金刚石膜。
- 刘政李成明牛得草唐伟忠陈广超宋建华佟玉梅吕反修
- 关键词：有限元热应力
- 大面积光学级金刚石自支撑膜制备、加工及应用
- 大面积光学级金刚石自支撑膜的制备和加工是近年来在CVD金刚石研究领域的最重要的技术进展之一.在军事和民用光学领域有非常重要的应用前景.本文综述了北京科技大学近年来在CVD金刚石膜光学应用领域的研究进展.给出了采用高功率直...
- 吕反修唐伟忠李成明陈广超佟玉梅宋建华
- 关键词：光学性能热学性能机械性能微波介电性能
- 文献传递
- 大面积金刚石膜沉积过程中的热应力分析被引量：1
- 2000年
- 应用实际工作状态的边界条件计算了金刚石膜中的热应力分布，并用实验手段进行 了验证．结果认为，金刚石膜的热应力沿径向是不均匀的，中间的热应力要比边部的大，主要是 压应力．这种很大的压应力，容易引起金刚石膜的炸裂．
- 黄天斌刘敬明唐伟忠佟玉梅于文秀吕反修
- 关键词：大面积金刚石膜热应力
- 一种金刚石涂层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>电子陶瓷基片制备技术
- 本发明提供了一种金刚石涂层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体...
- 唐伟忠赵中琴吕反修李成明陈广超佟玉梅
- 文献传递
- 微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜研究被引量：3
- 1996年
- 本文系统研究了石英钟罩式微波等离子体辅助化学气相沉积装置对沉积金刚石薄膜的影响。与石英管式微波等离子体沉积装置相比，该装置能使用较高的沉积气压、较大的气体流量和较高的微波功率。本文着重研究了沉积气压、气体流量和甲烷浓度对金刚石薄膜形貌和生长速度的影响。发现生长速度随着沉积气压和甲烷浓度的增大而增大，晶体形态随着甲烷浓度的增大而变差。并使用该装置成功地在４００℃低温沉积了６０ｍｍ的金刚石薄膜。
- 王建军吕反修于文秀佟玉梅邬钦崇王守国
- 关键词：金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积
- 沉积参数对CVD金刚石晶粒尺寸的影响被引量：2
- 2007年
- 采用DC Arc Plasma Jet CVD方法制备了金刚石自支撑膜体,考察了温度分布、沉积腔压和CH4/H2等沉积参数对所制备金刚石膜体中的晶粒尺寸的影响.实验发现沿温度降低的方向和增加腔压会使晶粒尺寸变大,当CH4/H2超过15%后,有带刻面的晶粒出现.本次实验最大的晶粒对角线长度超过1mm.
- 陈广超兰昊李彬戴风伟AskariJ黑立富宋建华李成名唐伟忠佟玉梅吕反修
- 关键词：金刚石晶粒尺寸
- 一种金刚石膜剪切器
- 一种金刚石膜剪切器，属于金刚石膜加工技术领域。包括：刀杆、刀头、压块和垫块四部分；其中，刀头和刀杆采用钎焊连接，压块和垫块具有同轴螺纹，彼此间采用螺栓连接。刀头和刀杆构成装置的滑动部件，可在压块的特定滑道上高速滑动，起高...
- 陈广超戴风伟兰昊李彬杰·阿斯卡瑞唐伟忠李成明宋建华黑立富佟玉梅吕反修
- 文献传递
- 直流电弧等离子喷射CVD中控制生长(111)晶面占优的金刚石膜被引量：4
- 2006年
- 运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系,发现了C2基元比其他基元对沉积参数更加敏感。利用光发射谱对C2基元发射强度的监测,实时调控沉积各参数,在大功率直流电弧等离子喷射CVD中实现了(111)晶面占优的金刚石膜的可控生长,I(111)/I(220)XRD衍射峰强度的比值达48。
- 周祖源陈广超戴风伟兰昊宋建华李彬佟玉梅李成明黑立富唐伟忠
- 关键词：金刚石膜
