谷锦华
- 作品数：62 被引量：115H指数：6
- 供职机构：郑州大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>
- 最佳缓冲层下微晶硅薄膜pin型太阳电池的数值模拟
- 2011年
- 运用由美国宾州大学开发的AMPS-1D计算机模拟软件,模拟了在最佳缓冲层和无缓冲层的情况下,太阳电池的各性能参数随本征层厚度的变化、太阳电池的J-V特性和量子效率以及不同晶化率的本征活性层对太阳电池各性能参数和量子效率的影响。模拟结果表明:在最佳缓冲层100nm时,太阳电池的各性能参数比无缓冲层时有所提高;随着本征层晶化率X_c的增大,太阳电池的量子效率QE在长波段有明显提高;本征层晶化率高的太阳电池,具有较高的短路电流J_(SC),低的开路电压V_(OC)、转换效率Eff和填充因子FF。
- 张伟丽卢景霄王志永陈永生郜小勇杨仕娥谷锦华
- 关键词：太阳电池
- 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构被引量：6
- 2005年
- 采用x射线小角散射 (SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积 (rf PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积 (PE HWCVD)技术制备的微晶硅 (μc Si:H)薄膜的微结构 .实验发现 ,在相同晶态比的情况下 ,PECVD沉积的 μc Si:H薄膜微空洞体积比小 ,结构较致密 ,HWCVD沉积的 μ Si:H薄膜微空洞体积比大 ,结构较为疏松 ,PE HWCVD沉积的 μc Si:H薄膜 ,由于等离子体的敲打作用 ,与HWCVD样品相比 ,微结构得到明显改善 .采用HWCVD二步法和PE HWCVD加适量Ar离子分别沉积 μc Si:H薄膜 ,实验表明 ,微结构参数得到了进一步改善 .4 5°倾角的SAXS测量显示 ,不同方法制备的 μc Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性 .红外光谱测量也证实了SAXS的结果 .
- 周炳卿刘丰珍朱美芳谷锦华周玉琴刘金龙董宝中李国华丁琨
- 关键词：微晶硅薄膜微结构
- 低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究
- 为了研究微晶硅薄膜的生长机制,本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)制备一系列不同生长阶段的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,用原子力显微镜(AFM),系统地研究表面形貌的演化.通过分形理论分析均方根表面粗糙度δ与薄膜厚度d...
- 谷锦华周玉琴朱美芳周炳卿刘丰珍刘金龙张群芳
- 关键词：表面形貌微晶硅薄膜热丝化学气相沉积
- 文献传递
- Al纳米颗粒增强微晶硅薄膜太阳电池光吸收的模拟研究被引量：5
- 2015年
- 利用价格低廉、性能优良的金属纳米颗粒增强太阳电池的光吸收具有广阔的应用前景.通过建立三维数值模型,模拟了微晶硅薄膜电池前表面周期性分布的Al纳米颗粒阵列对电池光吸收的影响,并对其结构参数进行了优化.模拟结果表明:对于球状Al纳米颗粒阵列,影响电池光吸收的关键参数是周期P与半径R的比值,或者说是颗粒的表面覆盖度;当P/R=4—5时,总的光吸收较参考电池提高可达20%.与球状颗粒相比,优化后的半球状Al纳米颗粒阵列可获得更好的陷光效果,但后者对颗粒半径R的变化较敏感.另外,结合电场分布,对电池光吸收增强的物理机理进行了分析.
- 丁东杨仕娥陈永生郜小勇谷锦华卢景霄
- 关键词：表面等离激元太阳电池
- 微晶硅太阳电池中的p型层对本征层结构特性的影响
- 2011年
- 本文采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜,通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了p型微晶硅层对本征微晶硅薄膜结构特性的影响。实验结果表明:在薄膜生长初期,与玻璃衬底上生长的本征微晶硅薄膜相比,微晶p层上的硅薄膜表面粗糙度较大,非晶孵化层较薄;随本征薄膜厚度的增加,玻璃衬底上生长的本征微晶硅薄膜的粗糙度大于微晶p层上生长的本征微晶硅薄膜,相比之下,微晶p层上的本征微晶硅薄膜生长得比较均匀。
- 丁艳丽谷锦华
- 关键词：微晶硅薄膜表面粗糙度
- 非晶硅太阳电池宽光谱陷光结构的优化设计被引量：7
- 2013年
- 陷光是改善薄膜太阳电池光吸收进而提高其效率的关键技术之一.以非晶硅(α-Si)薄膜太阳电池为例,设计了一种新的复合陷光结构:在Ag背电极与硅薄膜之间制备一维Ag纳米光栅,并通过保形生长在电池前表面沉积织构的减反膜.采用有限元数值模拟方法,研究了该复合陷光结构对电池光吸收的影响,并对Ag纳米光栅的结构参数进行了优化.模拟结果表明:该复合陷光结构可在宽光谱范围内较大地提高太阳电池的光吸收;当Ag纳米光栅的周期P为600 nm,高度H为90 nm,宽度W为180 nm时,在AM1.5光谱垂直入射条件下α-Si薄膜电池在300—800 nm波长范围内总的光吸收较无陷光结构的参考电池提高达103%,其中在650—750 nm长波范围内的光子吸收率提高达300%以上.结合电场强度分布,对电池在各个波段光吸收提高的物理机制进行了分析.另外,该复合陷光结构的引入,还较大地改善了非晶硅电池对太阳光入射角度的敏感性.
- 贾玉坤杨仕娥郭巧能陈永生郜小勇谷锦华卢景霄
- 关键词：非晶硅太阳电池数值模拟
- 化学腐蚀法制备多晶硅的绒面被引量：11
- 2004年
- 为了降低光在多晶硅表面的反射,采用化学腐蚀法在其表面制备了绒面。根据反射光谱的测试结果,研究了不同多晶硅绒面的形貌特征及光学特性。在适当的腐蚀液中制备了3×3cm2、5×5cm2和10×10cm2多晶硅绒面。10×10cm2多晶硅绒面,在300～1100nm波长范围内的加权反射率的最好结果为5 2%,表面织构均匀,这一结果可以和具有双层减反射膜的多晶硅表面的反射率相比拟。
- 卢景霄孙晓峰王海燕李维强谷锦华
- 关键词：多晶硅化学腐蚀绒面多孔硅减反射膜
- 射频磁控溅射低温制备ITO薄膜被引量：3
- 2015年
- 利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响。在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210 W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4%。在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8×10-4Ω·cm,透光率不变。
- 王秀娟司嘉乐杨德林谷锦华卢景霄
- 关键词：ITO薄膜射频磁控溅射电阻率
- 银纳米光栅增强非晶硅太阳电池光吸收的模拟研究
- 金属表面等离激元增强太阳电池的光吸收是当前光伏领域研究的热点.采用有限元数值模拟方法,研究了非晶硅薄膜太阳电池前表面上进行栅状织构后表面加入银纳米光栅对电池光吸收的影响,通过计算了不同形状,不同尺寸,不同周期分布下的银纳...
- 贾玉坤杨仕娥郭巧能陈永生谷锦华郜小勇贾瑜卢景霄
- 关键词：非晶硅薄膜太阳电池结构优化光吸收特性
- 射频PECVD高速沉积优质微晶硅薄膜
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术高速沉积优质微晶硅（μc-Si:H）薄膜。在等离子区屏蔽条件下,研究了沉积气压、射频功率、氢稀释度和电极间距等参数对μc-Si:H薄膜的沉积速率和电学性质的影响。通...
- 周炳卿朱美芳刘丰珍刘金龙谷锦华
- 关键词：PECVD微晶硅薄膜
