杨仕娥
- 作品数：129 被引量：451H指数：12
- 供职机构：郑州大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 采用钛-铝-钼过渡层在铜基底上沉积金刚石薄膜的研究被引量：7
- 2005年
- 采用钛-铝-钼过渡层研究了铜基片上金刚石薄膜的化学气相沉积。用SEM和Raman谱研究了薄膜的形貌和质量。用XRD分析了膜基间形成的化合物的成分,并进一步分析了铝的存在对膜基结合力的影响。实验证明,钛-铝-钼过渡层的存在显著提高了金刚石薄膜与铜基底的结合力。
- 程春晓姚宁马丙现杨仕娥赵永梅张兵临
- 关键词：金刚石薄膜过渡层基底钼钛RAMAN谱
- 微晶硅薄膜甚高频高速沉积初期的生长控制
- 采用拉曼光谱、椭圆偏振光谱和原子力显微镜分析了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)微晶硅(μc-si：H)薄膜的初期生长特性。研究发现在生长初期，由于硅烷的逆扩散和玻璃表面的非晶诱导作用使得在薄膜和玻璃界...
- 陈永生杨仕娥谷锦华郜小勇卢景霄王英君
- 关键词：微晶硅薄膜
- 文献传递
- 透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究被引量：1
- 2007年
- 本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大。通过I-V测试仪测试了ZnO:Al/p-Si:H、SnO2/p-Si:H和SnO2/ZnO:Al/p-Si:H的接触特性,结果显示ZnO:Al/p-Si:H的接触特性并不比SnO2/p-Si:H差。
- 吴芳王海燕卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健
- 关键词：透明导电膜晶化率
- H_2稀释在PECVD法制备微晶硅薄膜中的影响被引量：3
- 2006年
- 利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了H稀释度D=H 2/(H 2+SiH 4)对在玻璃和不锈钢衬底上低温制备微晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸、薄膜质量等的影响。结果表明,随着硅烷浓度的降低,样品的晶化率、晶粒尺寸有所改变。当D=99%时,晶粒突然变大,晶化率显著提高。因此,我们认为此时的硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。
- 王生钊卢景霄王红娟刘萍陈永生张丽伟杨仕娥郜小勇
- 关键词：PECVD微晶硅薄膜
- 类富勒烯纳米晶CN_x薄膜及其场致电子发射特性被引量：6
- 2004年
- 利用微波等离子体增强化学气相沉积技术制备出了CNx 薄膜 ,并利用x射线光电子能谱、x射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱等测试手段对所制备的CNx 薄膜的微结构和成分进行了分析 .研究了其场致电子发射特性 .发现薄膜的结构和场发射特性与反应系中的甲烷、氮气及氢气的流量比有关 ,当甲烷、氢气及氮气流量比为 8 5 0 5 0sccm时 ,制备的薄膜具有弯曲层状的纳米石墨晶体结构 (类富勒烯结构 )和很好的场发射特性 .场发射阈值电场降低至 1 1V μm .当电场为 5 9V μm时 ,平均电流密度达 70 μA cm2 ,发射点密度大于 1× 10 4 cm- 2 .
- 张兰马会中李会军杨仕娥姚宁胡欢陵张兵临
- 关键词：碳氮薄膜薄膜生长场致电子发射扫描电子显微镜RAMAN光谱
- CVD金刚石膜生长过程的Raman分析被引量：13
- 2002年
- 采用激光Raman散射分析法对CVD金刚石膜的生长过程进行研究 ,讨论在金刚石膜生长的不同阶段 。
- 杨仕娥李会军边超王小平马丙现姚宁张兵临
- 关键词：CVD金刚石膜RAMAN散射非晶碳化学气相沉积
- 立方相GaN/β-SiC(100)(2×1)混合界面的电子结构被引量：1
- 2003年
- 讨论了含有一个混合层的GaN/ β SiC(10 0 ) (2× 1)重构界面模型 ,在此基础上提出了 (2× 1)混合界面在层轨道表象中的微扰势形式 ,计算了立方相GaN/ β SiC(10 0 )异质结中N/Si界面的电子结构和波矢分辨的层态密度 ,详细讨论了混合界面的原子结构对界面电子结构和层态密度的影响 .结果表明 :混合界面降低了表面态的对称性 ,能量简并消失并产生新的界面态 .层态密度计算结果显示 ,几乎所有界面态都局域在界面附近 ,界面上新形成的化学键使半共振态在界面的一侧高度局域 。
- 宋友林杨仕娥贾瑜
- 关键词：半导体电子结构
- 在多孔硅上外延硅膜的研究
- 固相晶化(SPC)技术制备太阳电池是值得研究的方向.我们用电化学电解的方法在硅片上制备了多孔硅,在多孔硅上用PECVD设备沉积了非晶硅薄膜,对非晶硅薄膜在550℃进行了固相晶化.用拉曼光谱仪、XRD和扫描电镜等手段对硅薄...
- 郭敏张宇翔李红菊王海燕陈永生杨仕娥郜晓勇李维强卢景霄
- 关键词：多孔硅硅薄膜拉曼光谱仪太阳电池
- 文献传递
- 硅烷注入方法的光谱分析及在微晶硅太阳能电池中的应用
- SR500 光谱光度计对VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜时硅烷不同馈入方式进行了在线监测,并制备了单结微晶硅薄膜太阳能电池.研究发现,相比于硅烷一次性注入,梯度注入时,电子温度缓慢降低,使得Ha*/Hb*和SiH*峰...
- 李新利周建朋陈永生卢景霄杨仕娥谷锦华焦岳超李瑞
- 关键词：微晶硅太阳能电池
- 不锈钢衬底的抛光处理对碳纳米管薄膜场发射性能的影响(英文)被引量：10
- 2005年
- 在抛光的和未抛光的不锈钢衬底上,利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法从甲烷和氢气的混合气体中沉积碳纳米管薄膜,并对其场发射性能进行了研究。实验发现,不锈钢衬底的机械抛光能降低碳纳米管膜的开启场强,增大它的发射电流密度。在同一场强7.5 V/μm下,衬底未抛光样品的电流密度为2.9 mA/cm2,而衬底抛光样品的电流密度达到5.5 mA/cm2。低开启场强和大发射电流密度意味着β增大,说明机械抛光能使碳纳米管膜的β增大。
- 樊志琴朱庆芳杨仕娥姚宁鲁占灵张兵临
- 关键词：碳纳米管膜场发射MPCVD拉曼光谱
