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袁超

作品数：48 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇中文专利

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学

主题

  • 15篇麦克风
  • 14篇牺牲层
  • 13篇空气隙
  • 12篇MEMS麦克...
  • 11篇电极
  • 11篇振动膜
  • 9篇衬底
  • 8篇图形化
  • 8篇介质层
  • 7篇电极结构
  • 7篇金属
  • 7篇半导体
  • 6篇刻蚀
  • 6篇互连
  • 6篇MEMS
  • 5篇微电子
  • 5篇微电子机械
  • 5篇微电子机械系...
  • 5篇微桥结构
  • 5篇晶圆

机构

  • 48篇上海集成电路...

作者

  • 48篇袁超
  • 27篇康晓旭
  • 9篇左青云
  • 4篇李佳青
  • 4篇周炜捷
  • 2篇王伟军
  • 2篇赵宇航
  • 2篇陈燕
  • 2篇陈寿面
  • 1篇池积光

年份

  • 1篇2019
  • 9篇2018
  • 6篇2017
  • 10篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 8篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2011
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MEMS热电堆结构及其制造方法
本发明公开了一种多个热电偶串联成的MEMS热电堆结构，包括：半导体衬底；第一导热层；第二导热层；由第一热偶材料形成的第一热偶层，部分置于所述第二导热层中，另一部分悬空于述衬底上；形成于第一热偶层上的热偶垂直部，其包括由第...
袁超
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一种微辐射探测器的微桥结构及其阵列
本发明属于半导体技术中的微电子机械系统领域，公开了一种微辐射探测器的微桥结构及其阵列，其包括半导体衬底、桥面、梁以及支撑柱，其中，桥面悬空设置在半导体衬底上，四个梁分别从桥面的边角处引出，四个支撑柱均架设在半导体衬底上，...
袁超
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电容式硅麦克风及其制备方法
本发明涉及一种电容式硅麦克风的制备方法，电容式硅麦克风与一集成电路集成于同一衬底上，包括：在衬底上形成分别用于制作集成电路和硅麦克分电路的第一、第二区域，第二区域包括一钝化层、一器件组和一介质层，器件组包括第一、第二器件...
康晓旭袁超陈燕
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一种MEMS麦克风结构及其制造方法
本发明公开了一种MEMS麦克风结构，包括衬底，其具有腔体；第一介质层，形成于衬底上表面，具有与所述腔体相通的通孔；下电极结构，其包括相互连接的下电极主体部及第一引出部，下电极主体部位于所述通孔上方，第一引出部与所述第一介...
康晓旭陈寿面袁超
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一种MEMS麦克风结构及其制造方法
本发明公开了一种MEMS麦克风结构，其包括具有腔体的半导体衬底；具有与腔体相通的通孔的第一介质层；位于通孔上方且至少部分与第一介质层的上表面接触的下电极振动膜，下电极振动膜通过下电极连接部引出；以及具有绝缘层的上电极结构...
袁超康晓旭左青云
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CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法
本发明公开了一种CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法，包括：利用标准CMOS工艺在硅衬底上制备光敏元件和用于CMOS器件的多层结构，光敏元件上方定义深沟槽图形，光敏元件上方自下而上制备栅极氧化层、刻蚀阻挡层和互连介质层；...
康晓旭赵宇航袁超左青云
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电容式硅麦克风及其制备方法
本发明涉及一种电容式硅麦克风的制备方法，电容式硅麦克风与一集成电路集成于同一衬底上，包括：在衬底上形成分别用于制作集成电路和硅麦克分电路的第一、第二区域，第二区域包括一钝化层、一器件组和一介质层，器件组包括第一、第二器件...
康晓旭袁超陈燕
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一种具有褶皱型振动膜的MEMS麦克风及其制造方法
本发明公开了一种具有褶皱型振动膜的MEMS麦克风及其制造方法，通过利用具有凹凸表面形貌的介质牺牲层，在其上形成具有对应凹凸褶皱结构的振动膜，使振动膜的内应力得以释放、刚度得以降低，从而提高了麦克风的灵敏度；所述振动膜设有...
袁超康晓旭
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用于在线SEM观察的SEM样品夹具及SEM样品观察方法
本发明提供了一种用于在线SEM观察的SEM样品夹具及SEM样品观察方法，通过提供一种圆盘形金属支架，所述圆盘形金属支架具有一个或者多个沟槽，SEM样品置于所述沟槽中，由此，将SEM样品包装成了完整晶圆的形状，从而便可利用...
袁超
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一种MEMS谐振腔结构
本发明提供了一种MEMS谐振腔结构，包括：半导体衬底；第一支撑柱，所述第一支撑柱设置于所述半导体衬底上；反射层，所述反射层设置于所述第一支撑柱上；第二支撑柱，所述第二支撑柱设置于所述反射层上；结构层，所述结构层设置于所述...
袁超
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