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苏本法

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇正电子
  • 3篇正电子湮没
  • 3篇最小二乘
  • 3篇最小二乘法
  • 1篇电子辐照
  • 1篇微结构
  • 1篇离子辐照
  • 1篇辐照
  • 1篇半导体
  • 1篇GASB
  • 1篇材料微结构

机构

  • 5篇武汉大学

作者

  • 5篇苏本法
  • 4篇王柱
  • 3篇王少阶
  • 3篇黄长虹
  • 1篇邵云东

传媒

  • 2篇第九届全国正...
  • 1篇原子核物理评...
  • 1篇第九届全国正...

年份

  • 5篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
符合多普勒展宽谱的源修正研究
2005年
测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。
苏本法王柱黄长虹王少阶
关键词:正电子湮没最小二乘法
CDB的源修正
本文测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度.并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响.文章中用高斯-抛物线模型拟合...
苏本法王柱黄长虹王少阶
关键词:正电子湮没最小二乘法
文献传递
CDB的源修正
我们测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度。并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响。文章中用高斯.抛物线模型拟合...
苏本法王柱黄长虹王少阶
关键词:正电子湮没最小二乘法
文献传递
电子辐照在研究半导体材料微结构中的应用
电子辐照在研究半导体材料微结构和半导体器件制造中是一种非常重要的技术。电子辐照可在半导体材料中引入深能级,从而改变少子寿命。电子辐照在这方面的已有广泛应用。快速可控硅可在较高频率下工作,在逆变变频、节能和脉冲电路中具有广...
邵云东王柱苏本法
文献传递
用符合多普勒展宽谱研究离子辐照对GaSb材料中缺陷的影响
GaSb材料是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是直接带隙半导体,OK下禁带宽度为0.822eV,300K下禁带宽度为0.725eV。其晶格常数为0.60959nm,此数值位于各种三元、四元的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体之间,因而...
苏本法
关键词:GASB辐照
文献传递网络资源链接
共1页<1>
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