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邵云东

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：武汉大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇正电子
  • 3篇半导体
  • 2篇电子辐照
  • 2篇正电子湮没
  • 2篇微结构
  • 2篇半导体材料
  • 2篇GASB
  • 1篇电源
  • 1篇上升时间
  • 1篇示波器
  • 1篇数字示波器
  • 1篇脉冲幅度
  • 1篇价格优势
  • 1篇高压电源
  • 1篇材料微结构

机构

  • 4篇武汉大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇王柱
  • 4篇邵云东
  • 1篇苏本法
  • 1篇李辉
  • 1篇赵有文
  • 1篇王少阶
  • 1篇唐方圆

传媒

  • 2篇第九届全国正...
  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷被引量：2
2006年
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷.
邵云东王柱赵有文唐方圆
关键词：GASB正电子湮没电子辐照
一种移动式数字正电子寿命谱仪
本发明涉及一种移动式数字正电子寿命谱仪，包括设置有数字正电子寿命谱分析绘制系统的数字示波器、两个相对设置的光电探测器、高压电源。本发明设计的数字正电子寿命谱仪元部件少，运输方便，极易组装和使用，并能软件中实现脉冲幅度、脉...
李辉王柱邵云东王少阶
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电子辐照在研究半导体材料微结构中的应用
电子辐照在研究半导体材料微结构和半导体器件制造中是一种非常重要的技术。电子辐照可在半导体材料中引入深能级,从而改变少子寿命。电子辐照在这方面的已有广泛应用。快速可控硅可在较高频率下工作,在逆变变频、节能和脉冲电路中具有广...
邵云东王柱苏本法
文献传递
用正电子湮没技术研究半导体材料GaSb的微结构
GaSb是一种新兴的半导体光电材料,它有禁带宽度窄的特点,可以用来制作长波长发光器件及其衬底,在制作太阳能电池方面也有着非常广阔的前景。GaSb体材料中的缺陷种类多而且复杂,许多研究者都怀疑原生GaSb呈P型的原因就是其...
邵云东王柱
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