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肖少庆

作品数：9 被引量：15H指数：2
供职机构：江南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇等离子体
  • 2篇电特性
  • 2篇光电
  • 2篇光电特性
  • 2篇发光
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇氮化镓基发光...
  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇电池
  • 1篇电流
  • 1篇电容
  • 1篇电容特性
  • 1篇电子阻挡层
  • 1篇学科
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结太阳电...
  • 1篇阴极射线

机构

  • 6篇江南大学
  • 3篇教育部
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇无锡中微掩模...

作者

  • 9篇肖少庆
  • 8篇顾晓峰
  • 7篇闫大为
  • 3篇王福学
  • 2篇姚尧
  • 2篇牟文杰
  • 2篇杨国锋
  • 2篇翟阳
  • 1篇张秀梅
  • 1篇李丽莎
  • 1篇虞致国
  • 1篇张学成
  • 1篇杨国峰
  • 1篇黄宇
  • 1篇周晶晶
  • 1篇罗俊
  • 1篇南海燕
  • 1篇刘晶晶
  • 1篇蔡小龙

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇无锡职业技术...

年份

  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
校企合作提高本科教育质量的探索——以微电子学科为例被引量：3
2014年
校企合作对提高微电子学科本科教育教学质量起着重要的作用。根据目前该专业在教学、实践和科研中存在的问题,提出从"学研结合"、"在职人员互聘"、"共建实验室"三个方面着手,培养高层次的微电子专业创新型人才。
王福学虞致国肖少庆闫大为
关键词：校企合作教学模式
图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响被引量：2
2015年
在传统蓝宝石衬底(CSS)和图形化蓝宝石衬底(PSS)上分别制备了结构相同的GaN基蓝光发射二极管(LEDs),测试并比较了这两种不同衬底器件的电流与发光特性。结果表明,与CSS-LED相比,PSS-LED在-4V处的反向漏电流降低了两个数量级,峰值波长基本不随电流增大而发生显著蓝移,半高宽、输出功率与外量子效率等发光性能也获得明显改善。PSS-LED反向漏电流的减小主要归功于外延层中位错密度的降低,发光性能的改善主要是因为PSS减少了光在LED内部的全反射,提高了光的析出率;PSS-LED的外量子效率随电流下降的行为(droop)并未明显改善,表明位错可能不是引起效率droop的主要原因。
李丽莎闫大为管婕杨国锋王福学肖少庆顾晓峰
关键词：氮化镓基发光二极管光学特性
组份渐变电子阻挡层对InGaN/GaN LED光电特性的影响被引量：1
2016年
利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电流水平下发光效率的下降情况。能带模拟结果进一步表明,三角形组份渐变EBL结构显著提高了导带底的电子势垒,可有效限制电子向P型GaN层的泄露,同时减小了价带顶的空穴势垒,可增强P型GaN层的空穴向有源区的注入效率,改善其在量子阱内的浓度分布。
管婕翟阳闫大为罗俊肖少庆顾晓峰
原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究被引量：1
2016年
基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,可看作向正偏压方向平移了的理想电容曲线。在深耗尽状态下背入射365nm的紫外光后,大量的光生空穴有效地复合准费米能级以上的界面被陷电子,并允许电子在偏压扫描回积累区的过程中逐渐填充这些被排空的界面态,导致C-V曲线发生形变。基于上述物理过程,获得了一个快速衰减的界面态能级分布:从导带底至以下0.8eV,态密度从2.5×10^(12)cm^(-2)eV^(-1)减小至9×10^(10)cm^(-2)eV^(-1)。
黄宇牟文杰闫大为杨国峰肖少庆顾晓峰
关键词：原子层沉积电容特性
图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器被引量：1
2017年
在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm^2;(2)在零偏压情况下,紫外/可见光抑制比为~4.2×10~3,最高的响应度为~0.147A/W,最大外量子效率为~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均开启和关闭瞬态响应常数分别为115μs和120μs,基本不随偏压变化,且具有很好的热稳定性;(4)零偏压下热噪声限制的极限探测率为~5.5×10^(13)cm·Hz^(1/2)/W。
翟阳牟文杰闫大为杨国锋蒋敏峰肖少庆顾晓峰
关键词：光电特性热噪声
基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究被引量：2
2016年
本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(Si H_4)、氮气(N_2)和氢气(H_2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(Si Nx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果。结果表明,氮硅原子比为0.4的Si N0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29%,而且其钝化效果最好。最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 m V。
周晶晶肖少庆姚尧顾晓峰
关键词：SINX等离子体化学气相沉积表面钝化
温和氢气等离子体对薄层二硫化钼的影响研究被引量：2
2017年
薄层二硫化钼(MoS_2)作为一种二维过渡金属硫属化合物(TMDC)具有较好的光学和电学特性,在目前的半导体光电功能器件领域中具有良好的应用前景。本文主要采用一种温和等离子体技术并在以氢气作为先驱气体的环境下对薄层二硫化钼进行处理,研究处理前后以及后续退火后薄层二硫化钼的光学与电学特性的变化。研究表明,氢原子在温和等离子体的作用下会渗入薄层MoS_2,从而改变原始的晶格结构并影响MoS_2的晶格振动,导致荧光淬灭,同时使薄层MoS_2趋于本征或者p型。后续退火会引起极少数MoS_2分子与氢原子的重新键合,从而改变其带隙。
张学成肖少庆南海燕张秀梅闫大为顾晓峰
关键词：拉曼光谱荧光场效应晶体管
利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化被引量：3
2016年
运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶H(n)/a-Si∶H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律。结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020cm^(-3),晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×10^(16)cm^(-3),以ZnO为TCO层且Zn O的功函数低于4.4 e V时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18%。
姚尧肖少庆刘晶晶顾晓峰
关键词：异质结太阳电池透明导电氧化物薄膜功函数
四足棒球棒状ZnO纳/微米材料的制备及其生长机理的研究
2014年
采用简单的碳热蒸发法在硅衬底上制备了四足棒球棒状ZnO纳/微米材料,结合光致发光谱(PL)、阴极射线发光谱(CL)、XRD谱、SEM以及TEM等分析了该材料的结构和发光特性。结果表明,制备的单晶ZnO纳/微米材料具有纤锌矿结构,并且沿着c轴方向择优生长;每个纳/微米结构有四个足,每个足的直径约为0.2～1.5μm,长度约为3～10μm;室温光致发光谱中包含一个384 nm附近的较弱的近紫外发光峰和一个519 nm附近的较强的绿色发光峰;在单个四足状ZnO纳/微米结构不同位置获得的阴极射线发光谱也被用于对比分析。最后讨论了Ni缓冲层的作用及ZnO四足棒球棒状的生长机理。
王福学蔡小龙闫大为肖少庆顾晓峰
关键词：ZNO阴极射线发光光致发光
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