闫大为
- 作品数：21 被引量：15H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- 氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
- 2014年
- 制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电阻效应显著的高偏压区,经典热发射机制占主导地位;(2)AlGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用,载流子的主要输运过程为Frenkel-Poole发射机制。
- 焦晋平任舰闫大为顾晓峰
- 关键词：铝镓氮氮化镓肖特基二极管
- 温和氢气等离子体对薄层二硫化钼的影响研究被引量：2
- 2017年
- 薄层二硫化钼(MoS_2)作为一种二维过渡金属硫属化合物(TMDC)具有较好的光学和电学特性,在目前的半导体光电功能器件领域中具有良好的应用前景。本文主要采用一种温和等离子体技术并在以氢气作为先驱气体的环境下对薄层二硫化钼进行处理,研究处理前后以及后续退火后薄层二硫化钼的光学与电学特性的变化。研究表明,氢原子在温和等离子体的作用下会渗入薄层MoS_2,从而改变原始的晶格结构并影响MoS_2的晶格振动,导致荧光淬灭,同时使薄层MoS_2趋于本征或者p型。后续退火会引起极少数MoS_2分子与氢原子的重新键合,从而改变其带隙。
- 张学成肖少庆南海燕张秀梅闫大为顾晓峰
- 关键词：拉曼光谱荧光场效应晶体管
- 具有物联网特色的微电子专业人才培养机制探索
- 2013年
- 物联网作为一门学科技术的新产物,国内相对应的具有物联网特色的微电子教学模式还不成熟。微电子技术为物联网技术提供硬件支撑,是物联网技术的重要组成部分。探讨在目前的微电子专业人才培养机制基础上,结合物联网技术特点,形成一个完整的具有物联网特色的微电子专业人才培养机制。
- 闫大为彭勇朱兆旻梁海莲赵琳娜
- 关键词：物联网微电子专业专业教学模式
- 自支撑衬底n-GaN肖特基接触的电流输运机制研究
- 2017年
- 在自支撑衬底n-GaN外延片上制备了圆形Ni/Au/n-GaN肖特基接触结构,测量和分析器件的变温电流-电压(I-V)特性,研究了其正向和反向电流的输运机制。结果表明:在正向偏压下,随着温度从300K增加至420K,器件的理想因子由1.8减小至1.2,表明在高温下复合机制逐渐被热发射机制替代;在反向小偏压下,漏电流表现显著的温度和电压依赖特性,且ln(I)-E^(1/2)数据满足较好线性规律,这表明肖特基效应的电子热发射机制应占主导;而在更高的反向偏压下,电流逐渐变成温度的弱函数,且数据遵循ln(I/E^2)-1/E线性依赖关系,该行为与Fowler-Nordheim隧穿特性一致。
- 牟文杰赵琳娜翟阳朱培敏陈雷雷闫大为顾晓峰
- 关键词：肖特基二极管肖特基效应
- 天线状ZnO纳米结构的光致发光特性及其生长机理
- 2014年
- 利用简单的碳热蒸发法在Si(100)衬底上成功制备了天线状的氧化锌纳米材料,并利用X光衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对样品进行了结构表征和光致发光特性研究。实验结果表明:制备的单晶氧化锌材料具有纤锌矿结构,并且沿着[0001]方向择优生长;每个纳米结构有4个针足,每个针足的顶部直径约为5-50nm;室温光致发光谱中包含1个386nm附近的较强的近紫外发光峰和1个523nm附近的较弱的绿色发光峰,分别由自由激子复合和深能级发射引起。同时讨论了天线状的氧化锌纳米材料在高温低氧条件下的生长机理。
- 蔡小龙王福学闫大为顾晓峰
- 关键词：氧化锌光致发光
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究被引量：2
- 2013年
- 本文首先制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况,然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机理,并使用失效分析技术光发射显微镜(EMMI)观测器件表面的光发射,研究了漏电流的时间依赖退化机理.实验结果表明:在栅压高于某临界值后,器件漏电流随时间开始增加,同时伴有较大的噪声.将极化电场引入电流与电场的依赖关系后,器件退化前后的log(IFP/E)与√E都遵循良好的线性关系,表明漏电流均由电子Frenkel-Poole(FP)发射主导.退化后log(IFP/E)与√E曲线斜率的减小,以及利用EMMI在栅边缘直接观察到了与缺陷存在对应关系的"热点",证明了漏电流退化的机理是:高电场在AlGaN层中诱发了新的缺陷,而缺陷密度的增加导致了FP发射电流IFP的增加.
- 任舰闫大为顾晓峰
- 关键词：ALGANGAN高电子迁移率晶体管漏电流
- 原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究被引量：1
- 2016年
- 基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,可看作向正偏压方向平移了的理想电容曲线。在深耗尽状态下背入射365nm的紫外光后,大量的光生空穴有效地复合准费米能级以上的界面被陷电子,并允许电子在偏压扫描回积累区的过程中逐渐填充这些被排空的界面态,导致C-V曲线发生形变。基于上述物理过程,获得了一个快速衰减的界面态能级分布:从导带底至以下0.8eV,态密度从2.5×10^(12)cm^(-2)eV^(-1)减小至9×10^(10)cm^(-2)eV^(-1)。
- 黄宇牟文杰闫大为杨国峰肖少庆顾晓峰
- 关键词：原子层沉积电容特性
- 回力标形状的ZnO纳米棒的制备和光致发光特性(英文)
- 2014年
- 在1 050°C条件下,利用碳热蒸发的方法在NiO覆盖的Si(100)衬底上制备了回力标形状的ZnO纳米棒,这是一种新的ZnO的纳米结构。通过结构分析,发现这种回力标形状的ZnO纳米棒具有纤锌矿结构。室温的光致发光图谱中有两个发光峰:380nm附近的弱近紫外发光峰和524nm及575nm附近较宽的绿光发光峰。拉曼谱以及X电子能量谱也用于研究其性质。最后讨论了缓冲层的作用及ZnO纳米棒的生长机理。
- 王福学蔡小龙闫大为朱兆旻顾晓峰
- 关键词：氧化锌纳米棒光致发光
- 单电子晶体管电流解析模型及数值分析被引量：1
- 2013年
- 本文首先建立单电子晶体管的电流解析模型,然后将蒙特卡罗法与主方程法结合进行数值分析,研究了栅极偏压、漏极偏压、温度与隧道结电阻等参数对器件特性的影响.结果表明:对于对称结,库仑台阶随栅极偏压增大而漂移;漏极电压增大,库仑振荡振幅增强,库仑阻塞则衰减;温度升高将导致库仑台阶和库仑振荡现象消失.对于非对称结,源漏隧道结电阻比率增大,库仑阻塞现象越明显.
- 苏丽娜顾晓峰秦华闫大为
- 关键词：单电子晶体管解析模型蒙特卡罗法
- 图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器被引量：1
- 2017年
- 在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm^2;(2)在零偏压情况下,紫外/可见光抑制比为~4.2×10~3,最高的响应度为~0.147A/W,最大外量子效率为~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均开启和关闭瞬态响应常数分别为115μs和120μs,基本不随偏压变化,且具有很好的热稳定性;(4)零偏压下热噪声限制的极限探测率为~5.5×10^(13)cm·Hz^(1/2)/W。
- 翟阳牟文杰闫大为杨国锋蒋敏峰肖少庆顾晓峰
- 关键词：光电特性热噪声
