潘海滨
- 作品数：10 被引量：46H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- GaN(110)表面原子及电子结构的第一性原理研究被引量：4
- 2004年
- 用缀加平面波加局域轨道方法计算了立方GaN及其非极性 ( 1 1 0 )表面的原子结构和电子结构 ,得到的GaN晶格常数及体积弹性模量与实验值符合得很好 .用层晶超原胞模型计算立方GaN ( 1 1 0 )表面的原子和电子结构 ,发现表面顶层原子发生键长收缩并旋转的弛豫特性 ,表面阳离子向体内移动 ,与周围阴离子形成sp2 杂化 ,而表面阴离子则形成p3 型锥形结构 .其面旋角为 1 4 .1°,比传统的Ⅲ V族半导体 ( 1 1 0 )表面面旋角 ( 30°± 2°)小得多 ,这主要与材料的离子性有关 .此外 ,在带隙附近还发现了两个表面态 ,一个是占据的表面态 ,主要是由N的p电子构成的 ;另一个是空态 ,主要由阳离子的轨道构成 .在驰豫后 ,这两个表面能带都移出带隙 ,分别进入导带和价带 。
- 李拥华徐彭寿潘海滨徐法强
- 关键词：GAN表面电子结构
- 金属夹层对Ge/GaAs(100)能带偏离影响的研究
- 1996年
- 用光电发射的方法研究了碱金属Na和碱土金属Mg对Ge／GaAs（100）异质结形成及能带偏离的影响。实验结果表明，Na和Mg的薄夹层可使Ge／GaAs（100）的价带偏离分别增加0．19和0．18eV。通过Na，Mg和Al夹层的对比研究，可认为金属夹层对异质结能带偏离的影响与金属的电负性及其与衬底的相互作用有关。
- 徐彭寿徐世红潘海滨陆尔东朱警生刘先明麻茂生
- 关键词：半导体异质结砷化镓锗
- GaN(100)表面结构的第一性原理计算被引量：16
- 2005年
- 用全势缀加平面波加局域轨道 (APW +lo)的方法计算了六方GaN及其非极性 ( 10 10 )表面的原子及电子结构 .计算出的六方GaN晶体结构参数 :晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算GaN( 10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性 .表面阳离子向体内移动 ,趋向于sp2 平面构形 ;而表面阴离子向体外移动 ,趋向于锥形的p3构形 .弛豫后 ,表面实现由半金属性向半导体性的转变 .并且 ,表面电荷发生大的转移 ,参与表面键的重新杂化 ,使得表面原子的离子性减弱共价性增强 。
- 李拥华徐彭寿潘海滨徐法强谢长坤
- 关键词：键长弛豫平面波晶格常数
- 一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究被引量：16
- 2005年
- 我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器 ,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长。由于采用悬臂式设计 ,它完全克服了高压短路的问题。电子束蒸发器的性能试验表明 ,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流。应用这种电子束蒸发器可以在 70 0℃ ,成功沉积出平整的单晶Si薄膜。进一步的试验表明 ,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点。
- 王科范刘金锋邹崇文徐彭寿潘海滨张西庚王文君
- 关键词：电子束蒸发SI(111)束流自组装单晶
- Gd/GaAs(100)的界面形成和电子结构被引量：2
- 1999年
- 利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47～ 0 9nm范围内 ,界面反应变得强烈 ;大于 0 9nm时 ,界面反应停止。在吸附过程中Gd 4 f首先是一单峰结构 ,随着Gd的增加 ,Gd 4 f演变为双峰结构。根据对实验数据的分析 。
- 孙玉明徐彭寿徐法强陆尔东张发培潘海滨许保宗张新夷
- 关键词：光电子能谱钆电子结构团簇砷化镓
- 锂对工业纯铜导电性能的作用效应被引量：2
- 2004年
- 用X光电子能谱仪及同步辐射装置分析了铜锂合金的表面电子结合能及费米面处的电子能态分布.研究表明:微量锂的加入影响了纯铜的价带,使纯铜费米面处的电子态密度下降,从而降低纯铜的导电率,但是由于锂具有良好的脱氧、除硫等净化作用,使纯铜中的其他杂质含量有所下降,因此两者相消后略微降低铜的导电率;随锂含量的增加,铜的导电率呈逐渐下降的趋势,这是因为尽管加入锂后脱气除杂效果显著,但残余的锂主要固溶于铜中,使铜的晶格产生畸变,同时提高了纯铜的表面电子结合能,从而使金属导电率有所下降.
- 朱达川宋之敏陈家钊涂铭旌潘海滨
- 关键词：导电率价带电子态密度
- 同步辐射光源光束线光学元件碳污染原位清洗研究被引量：1
- 2013年
- 通过采用射频等离子体对由于表面碳污染减少光通量的同步辐射光学元件进行原位清洗实验,利用质谱仪、X射线电子能谱对清洗过程以及表面变化进行监测,并对清洗过程截止点进行研究。结果表明射频等离子体清洗方法可有效去除严重影响光束线使用效率的碳污染,提高光束线使用效率;通过监测气体成分变化能为截止点判断提供有效依据。
- 尉伟张波洪远志裴香涛范乐王勇潘海滨闫文盛王峰王秋平
- 关键词：光学元件
- 掺磷纳米硅薄膜的制备及介观力学性质与介观接触电阻的研究被引量：2
- 2009年
- 采用PECVD法制备的纳米硅薄膜是一种具有特殊性能的人工材料。它是由大量具有纳米量级的硅微晶粒构成,纳米硅晶粒镶嵌在由非晶硅构成网络中,其晶粒所占的体积百分比为XC≈50%,从而决定了其特有的性质。本文通过严格控制薄膜生长的工艺参数,得到了掺磷纳米硅薄膜,并通过原位纳米力学电学测试系统对其力学和电学性质进行测试,发现掺磷纳米硅薄膜的纳米硬度为5GPa,而其杨氏模量随着压入深度的增加而增大,其接触电阻与薄膜的结构密切相关。这些属性对于纳米硅薄膜微器件的制备具有重要的参考意义。
- 王君雄丁建宁程广贵袁宁一何宇亮坎标潘海滨
- 关键词：纳米硅薄膜掺磷纳米压痕
- SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究被引量：3
- 2005年
- Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点。在650℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成。
- 王科范盛斌刘金锋徐彭寿潘海滨韦世强
- 关键词：GE量子点SIO2薄膜SI(111)
- 镁对铜碲合金电性能的影响被引量：2
- 2007年
- 用SB2230型数字电桥测试了铜碲镁合金的电阻率,用同步辐射装置测试了铜碲镁合金表面电子结合能,用扫描电镜(SEM)、电子能谱(EDS)分析了铜碲镁合金的形貌与组成,进而研究了镁对铜碲合金电性能的影响,研究表明:少量镁的加入,增大了合金表面电子结合能,显著降低了价电子态密度,因而加入镁的铜合金电导率要低于铜碲合金,这是由于镁固溶于铜中,使铜基体的晶格结构产生畸变,同时其价电子与铜的价电子相互作用形成化学键从而减少了纯铜价电子的数量,因而引起电阻的增加,但随着合金中镁含量的增加,合金的再结晶温度明显升高。
- 朱达川孙燕宋明昭涂铭旌潘海滨
- 关键词：电性能再结晶
