李拥华
- 作品数：9 被引量：35H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- β-SiC(001)-(2×1)表面结构的第一性原理研究被引量：10
- 2005年
- 利用缀加平面波加局域轨道(APW+LO)的第一性原理方法计算了β_SiC(001)_(2×1)表面的原子及电子结构.原子结构的计算结果表明,与Si(001)_(2×1)表面的非对称性Si二聚体模型不同,β_SiC(001)_(2×1)表面为对称性的Si二聚体模型,其二聚体的Si原子间键长也较大,为0.269nm.电子结构的计算结果表明,在费米能级处有明显的态密度,因此β_SiC(001)_(2×1)表面呈金属性.在带隙附近存在四个表面态带,其中的两个占有表面态带已由价带的同步辐射光电子能谱实验得到证实.
- 徐彭寿李拥华潘海斌
- 关键词：原子结构电子结构
- NSRL在半导体表面结构的光电子衍射研究
- 2004年
- 利用角分辨光电发射精细结构(ARPEFS)技术研究了GaAs(001)面,验证了Biegelsen提出的钙双层模型的正确性。拟合结果显示,最外层构成二聚体的两个钙原子沿[110]方向移动聚拢,偏离体材料格位8.3%。同时最外层的钙原子向内收缩2.1%。利用X射线光电子衍射(XPD)实验技术研究了硫钝化方法处理过的GaAs(001)表面结构,确定了钝化的硫原子位于第一层钙原子的桥位上。与钙原子成键的键长为3.62?、键角为61.2°。使用与能量和角度有关的光电子衍射技术并结合多重散射团簇模型计算对Al2O3衬底上生长的GaN单晶薄膜表面的极化性质进行了研究,确定了该GaN表面极性为钙在最外层的正极化性。
- 徐彭寿邓锐潘海斌徐法强李拥华
- 关键词：半导体GAASGAN
- 第一性原理研究半导体绝对形变势及其在能带偏移中的应用
- ‘半导体的绝对形变势是描述材料某一能级位置(比如价带顶和导带底) 相对于体积形变的关系，这是描述半导体中电声相互作用的一个重要参数，也是经验赝势方法中为了使赝势有更好的平移性而经常采用的一个参数。关于半导体给绝对形变势的...
- 李拥华
- 关键词：形变势半导体
- 文献传递
- 多元半导体光伏材料中关键物理问题的理论研究
- 龚新高陈时友向红军李拥华
- 为发展高效、廉价、环境友好的太阳能电池，近几十年来人们一直在探索各种新型半导体光伏材料。如何理解这些新型材料的复杂物性，揭示影响光伏性能的物理机制，是凝聚态物理研究的重要问题。该项目围绕多元半导体等新型光伏材料，发展了新...
- 关键词：
- 关键词：光伏材料晶体结构电子结构
- 角分辨光电子能谱技术及其应用进展被引量：5
- 2002年
- 角分辨光电子能谱 (ARPES)是研究晶体表面电子结构 ,如能带 ,费米面 ,以及多体相互作用的重要工具。本文概述了光电子激发的一般过程和单粒子近似下的理论模型。详细讨论了角分辨光电子能谱的能带勾画 (EnergyBandMapping)和费米面成像 (FermiSurfaceMapping)技术 ,以及高分辨下的角分辨光电子能谱在强相关体系研究中的应用。文章最后简单介绍了当前角分辨光电子能谱研究的新进展 ,如研究宽禁带半导体材料的表面电子结构 ,有机功能材料与金属的界面 ,金属超薄膜中的量子阱态 。
- 李拥华徐彭寿徐法强潘海斌
- 关键词：角分辨光电子能谱费米面电子结构能谱仪
- GaN表面极性的光电子衍射研究被引量：3
- 2004年
- 利用x射线光电子衍射的极角扫描模式 ,采集了GaN(0 0 0 1)表面由 (10 10 )和 (112 0 )晶面产生的光电子衍射实验曲线 ,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0 0 0 1)表面是Ga在最外层的极性面 .利用与能量有关的光电子衍射即角分辨光电发射精细结构谱技术并结合多重散射团簇模型计算对GaN(0 0 0 1)表面的极化性质进行了研究 。
- 徐彭寿邓锐潘海斌徐法强谢长坤李拥华刘凤琴易布拉欣.奎热西
- 关键词：氮化镓半导体材料
- GaN(100)表面结构的第一性原理计算被引量：16
- 2005年
- 用全势缀加平面波加局域轨道 (APW +lo)的方法计算了六方GaN及其非极性 ( 10 10 )表面的原子及电子结构 .计算出的六方GaN晶体结构参数 :晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算GaN( 10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性 .表面阳离子向体内移动 ,趋向于sp2 平面构形 ;而表面阴离子向体外移动 ,趋向于锥形的p3构形 .弛豫后 ,表面实现由半金属性向半导体性的转变 .并且 ,表面电荷发生大的转移 ,参与表面键的重新杂化 ,使得表面原子的离子性减弱共价性增强 。
- 李拥华徐彭寿潘海滨徐法强谢长坤
- 关键词：键长弛豫平面波晶格常数
- GaAs(001)面能量扫描的光电子衍射研究被引量：1
- 2004年
- 利用在国家同步辐射实验室建立的光电子衍射技术 ,采集了GaAs(0 0 1 )面能量扫描的光电子衍射谱。通过对光电子衍射谱的傅立叶变换分析给出了各个发射体近邻原子的正确位置 .经过多重散射模型计算并对实验曲线的拟合验证了Biegelsen提出的Ga双层模型的正确性 .结果显示 ,最外层构成二聚体的两个Ga原子沿 [1 1 0 ]方向移动聚拢 ,偏离体材料格位 8.3% .同时最外层的Ga原子向内收缩 2 .1 % .
- 邓锐谢长坤李拥华潘海斌徐法强徐彭寿
- 关键词：GAAS
- GaN(110)表面原子及电子结构的第一性原理研究被引量：4
- 2004年
- 用缀加平面波加局域轨道方法计算了立方GaN及其非极性 ( 1 1 0 )表面的原子结构和电子结构 ,得到的GaN晶格常数及体积弹性模量与实验值符合得很好 .用层晶超原胞模型计算立方GaN ( 1 1 0 )表面的原子和电子结构 ,发现表面顶层原子发生键长收缩并旋转的弛豫特性 ,表面阳离子向体内移动 ,与周围阴离子形成sp2 杂化 ,而表面阴离子则形成p3 型锥形结构 .其面旋角为 1 4 .1°,比传统的Ⅲ V族半导体 ( 1 1 0 )表面面旋角 ( 30°± 2°)小得多 ,这主要与材料的离子性有关 .此外 ,在带隙附近还发现了两个表面态 ,一个是占据的表面态 ,主要是由N的p电子构成的 ;另一个是空态 ,主要由阳离子的轨道构成 .在驰豫后 ,这两个表面能带都移出带隙 ,分别进入导带和价带 。
- 李拥华徐彭寿潘海滨徐法强
- 关键词：GAN表面电子结构
