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沈佩
作品数:
2
被引量:4
H指数:1
供职机构:
北京工业大学电子信息与控制工程学院
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发文基金:
北京市自然科学基金
模拟集成电路国家重点实验室开放基金
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
金冬月
北京工业大学电子信息与控制工程...
谢红云
北京工业大学电子信息与控制工程...
郭振杰
北京工业大学电子信息与控制工程...
张东晖
北京工业大学电子信息与控制工程...
周永强
北京工业大学电子信息与控制工程...
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SIGE异质...
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UWB
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机构
2篇
北京工业大学
作者
2篇
沈佩
2篇
谢红云
2篇
金冬月
1篇
肖盈
1篇
张蔚
1篇
王扬
1篇
李佳
1篇
陈亮
1篇
丁春宝
1篇
刘波宇
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周永强
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张东晖
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郭振杰
传媒
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1篇
2012
1篇
2006
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微波功率SiGe HBT研究进展
2006年
Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比GaAs HBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGe HBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述,希望对从事微波功率SiGe HBT的研究者有所帮助。
张万荣
张蔚
金冬月
谢红云
肖盈
王扬
李佳
沈佩
关键词:
SIGE/SI
异质结晶体管
微波功率器件
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
被引量:4
2012年
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC0.35μm SiGe工艺,设计了一款芯片面积小的满足超宽带(UWB)标准的无电感SiGe异质结双晶体管(HBT)低噪声放大器(LNA)。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容(LC)匹配网络结构,实现了输入、输出阻抗匹配,未采用无源电感,节省了芯片面积,芯片面积仅为0.046mm2,并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级,既提高了增益,又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明,在UWB频带范围内,LNA的增益为19.5~20dB,增益平坦度为4-0.25dB;输入、输出匹配良好;线性度为-5- -2dBm;在整个频段内,无条件稳定。
丁春宝
张万荣
金冬月
谢红云
陈亮
沈佩
张东晖
刘波宇
周永强
郭振杰
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