汪延明
- 作品数：4 被引量：17H指数：3
- 供职机构：南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心更多>>
- 发文基金：长江学者和创新团队发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响被引量：3
- 2010年
- 本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放。随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大。PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移。
- 肖宗湖张萌熊传兵江风益王光绪熊贻婧汪延明
- 关键词：SI衬底INGAN/GANLED应力
- Si衬底GaN基电镀金属基板LED性能研究
- GaN基LED已在社会各个领域被广泛应用,形成了巨大的市场,世界各国争相推出固态照明计划,研发功率型芯片势在必行。相比其他衬底,硅材料具有低成本、大尺寸、高晶体质量、易加工、导电导热性能好等优点,再者比较容易实现GaN外...
- 汪延明
- 关键词：氮化镓电镀金属基板硅衬底
- 文献传递
- 不同基板1W硅衬底蓝光LED老化性能研究被引量：8
- 2010年
- 将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对其老化特性进行了对比研究。研究结果表明,在三种基板中铜支撑基板的器件老化后光电特性最稳定。把这一现象归结于三种样品的应力状态以及基板热导率的不同,其中应力状态可能是影响器件可靠性的最主要因素。
- 汪延明熊传兵王光绪肖宗湖熊贻婧江风益
- 关键词：发光二极管氮化镓硅衬底
- Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化被引量：7
- 2010年
- 采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNMQWLED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射（HRXRD）和光致发光（PL）研究了转移的GaN薄膜应力变化。研究发现：（1）转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层基板等三种基板的GaN薄膜张应力均减小,其中转移至铬基板的GaN薄膜张应力最小。（2）随着铬基板中铬主体层厚度的增加,转移后的GaN薄膜应力不发生明显变化。
- 熊贻婧张萌熊传兵肖宗湖王光绪汪延明江风益
- 关键词：金属基板SI衬底GAN应力
