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熊传兵: 作品数：51 被引量：140H指数：8; 供职机构：闽南师范大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究被引量：12: 2000年; 对实验室用 MOCVD方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨 ,认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光 ( e A发光 )。观察到降低 Ga N补偿度能提高 Ga N带边发射强度。; 李述体王立辛勇彭学新熊传兵姚冬敏江风益; 关键词：MOCVD 光致发光补偿度

GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱被引量：5: 2000年; 采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在表征 Ga; 姚冬敏辛勇王立李述体熊传兵彭学新刘念华江风益; 关键词：双晶衍射光致发光氮化镓

MOCVD生长InGaN薄膜及其离子束背散射沟道研究: 采用MOCVD系统Al<,2>O<,3>为衬底在CaN膜上生长了In<,x>Ca<,1-x>N薄膜。以卢瑟福背散射／沟道(RBS/channeling)技术和光致发光(PL)技术对In<,x>Ca<,1-x>N样品进行了...; 李述体彭学新王立熊传兵李鹏; 关键词：离子束; 文献传递

具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法: 本发明提供一种具有上下电极结构的铟镓铝氮(InxGayAl1－x－y N，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)发光器件及其制造方法。该发光器件包括导电衬底，特...; 江风益王立熊传兵方文卿刘和初周毛兴; 文献传递

硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究被引量：2: 2008年; 测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.; 熊传兵江风益王立方文卿莫春兰; 关键词：发光二极管电致发光

量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响被引量：1: 2016年; 在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为Ga N、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N/In0.05Ga0.95N、In0.05Ga0.95N/Ga N/In0.05Ga0.95N,对应的3种芯片样品为A、B、C,研究了3种样品的变温电致发光特性。垒结构的改变虽然对光功率影响很小,但是在光谱性能上会引起显著改变,结果如下:在低温(13 K)大电流下,随着电流密度的增大,样品的EL谱峰值波长蓝移更为显著,程度依次为B>A≈C;在高温(300 K)小电流下,随着电流密度的增大,样品EL谱的峰值波长蓝移程度的大小依次为A>B>C。在同一电流下,随着温度的升高,样品在大部分电流下的EL谱峰值波长出现"S"型波长漂移,在极端电流下又表现出不同的漂移情况。这些现象与局域态、应力、压电场、禁带宽度等因素有关。; 汤英文熊传兵井晓玉; 关键词：绿光LED 电致发光硅衬底 MOCVD

Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化被引量：7: 2010年; 采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNMQWLED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射（HRXRD）和光致发光（PL）研究了转移的GaN薄膜应力变化。研究发现：（1）转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层基板等三种基板的GaN薄膜张应力均减小,其中转移至铬基板的GaN薄膜张应力最小。（2）随着铬基板中铬主体层厚度的增加,转移后的GaN薄膜应力不发生明显变化。; 熊贻婧张萌熊传兵肖宗湖王光绪汪延明江风益; 关键词：金属基板 SI衬底 GAN 应力

MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究被引量：1: 2000年; 对本实验室用 MOCVD方法生长的未故意掺杂的 Ga N单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明 ,室温时 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较宽 ,低补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较窄。; 辛勇熊传兵彭学新王立姚冬敏李述体江风益; 关键词：补偿度 X射线双晶衍射 MOCVD 氮化镓

新型紫外光源研制成功被引量：8: 2001年; 以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来。; 江风益熊传兵彭学新王立李述体姚冬敏莫春兰李鹏周毛兴周力吴蔚登刘和初; 关键词：发光二极管紫外光源

硅衬底GaN基发光二极管: 江风益方文卿王立熊传兵莫春兰; 该项目属于LED技术领域具有节能环保意义的LED照明产业，是国内外重点发展的战略性新兴产业。为使中国LED产业从根本上避开与国际上原有的二条技术路线发生专利纠纷，并从本质上降低LED照明芯片制造成本，该项目经过近9年的技...; 关键词：; 关键词：发光二极管