汪巍
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜被引量：5
- 2011年
- 使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.
- 苏少坚汪巍张广泽胡炜玄白安琪薛春来左玉华成步文王启明
- 关键词：分子束外延
- 硅基GeSn合金光电探测器
- 采用MBE方法，在Si(001)衬寸底上，以低、高温两步法生长的Ge薄膜为缓冲层，生长出了高质量的GeSn合金，并研究了GeSn合金的热稳定性。成功制作出硅基GeSn合金p-i-n型光电探测器，相关性能指标为目前国际上最...
- 薛春来苏少坚汪巍张广泽成步文王启明
- 关键词：硅基
- 外延生长Ge_(1-x)Sn_x合金的研究进展
- 2010年
- Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝。采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差。采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金,但是所用的Sn气体源难以获得。综述了Ge1-xSnx合金外延生长的研究进展。
- 苏少坚汪巍胡炜玄张广泽薛春来左玉华成步文王启明
- 关键词：合金
- 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法
- 本发明提供一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法，包括如下步骤：步骤1：在Si衬底上生长一层第一Ge材料层；步骤2：在第一Ge材料层上生长一层第二Ge材料层；步骤3：在第二Ge材料层上生长一层第一GeSn合金层...
- 苏少坚汪巍成步文王启明张广泽胡炜玄白安琪薛春来左玉华
- 文献传递
- 分子束外延生长硅基Ge1-xSnx合金薄膜
- 使用高质量的Ge薄膜作为缓冲层，在Si(001)衬底上分子束外延生长出了晶体质量很好的、没有发生Sn表面分凝的Gel-xSnx(x=0.025、0.052和0.078)合金薄膜。Sn含量比较低时(～2.5％)，Gel-x...
- 苏少坚汪巍胡炜玄张广泽成步文王启明
- 关键词：锗硅基
- GeSn合金的外延生长方法
- 一种GeSn合金的外延生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一Sn固体金属作为Sn源材料置入真空腔的Sn固体源炉中；步骤2：将一衬底置入分子束外延源炉的真空腔的加热器上，对真空腔抽真空，对衬底加热；步骤3：对Sn固体金属加热...
- 成步文薛春来左玉华汪巍胡炜玄苏少坚白安琪薛海韵
- 文献传递
