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汤如俊

作品数:10 被引量:3H指数:1
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家留学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 3篇随机存储器
  • 3篇磁性随机存储...
  • 3篇存储器
  • 2篇应力
  • 2篇剩磁
  • 2篇微磁学
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射气压
  • 2篇交换耦合
  • 2篇矫顽力
  • 2篇非晶
  • 2篇非晶薄膜
  • 2篇表面形貌
  • 2篇磁各向异性
  • 2篇磁特性
  • 1篇读写
  • 1篇自发磁化
  • 1篇小颗粒
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘层

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇汤如俊
  • 8篇张万里
  • 7篇彭斌
  • 6篇蒋洪川
  • 5篇张文旭
  • 2篇谢巧英
  • 2篇兰中文
  • 1篇张怀武
  • 1篇彭斌
  • 1篇苏鼎

传媒

  • 2篇功能材料
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 5篇2007
  • 3篇2006
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
磁性随机存储器中的电流磁场分布模型
2006年
根据磁性随机存储器(MRAM)设计的实际需要,建立了MRAM中相互垂直的字线和位线电流所产生的磁场的解析分布模型。利用该模型讨论了存储单元与位线间距离(d1),字、位线宽度(w)及字、位线厚度(t)对存储单元自由层表面磁场分布的影响。结果表明,d1或w增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都减小。t增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都增大。其中d1对磁场分布的影响程序是最大的。该模型为MRAM更精确的器件模拟及器件结构的优化设计工作提供了必要的基础。
张万里汤如俊张文旭彭斌
关键词:磁性随机存储器磁场分布
一种菱形的磁性随机存储器存储单元
本发明提供了一种菱形的磁性随机存储器存储单元,它包括:自由层(4)、绝缘层(5)、钉扎层(6);其特征是所述的磁性随机存储器存储单元的俯视图形状是菱形,所述菱形的长轴a与短轴b之比(以下简称长宽比)大于等于2,即a/b>...
张万里张文旭汤如俊彭斌蒋洪川张怀武
文献传递
柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应
2008年
采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜,研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律。结果表明,本文中优化的溅射气压为1.5 Pa,强的偏置磁场可形成强的横向各向异性,从而显著提高材料的应力阻抗效应。随着测试频率从0.1MHz升高到30 MHz,薄膜的应力阻抗效应显著增强。
苏鼎张万里蒋洪川汤如俊彭斌
溅射气压对FeCoSiB非晶薄膜表面形貌及磁特性的影响
利用磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了 FeCoSiB 非晶薄膜,研究了溅射 Ar 气压强对薄膜表面形貌及磁特性的影响。结果表明,薄膜的表面形貌显著依赖于 Ar 气压强,随着 Ar 压强的增加,薄膜表面颗粒增大, 粗糙度...
汤如俊谢巧英彭斌张万里张文旭蒋洪川
关键词:溅射气压表面形貌矫顽力剩磁
文献传递
菱形NiFe薄膜单元的自发磁化及剩磁状态的研究
2007年
利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明,在不同的尺寸下,菱形单元将有不同的自发磁化状态及剩磁状态。在单元的长宽尺寸小于某个临界尺寸时,菱形单元结构呈现单畴态。同时还分析了菱形NiFe单元作为磁性随机存储器(MRAM)存储单元时的要求。
汤如俊张万里张文旭彭斌
关键词:磁性随机存储器
小颗粒CoPt单层和双层垂直磁记录介质研究
硬盘是当今解决低成本、大容量信息记录的关键技术之一。自2006年起,磁记录硬盘已经从传统的水平记录进入了垂直记录时代。进一步提高垂直磁记录硬盘的记录密度需要减小记录材料的颗粒尺寸而不降低其热稳定性,这需要应用比现今工业上...
汤如俊
关键词:垂直磁记录COPT颗粒尺寸交换耦合微磁学
文献传递
应力生长FeCoSiB非晶薄膜的磁各向异性研究
采用应力生长方法,制备出受压应力和张应力作用的 FeCoSiB 非晶磁弹性薄膜,研究了薄膜中的应变大小对 FeCoSiB 薄膜的磁滞回线、剩磁、应力诱导各向异性场等磁特性的影响.结果表明,无应变薄膜在薄膜面内呈现各向同性...
彭斌张万里汤如俊蒋洪川兰中文
关键词:应力磁各向异性
文献传递
应力生长FeCoSiB非晶薄膜的磁各向异性研究被引量:3
2007年
采用应力生长方法,制备出受压应力和张应力作用的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜,研究了薄膜中的应变大小对FeCoSiB薄膜的磁滞回线、剩磁、应力诱导各向异性场等磁特性的影响.结果表明,无应变薄膜在薄膜面内呈现各向同性,而有应变的薄膜呈现出明显的各向异性。张应力诱导的各向异性与应力方向平行,而压应力形成垂直于应力方向的磁各向异性。各向异性场随应变的增大而线性增大。
彭斌张万里汤如俊蒋洪川兰中文
关键词:应力磁各向异性
溅射气压对FeCoSiB非晶薄膜表面形貌及磁特性的影响
2007年
利用磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了FeCoSiB非晶薄膜,研究了溅射心气压强对薄膜表面形貌及磁特性的影响。结果表明,薄膜的表面形貌显著依赖于心气压强,随着山Ar压强的增加,薄膜表面颗粒增大,粗糙度增加并形成柱状微结构。心气压强对薄膜磁特性有显著的影响,随血压强增加,薄膜的矫顽力增加,而剩磁则呈下降趋势。从薄膜的磁滞回线、矫顽力以及剩磁随溅射气压的变化规律可知,溅射气压较小时制备的薄膜软磁性能较好.
汤如俊谢巧英彭斌张万里张文旭蒋洪川
关键词:非晶薄膜溅射气压表面形貌矫顽力剩磁
交换耦合磁致伸缩多层膜微磁学研究
磁致伸缩交换耦合多层膜由于具有优异的低场磁致伸缩性能,受到人们的广泛关注。为了深入认识磁致伸缩交换耦合多层膜的磁化行为及磁致伸缩特性,本文建立了纳米双相交换耦合磁致伸缩多层膜的理论模型,研究了材料参数对多层膜磁化行为及磁...
汤如俊
关键词:磁致伸缩微磁学
文献传递
共1页<1>
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