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张文旭

作品数：103 被引量：179H指数：7
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金国家自然科学基金武器装备预研基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 55篇专利
  • 41篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 27篇一般工业技术
  • 20篇电气工程
  • 16篇理学
  • 14篇自动化与计算...
  • 8篇电子电信
  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 13篇自旋
  • 13篇感器
  • 13篇传感
  • 13篇传感器
  • 10篇磁致伸缩
  • 9篇溅射
  • 8篇声表面波
  • 7篇永磁
  • 7篇磁控
  • 6篇铁磁
  • 6篇自旋霍尔效应
  • 6篇微波
  • 6篇磁场
  • 6篇磁控溅射
  • 6篇磁性
  • 5篇永磁材料
  • 5篇声表面波传感...
  • 5篇铁氧体
  • 5篇测试系统
  • 5篇磁材料

机构

  • 103篇电子科技大学
  • 1篇西南民族大学
  • 1篇四川永星电子...

作者

  • 103篇张文旭
  • 86篇张万里
  • 39篇蒋洪川
  • 37篇彭斌
  • 35篇彭斌
  • 27篇杨仕清
  • 12篇曾慧中
  • 10篇张金平
  • 7篇王豪才
  • 6篇黄飞
  • 5篇王睿
  • 5篇汤如俊
  • 5篇姜建英
  • 5篇邓言文
  • 4篇张怀武
  • 4篇杨潇
  • 4篇李凌
  • 3篇汪渊
  • 3篇杨国宁
  • 2篇谢巧英

传媒

  • 5篇功能材料
  • 5篇磁性材料及器...
  • 3篇中国稀土学报
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇压电与声光
  • 2篇物理学报
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇原子与分子物...
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇传感器世界
  • 1篇大自然探索
  • 1篇稀土
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇材料保护
  • 1篇波谱学杂志
  • 1篇固体力学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇化学研究与应...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇材料工程

年份

  • 2篇2024
  • 7篇2023
  • 3篇2022
  • 7篇2021
  • 4篇2020
  • 13篇2019
  • 6篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2007
  • 6篇2006
  • 10篇2005
  • 3篇2004
  • 8篇2003
  • 5篇2002
共 103 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种磁性随机存储器参考信号的产生方法
本发明提供了一种磁性随机存储器MRAM参考信号的产生方法，它是通过外加电流产生磁场，该磁场改变存储单元两磁性层磁化方向的夹角来获得中间态，将该中间态的电阻作为参考信号，并利用MRAM中信息存储单元的电阻值与存储单元中两磁...
张万里彭斌张祖刚张文旭蒋洪川张怀武
文献传递
一种磁性随机存储器参考信号的产生方法
本发明提供了一种磁性随机存储器MRAM参考信号的产生方法，它是通过外加电流产生磁场，该磁场改变存储单元两磁性层磁化方向的夹角来获得中间态，将该中间态的电阻作为参考信号，并利用MRAM中信息存储单元的电阻值与存储单元中两磁...
张万里彭斌张祖刚张文旭蒋洪川张怀武
文献传递
基片倾斜角度对TbFe薄膜磁致伸缩性能的影响
2005年
　采用直流磁控溅射法制备了非晶态 TbFe磁致伸缩薄膜,通过基片的倾斜安装研究了基片倾斜角度对TbFe薄膜磁致伸缩性能的影响。结果表明:随着基片倾斜角度的增大 TbFe薄膜的磁致伸缩系数增大,在外加磁场110kA·m-1下基片倾斜角度为 60°时薄膜磁致伸缩系数达到最大值 1.02×10-4,并且随着基片倾斜角度的增大 TbFe薄膜的易磁化方向由垂直膜面方向逐渐转向平行膜面方向。这是由于倾斜基片溅射形成的倾斜的薄膜柱状微结构产生的形状各向异性引起的。
张金平蒋洪川张万里彭斌张文旭杨仕清
关键词：直流磁控溅射形状各向异性
磁化状态对自偏置微带环行器性能的影响被引量：1
2013年
基于钡铁氧体材料设计并制作了中心频率在22GHz的自偏置环行器,仿真结果表明,在22.6GHz附近,插入损耗小于0.2dB,隔离和回波损耗均大于30dB。测试结果表明,无外加磁场、铁氧体没有达到磁化饱和时,在22GHz处,器件插入损耗为2.9dB,隔离损耗接近50 dB。为了研究磁化状态对自偏置环行器性能的影响,在测试时施加弱磁场,插入损耗最小值为1.57 dB,出现在频率22.6 GHz处,对应的隔离度为11.4 dB;当施加强磁场时,插入损耗最小值为1.1 dB,对应的隔离度为11.6 dB;对比施加强弱磁场时的测试结果,可发现随外磁场增强,在22.6GHz处插入损耗降低,但是在22GHz处的隔离度变小。
潘勇才张万里彭斌孙延龙张文旭
关键词：微带环行器自偏置
Sm(Co,Cu,Fe,Zr)_z磁体畴壁钉扎的二维微磁学研究
2005年
Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体中的畴壁钉扎研究一直是磁学领域中的关注点。本文首先建立了Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体畴壁钉扎的二维微磁学模型,然后利用微磁学计算了胞壁相的物理参数对畴壁钉扎的影响。计算结果表明,只有合适的胞壁相厚度和磁晶各向异性常数才能获得高的钉扎场。
唐军彭斌张文旭张万里蒋洪川杨仕清陈志川
关键词：微磁学
一种菱形的磁性随机存储器存储单元
本发明提供了一种菱形的磁性随机存储器存储单元，它包括：自由层(4)、绝缘层(5)、钉扎层(6)；其特征是所述的磁性随机存储器存储单元的俯视图形状是菱形，所述菱形的长轴a与短轴b之比(以下简称长宽比)大于等于2，即a/b＞...
张万里张文旭汤如俊彭斌蒋洪川张怀武
文献传递
一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法
本发明属于半导体器件的测试技术领域，具体涉及一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法。本发明通过结合DLTS测试的等效电路，分析了MIS结构中绝缘层电容对DLTS信号的影响，再对DLTS测试数据进行分析，计算出MIS结...
曾慧中唐义强孟奔阳肖化宇杨潇张文旭张万里李言荣
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Nd-Fe-B永磁材料氢脆过程及Al+Al_2O_3阻氢涂层研究被引量：3
2003年
从材料保护的角度出发,在分析了Nd Fe B永磁材料的氢脆过程及氢脆的特点后,用RF磁控溅射制备一定厚度的Al薄膜并在一定条件下进行氧化处理,得到了Al+Al2O3复合涂层。用SEM和XRD分析了涂层形貌和组成,并用高压气相充氢的方式测试了涂层的阻氢性能。研究表明,厚度为8.0μm复合涂层的阻氢性能为:在10MPa的H2环境中(25℃),阻氢时间达65min,且对磁体的磁性能无不良影响。
张万里彭斌蒋洪川张文旭杨仕清
关键词：金属材料ND-FE-B永磁材料氢脆稀土
纳米晶稀土永磁材料应用研究
王豪才杨仕清蒋洪川张万里张文旭彭斌王瑞芳
该项目在交换耦合纳米晶磁学计算、熔体快淬制备低钕纳米晶交换耦合稀土永磁材料、纳米晶稀土粘结磁体在微特电机中应用，在磁路分析、粘接磁体化学镀镍等研究方面所取得的成果有一定的新颖性；在粘结NdFeB阻氢涂层研究方面所取得的成...
关键词：
关键词：纳米晶永磁材料稀土永磁材料粘结永磁材料微电机
一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法
本发明涉及压电薄膜制造领域,尤其涉及一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法。本发明的沉积薄膜过程：首先向真空腔体内同时通入高纯氩气和高纯氮气，并使其中氮气的含量保持在20％～30％，待辉光稳定后开始溅射沉积氮化铝薄膜；然后...
彭斌姜建英张万里张文旭王睿邓言文
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