您的位置: 专家智库 > >

桑云刚

作品数:2 被引量:9H指数:2
供职机构:河北大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省重点基础研究项目更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇纳米硅
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇C-SI

机构

  • 2篇河北大学

作者

  • 2篇丁文革
  • 2篇桑云刚
  • 2篇傅广生
  • 2篇于威
  • 2篇滕晓云
  • 1篇杨彦斌
  • 1篇孙雪
  • 1篇卢云霞

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
纳米硅结构薄膜光致发光的温度依赖特性被引量:5
2012年
综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径的依赖特性以及光学带隙和光辐射的温度依赖特性等,给出了一个解析表达式来分析具有一定粒径分布的纳米硅结构薄膜的光致发光(PL)强度分布,其中选取了两种纳米硅的粒径分布,即高斯分布和对数正态分布。结果表明,随着平均粒径和粒径分布偏差的减小,纳米硅薄膜的PL谱峰蓝移。随着环境温度的升高,纳米硅结构薄膜的PL谱峰红移且相对发光强度减弱。纳米硅结构薄膜光辐射拟合的结果与实验数据的比较分析表明,该模型能够很好地解释纳米硅结构薄膜在不同温度下的PL特性。
丁文革卢云霞孙雪桑云刚滕晓云于威傅广生
关键词:纳米硅光致发光
富硅氮化硅/c-Si异质结中的电流输运机理研究被引量:4
2012年
采用对靶磁控溅射方法在p型晶体硅(c-Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c-Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=±2V时为1.3×103.在正向偏压下温度依赖的J-V特性曲线可以分为三个明显不同的区域.在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流(SCLC)传输机理为主.
丁文革桑云刚于威杨彦斌滕晓云傅广生
关键词:异质结
共1页<1>
聚类工具0